在半導(dǎo)體制造過程中,，前期的全自動(dòng)晶圓缺陷檢測(cè)技術(shù)非常重要。因?yàn)樵诤蠖说纳a(chǎn)流程中,，通常會(huì)有多片晶圓粘合到一起,，或者把晶圓粘合到不透明的材料上。因?yàn)榘雽?dǎo)體材料對(duì)可見光都是不透明的,，所以很難用可見圖像技術(shù)對(duì)粘合效果做表征或者檢測(cè)粘合表面的污染,。
比如MEMS的分選就是典型的應(yīng)用。MEMS是把微型機(jī)械部件,、微型傳感器,、微電路集成到一個(gè)芯片上；為確保MEMS的運(yùn)作,，對(duì)其進(jìn)行缺陷檢測(cè)是至關(guān)重要的,，但很多機(jī)械性能無法通過電氣或功能測(cè)試來確定。因?yàn)檫@些缺陷往往位于基板上或器件與封蓋晶圓之間連接的紐帶上,，所以單純的可見光圖像檢測(cè)技術(shù)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的,。因此，近紅外檢測(cè)是作為一種無損的技術(shù)既可以檢測(cè)上下表面的缺陷,，也可以檢測(cè)器件內(nèi)部的缺陷,。理論上講，這種技術(shù)可以檢測(cè)所有的缺陷,，例如,，檢測(cè)顆粒（污染）,，蝕刻線和對(duì)齊標(biāo)記，結(jié)構(gòu),，完整性,，空隙率以及燒結(jié)工藝的質(zhì)量，這里不再一一列舉,。
目前，用于檢測(cè)粘合MEMS晶圓片的技術(shù)有很多種,；每一種技術(shù)都有自己的優(yōu)缺點(diǎn),。
*種，超聲檢測(cè),；超聲波檢測(cè)是利用晶圓的缺陷會(huì)改變超聲反射波形,，然后利用超聲探頭掃描晶圓，從而能夠檢測(cè)晶圓的缺陷,；但是在因?yàn)槁暡ㄊ且环N成像介質(zhì),，因此超聲檢測(cè)能夠有效檢測(cè)空隙率和裂縫，但是,，在橫向分辨率相對(duì)較差,，無法用于缺陷尺寸的準(zhǔn)確測(cè)量。對(duì)于超聲檢測(cè)技術(shù),，需要把晶圓浸入到導(dǎo)聲的溶液中,，所以在超聲檢測(cè)后，需要多了一道清洗的工藝,，以避免晶圓受到二次污染,，所以大大限制了超聲檢測(cè)技術(shù)的應(yīng)用。
第二種,，長波紅外檢測(cè),；長波紅外成像技術(shù)也有用于晶圓的缺陷檢測(cè)，因?yàn)殚L波紅外光可以有效穿透硅材料,，通常我們會(huì)在溴鎢燈前面加上紅外濾光片來得到一個(gè)長波紅外光源,，然后利用特殊設(shè)計(jì)的成像傳感器來獲取硅晶圓的透射圖像，并做分析處理,；該技術(shù)方案主要的不足在于,，Raleigh判據(jù)決定長波紅外的成像分辨率較差，而且長波紅外的高速,、高分辨率的成像傳感器目前并沒有很好的商業(yè)化設(shè)備,；
第三種方法是X-射線檢測(cè)。這種技術(shù)首先是由微納器件產(chǎn)生X-射線輻射,，X-Ray穿透晶圓并成像到X-Ray成像設(shè)備上,。目前通用的成像設(shè)備有帶像增強(qiáng)器的CCD,，帶閃爍體的CCD或者X-Ray相機(jī)；因?yàn)閄-Ray的波段非常短,，理論上分辨率優(yōu)于長波段的紅外和聲波檢測(cè)系統(tǒng),。但是X-Ray檢測(cè)技術(shù)的局限性在于X-Ray是電離輻射，所以需要有效的屏蔽防護(hù),；而且硅對(duì)X-Ray的穿透率比較高,，所以圖像的對(duì)比度會(huì)比較差，從而很難有效區(qū)分結(jié)構(gòu)上的微小缺陷,；
新的檢測(cè)技術(shù)
除了以上介紹的幾種技術(shù)以外,，還有另外一種技術(shù)是利用窄帶的近紅外光的檢測(cè)技術(shù)。近紅外晶圓檢測(cè)系統(tǒng)需要一個(gè)固態(tài)光源,，紅外光學(xué)系統(tǒng),，以及近紅外高速、高分辨率的成像傳感器,。zui近幾年,，隨著固態(tài)光源技術(shù)及近紅外傳感技術(shù)發(fā)展，固態(tài)紅外光源的強(qiáng)度不斷增強(qiáng),，而且傳感器的靈敏度不斷提升,，近紅外成像技術(shù)成為了一種有效檢測(cè)晶圓缺陷的手段。
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