低溫強(qiáng)磁場(chǎng)原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡? - attoAFM/attoMFM/attoSHPM系統(tǒng)
納米尺度下的磁學(xué)圖像對(duì)于研究磁性材料和超導(dǎo)樣品是非常重要的,用attocube公司attoAFM/attoMFM/atoSHPM系統(tǒng),,科學(xué)家可以在無以倫比的空間分辨率(20nm)和磁場(chǎng)敏感性下分析樣品磁性,,工作溫度從低溫,、強(qiáng)磁場(chǎng)到室溫。 |
德國attocube公司低溫強(qiáng)磁場(chǎng)原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡采用模塊化的設(shè)計(jì),。用標(biāo)配的控制器和樣品掃描臺(tái),用戶僅需要更換掃描頭和對(duì)應(yīng)的光學(xué)部件即可實(shí)現(xiàn)不同功能之間的切換,。 |
低溫強(qiáng)磁場(chǎng)磁力顯微鏡 - attoMFM I系統(tǒng)
attoMFM I采用緊湊設(shè)計(jì),,其主要用于低溫和低溫環(huán)境中。在掃描時(shí),,探針是固定的,,而進(jìn)行樣品掃描。樣品與探針之間的磁力梯度由光纖干涉的模式,,通過測(cè)量共振頻率或相位變化而確定,。 在實(shí)驗(yàn)過程中,樣品和探針保持定的距離,,典型值為10-100nm,。工作在共振頻率模式時(shí),PLL用于激發(fā)微懸臂,,進(jìn)行閉環(huán)掃描,,實(shí)現(xiàn)*的空間分辨率(10.7nm,如下圖),。 |
attoMFM I點(diǎn)與技術(shù)勢(shì) | attoMFM I技術(shù)參數(shù) | |
+ 工作模式:MFM,、接觸式/半接觸式/非接觸模式AFM、導(dǎo)電AFM,、EFM + 可升到SHPM,、共聚焦顯微鏡、SNOM和STM + 5X5X5mm粗定位范圍,,4K + 30umX30um掃描范圍,,4K + MFM*空間分辨率:好于11nm + 變溫范圍:mK - 373K + 兼容強(qiáng)磁場(chǎng):可達(dá)15Tesla + 兼容1"和2"孔徑的磁體與恒溫器,如Quantum Design-PPMS系統(tǒng) + 其緊湊和可靠MFM掃描頭設(shè)計(jì) + 閉環(huán)式掃描模式 + 外置CCD,,用于檢測(cè)低溫環(huán)境中樣品的位置 + 用于超導(dǎo)體的vortex分布與定扎測(cè)量 + 磁性顆粒的局域場(chǎng)測(cè)量 + 磁化率和磁滯回線測(cè)量+ 超導(dǎo),、磁疇、材料科學(xué)研究 | + 樣品定位范圍:5 X 5 X 5mm,,4K + 樣品位移步長:0.05 -3um @ 300K,, 10 -500nm @ 4K + 掃描范圍:40X40 um @300K;30X30 um @4K + 磁場(chǎng)強(qiáng)度: 0 -15Tesla (取決于磁體) + 變溫范圍:mK - 300K (取決于恒溫器) + 工作真空環(huán)境:1X10-6mbar - 1bar(He交換氣氛) + MFM側(cè)向分辨率:好于20nm + RMS z-noise水平(4K):0.05nm + z bit分辨率(全范圍內(nèi)):7.6pm + z bit分辨率(掃描范圍內(nèi)):0.12pm |
低溫強(qiáng)磁場(chǎng)掃描霍爾顯微鏡- attoSHPM系統(tǒng)
attoSHPM采用緊湊設(shè)計(jì),,其主要用于低溫和低溫環(huán)境中,。其探針是采用MBE生長的GaAs/AlGaAs霍爾傳感器。局域測(cè)量通過霍爾探針在樣品表面進(jìn)行掃描而實(shí)現(xiàn),,將測(cè)得的霍爾電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)換,,即可計(jì)算出局域磁場(chǎng)強(qiáng)度,。 |
attoSHPM點(diǎn)與技術(shù)勢(shì) | attoSHPM技術(shù)參數(shù) | |
+ 可升到MFM、接觸式/半接觸式/非接觸模式AFM,、導(dǎo)電AFM,、EFM、共聚焦顯微鏡,、SNOM和STM + 5X5X5mm粗定位范圍,,4K + 30umX30um掃描范圍,4K + 變溫范圍:mK - 373K + 兼容強(qiáng)磁場(chǎng):可達(dá)15Tesla + 兼容1"和2"孔徑的磁體與恒溫器,,如Quantum Design-PPMS系統(tǒng) + 其緊湊和可靠SHPM掃描頭設(shè)計(jì)+ 定量和非破壞性磁性測(cè)量,,mK溫度 + 閉環(huán)式掃描模式 + 用于超導(dǎo)體的vortex分布與定扎測(cè)量 + 磁性顆粒的局域場(chǎng)測(cè)量 + 磁化率和磁滯回線測(cè)量+ 超導(dǎo)、磁疇,、材料科學(xué)研究 | + 用STM原理/音叉模式探測(cè)樣品與探針之間的距離 + 樣品位移步長:0.05 -3um @ 300K, 10 -500nm @ 4K + 掃描范圍:40X40 um @300K,;30X30 um @4K + 磁場(chǎng)強(qiáng)度: 0 -15Tesla (取決于磁體) + 變溫范圍:mK - 300K (取決于恒溫器) + 工作真空環(huán)境:1X10-6mbar - 1bar(He交換氣氛) +SHPM探針:MBE生長的GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié) + 分辨率:250nm超高分辨 + z bit分辨率,,300K :0.065nm,4.3um掃描范圍 + 側(cè)向(xy)bit分辨率,,4K:0.18nm,,12um掃描范圍 + z bit分辨率,4K:0.030nm,,2um掃描范圍 |