激光誘導(dǎo)擊穿光譜（Laser-induced breakdown spectroscopy，簡稱LIBS）作為一種近年來隨著激光及光譜學(xué)技術(shù)的發(fā)展而快速興起的新型光學(xué)元素分析技術(shù),，具有快速實時,、可原位檢測及可遠(yuǎn)程測量等優(yōu)勢，被譽為“未來化學(xué)分析之星",。
其基本原理為當(dāng)高能量的激光脈沖聚焦到樣品表面時,，會使樣品表面的物質(zhì)瞬間蒸發(fā)、電離,，形成高溫,、高密度的等離子體。這個等離子體包含了樣品中各種元素的離子和電子,，這些離子和電子會在極短的時間內(nèi)（一般在微秒級）發(fā)生復(fù)合和躍遷等過程,，從而發(fā)射出具有特定波長的光子。這些光子的波長與等離子體中元素的種類有關(guān),，不同元素會發(fā)射出不同波長的光,，形成特征光譜。LIBS是通過分析其特征發(fā)射光譜來分析樣品物性的一種表征手段,。
在 LIBS 技術(shù)的發(fā)展過程中,，探測器的性能對于整個系統(tǒng)的探測能力起著至關(guān)重要的作用。IsCMOS作為一種先進(jìn)的探測器,，其時間分辨和光子增益功能為 LIBS 技術(shù)帶來了顯著的性能提升,，使其能夠采集混合在連續(xù)背景中的瞬態(tài)微弱信號，更好地滿足各種復(fù)雜分析任務(wù)的需求,。
大連理工大學(xué)等離子體學(xué)科研究中心依托于大連理工大學(xué)物理學(xué)院,、等離子體物理國家重點學(xué)科、三束材料改性教育部重點實驗室,，致力于磁約束核聚變壁材料LIBS應(yīng)用研究和激光燒蝕基本物理研究,。是國內(nèi)率*開展先進(jìn)光譜等離子體診斷研究的團(tuán)隊之一，發(fā)展了多種激光光譜診斷平臺,，如激光誘導(dǎo)擊穿光譜技術(shù)（LIBS）,、激光誘導(dǎo)熒光光譜技術(shù)（LIF）、激光湯姆遜散射技術(shù)（TS）,、光腔衰蕩光譜技術(shù)（CRDS）,、激光散斑干涉技術(shù)（LSI）、太赫茲光譜診斷技術(shù)（THz）,、飛行時間質(zhì)譜（TOF）,，其中多項技術(shù)處于國內(nèi)*先地位。
李聰,，大連理工大學(xué)物理學(xué)院,，副教授、博士生導(dǎo)師,、大連市先進(jìn)聚變能源重點實驗室副主任,、大連市高層次人才“高*人才"、大連市“青年科技之星",、中國博士后基金特別資助獲得者,。參與重大科研項目10余項，獲遼寧省自然科學(xué)二等獎（排二）,。在國際知*期刊發(fā)表SCI論文70余篇（第一/通訊20余篇）,、授權(quán)中國發(fā)明專*10余項、美國發(fā)明專*1項,。
近日,，在大連理工大學(xué)等離子體學(xué)科研究中心李聰教授的邀請下，將卓立漢光自制的IsCMOS像增強(qiáng)型相機(jī)搭配全新推出的Omni-λ300s“影像譜王"光柵光譜儀應(yīng)用到李聰教授的LIBS系統(tǒng)中,，結(jié)果如下：
Cu原子在delay:200ns,，width：5us下的發(fā)射譜線：
Mo原子在delay:250ns，width：5us下的發(fā)射譜線：
上述數(shù)據(jù)利用卓立漢光全新推出的IsCMOS采集,，采用高效超快像增強(qiáng)器,，配合＞95%量子效率制冷型IsCMOS相機(jī)，可實現(xiàn)低噪聲,、超快門控拍照,。上述特性使其在 LIBS 應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)時間分辨光譜采集。
在 LIBS 過程中,，等離子體的形成和演化是一個動態(tài)過程,，不同時刻等離子體的溫度、電子密度等物理參數(shù)以及元素的發(fā)射光譜特征都有所不同,。通過精確控制 IsCMOS的門控時間,，可以選擇在等離子體發(fā)射光譜信號*強(qiáng)、干擾最小的特定時刻進(jìn)行采集,。例如,，在等離子體形成后的極短時間內(nèi)，可能存在較強(qiáng)的連續(xù)背景輻射,，而經(jīng)過一定時間延遲后,，元素的特征譜線發(fā)射會更加明顯且背景干擾降低。IsCMOS能夠根據(jù)這一特性，靈活設(shè)置門控延遲時間和門寬,，獲取不同時間階段的光譜信息,，深入研究等離子體的演化過程，進(jìn)而更精準(zhǔn)地分析樣品的元素組成和含量,，為 LIBS 技術(shù)在動態(tài)過程監(jiān)測和瞬態(tài)現(xiàn)象研究等方面提供了有力手段,。
IsCMOS具有超快光學(xué)門寬，＜3ns陰極光學(xué)門寬,，內(nèi)置精度＜10ps門寬控制器,。下圖為門寬遞進(jìn)10ps掃描納秒光源圖譜。
下圖為延時遞進(jìn)200ps掃描納秒光源圖譜,。
制冷型IsCMOS,，芯片制冷溫度低于環(huán)境35℃，有效降低芯片暗噪聲,。下圖為IsCMOS*低背景基線,。
IsCMOS具有2048*2048像素陣列，這使得它能夠在 LIBS 光譜采集過程中實現(xiàn)高光譜分辨率,。在 LIBS 分析中,，不同元素的特征譜線往往非常接近，高光譜分辨率能夠清晰地分辨這些譜線,，從而準(zhǔn)確地識別出樣品中所含的各種元素及其含量,。例如，對于一些過渡金屬元素,，其相鄰的發(fā)射譜線可能僅有零點幾納米的波長差,，IsCMOS可以精確地捕捉到這些細(xì)微的差異，為元素的精確分析提供了有力保障,。
下圖為IsCMOS配合卓立全新推出的Omni-λ300S光譜儀,，在保證紫外高通光量的前提下，在@2400g/nm光柵時測試分辨率可達(dá)0.05nm,。此外軟件上優(yōu)化了校正算法,，多峰譜線波長校準(zhǔn)，校準(zhǔn)后汞燈各峰值精準(zhǔn)度＜±0.2nm @1200g/nm,。
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