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低溫強(qiáng)磁場(chǎng)原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡? - attoAFM/attoMFM/attoSHPM系統(tǒng)
| 納米尺度下的磁學(xué)圖像對(duì)于研究磁性材料和超導(dǎo)樣品是非常重要的，用attocube公司attoAFM/attoMFM/atoSHPM系統(tǒng),，科學(xué)家可以在無以倫比的空間分辨率（20nm）和磁場(chǎng)敏感性下分析樣品磁性,，工作溫度從低溫,、強(qiáng)磁場(chǎng)到室溫。 |
| 德國attocube公司低溫強(qiáng)磁場(chǎng)原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡采用模塊化的設(shè)計(jì),。用標(biāo)配的控制器和樣品掃描臺(tái)，用戶僅需要更換掃描頭和對(duì)應(yīng)的光學(xué)部件即可實(shí)現(xiàn)不同功能之間的切換,。
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低溫強(qiáng)磁場(chǎng)磁力顯微鏡 - attoMFM I系統(tǒng)
| attoMFM I采用緊湊設(shè)計(jì),，其主要用于低溫和低溫環(huán)境中。在掃描時(shí),，探針是固定的,，而進(jìn)行樣品掃描。樣品與探針之間的磁力梯度由光纖干涉的模式,，通過測(cè)量共振頻率或相位變化而確定,。 在實(shí)驗(yàn)過程中，樣品和探針保持定的距離,，典型值為10-100nm,。工作在共振頻率模式時(shí)，PLL用于激發(fā)微懸臂,，進(jìn)行閉環(huán)掃描,，實(shí)現(xiàn)*的空間分辨率（10.7nm，如下圖）,。
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| attoMFM I點(diǎn)與技術(shù)勢(shì) | attoMFM I技術(shù)參數(shù) | |
+ 工作模式：MFM,、接觸式/半接觸式/非接觸模式AFM、導(dǎo)電AFM,、EFM + 可升到SHPM,、共聚焦顯微鏡、SNOM和STM + 5X5X5mm粗定位范圍,，4K + 30umX30um掃描范圍,，4K + MFM*空間分辨率：好于11nm + 變溫范圍：mK - 373K + 兼容強(qiáng)磁場(chǎng)：可達(dá)15Tesla + 兼容1"和2"孔徑的磁體與恒溫器，如Quantum Design-PPMS系統(tǒng) + 其緊湊和可靠MFM掃描頭設(shè)計(jì) + 閉環(huán)式掃描模式 + 外置CCD,，用于檢測(cè)低溫環(huán)境中樣品的位置 + 用于超導(dǎo)體的vortex分布與定扎測(cè)量 + 磁性顆粒的局域場(chǎng)測(cè)量 + 磁化率和磁滯回線測(cè)量+ 超導(dǎo),、磁疇、材料科學(xué)研究 | + 樣品定位范圍：5 X 5 X 5mm,，4K + 樣品位移步長：0.05 -3um @ 300K,， 10 -500nm @ 4K + 掃描范圍：40X40 um @300K；30X30 um @4K + 磁場(chǎng)強(qiáng)度： 0 -15Tesla (取決于磁體） + 變溫范圍：mK - 300K （取決于恒溫器） + 工作真空環(huán)境：1X10-6mbar - 1bar（He交換氣氛） + MFM側(cè)向分辨率：好于20nm + RMS z-noise水平（4K）：0.05nm + z bit分辨率（全范圍內(nèi)）：7.6pm + z bit分辨率（掃描范圍內(nèi)）：0.12pm |
低溫強(qiáng)磁場(chǎng)掃描霍爾顯微鏡- attoSHPM系統(tǒng)
| attoSHPM采用緊湊設(shè)計(jì),，其主要用于低溫和低溫環(huán)境中,。其探針是采用MBE生長的GaAs/AlGaAs霍爾傳感器。局域測(cè)量通過霍爾探針在樣品表面進(jìn)行掃描而實(shí)現(xiàn),，將測(cè)得的霍爾電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)換,，即可計(jì)算出局域磁場(chǎng)強(qiáng)度,。
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| attoSHPM點(diǎn)與技術(shù)勢(shì) | attoSHPM技術(shù)參數(shù) | |
| + 可升到MFM、接觸式/半接觸式/非接觸模式AFM,、導(dǎo)電AFM,、EFM、共聚焦顯微鏡,、SNOM和STM + 5X5X5mm粗定位范圍,，4K + 30umX30um掃描范圍，4K + 變溫范圍：mK - 373K + 兼容強(qiáng)磁場(chǎng)：可達(dá)15Tesla + 兼容1"和2"孔徑的磁體與恒溫器,，如Quantum Design-PPMS系統(tǒng) + 其緊湊和可靠SHPM掃描頭設(shè)計(jì)+ 定量和非破壞性磁性測(cè)量,，mK溫度 + 閉環(huán)式掃描模式 + 用于超導(dǎo)體的vortex分布與定扎測(cè)量 + 磁性顆粒的局域場(chǎng)測(cè)量 + 磁化率和磁滯回線測(cè)量+ 超導(dǎo)、磁疇,、材料科學(xué)研究 | + 用STM原理/音叉模式探測(cè)樣品與探針之間的距離 + 樣品位移步長：0.05 -3um @ 300K， 10 -500nm @ 4K + 掃描范圍：40X40 um @300K,；30X30 um @4K + 磁場(chǎng)強(qiáng)度： 0 -15Tesla (取決于磁體） + 變溫范圍：mK - 300K （取決于恒溫器） + 工作真空環(huán)境：1X10-6mbar - 1bar（He交換氣氛） +SHPM探針：MBE生長的GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié) + 分辨率：250nm超高分辨 + z bit分辨率,，300K ：0.065nm，4.3um掃描范圍 + 側(cè)向（xy）bit分辨率,，4K：0.18nm,，12um掃描范圍 + z bit分辨率，4K：0.030nm,，2um掃描范圍 |
