日本ADVANCE RIKO公司總結(jié)多種薄膜沉積技術(shù),，發(fā)布電弧等離子體沉積（APD）系統(tǒng)。其工作原理主要分為三步：在觸發(fā)電上加載高電壓后,，電容中的電荷充到陰（靶材）上；其次真空中的陽(yáng)和陰（靶材）間,，電子形成了蠕緩放電，并產(chǎn)生放電回路,，靶材被加熱并形成等離子體；zui后通過(guò)磁場(chǎng)控制等離子體照射到基底上,，形成薄膜或納米顆粒,。

APD工作原理 

    電弧等離子體沉積系統(tǒng)用5個(gè)高能電容器,，通過(guò)改變電容器使用數(shù)量,，使充電電壓發(fā)生改變，從而控制脈沖能量,，zui終達(dá)到控制薄膜厚度的目的,。同時(shí)可以在1.5nm到6nm范圍內(nèi)控制納米顆粒直徑，活性好,，產(chǎn)量高。 

APD制備的Fe-Co納米顆粒的SEM和EDS圖譜 

    電弧等離子體沉積系統(tǒng)zui多搭載3個(gè)沉積源,，可以同時(shí)/交替使用多種靶材，使得制備新化合物成為可能,。金屬/半導(dǎo)體制備同時(shí),，控制腔體氣氛，可以產(chǎn)生氧化物和氮化物薄膜,。另外，高能量等離子體可以使碳靶材離子化,，在碳單質(zhì)體如非晶碳，納米鉆石,，碳納米管沉積與制備方面有廣泛的應(yīng)用,。 

產(chǎn)品點(diǎn)

1.    可以通過(guò)調(diào)節(jié)放電電容量,，控制納米顆粒直徑在1.5nm到6nm范圍內(nèi)。

2.    APD系統(tǒng)適用于多種導(dǎo)電靶材,，電阻率小于0.01Ω.cm的靶材系統(tǒng)都可以將其等離子體化。

3.    改變系統(tǒng)的氣氛氛圍,，可以制備氧化物或氮化物。石墨在氫氣中放電能產(chǎn)生超納米微晶鉆石,。

4.    用該系統(tǒng)制備的納米顆粒用于催化，催化活性高于濕法制備,。

5.    Model APD-P支持將納米顆粒做成粉末。Model APD-S適合在2英寸基片上制備均勻薄膜,。