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日本ADVANCE RIKO公司總結多種薄膜沉積技術,,發(fā)布電弧等離子體沉積(APD)系統(tǒng),。其工作原理主要分為三步:在觸發(fā)電上加載高電壓后,,電容中的電荷充到陰(靶材)上,;其次真空中的陽和陰(靶材)間,,電子形成了蠕緩放電,,并產(chǎn)生放電回路,,靶材被加熱并形成等離子體;zui后通過磁場控制等離子體照射到基底上,,形成薄膜或納米顆粒,。
APD工作原理
電弧等離子體沉積系統(tǒng)用5個高能電容器,,通過改變電容器使用數(shù)量,使充電電壓發(fā)生改變,,從而控制脈沖能量,,zui終達到控制薄膜厚度的目的。同時可以在1.5nm到6nm范圍內控制納米顆粒直徑,,活性好,,產(chǎn)量高。
APD制備的Fe-Co納米顆粒的SEM和EDS圖譜
電弧等離子體沉積系統(tǒng)zui多搭載3個沉積源,,可以同時/交替使用多種靶材,,使得制備新化合物成為可能。金屬/半導體制備同時,,控制腔體氣氛,,可以產(chǎn)生氧化物和氮化物薄膜。另外,,高能量等離子體可以使碳靶材離子化,,在碳單質體如非晶碳,納米鉆石,,碳納米管沉積與制備方面有廣泛的應用,。
產(chǎn)品點
1. 可以通過調節(jié)放電電容量,控制納米顆粒直徑在1.5nm到6nm范圍內,。
2. APD系統(tǒng)適用于多種導電靶材,,電阻率小于0.01Ω.cm的靶材系統(tǒng)都可以將其等離子體化。
3. 改變系統(tǒng)的氣氛氛圍,,可以制備氧化物或氮化物,。石墨在氫氣中放電能產(chǎn)生超納米微晶鉆石。
4. 用該系統(tǒng)制備的納米顆粒用于催化,,催化活性高于濕法制備,。
5. Model APD-P支持將納米顆粒做成粉末。Model APD-S適合在2英寸基片上制備均勻薄膜,。
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