磁隨機存儲器（Magnetic Random Access Memory, MRAM）用磁隧道結(jié)自由層磁矩取向不同引起的磁阻不同作為存儲單位0和1，同時結(jié)合傳統(tǒng)的磁存儲（PMR）非易失性及靜/動態(tài)隨機存儲器（SRAM/DRAM）讀寫速度快的雙重點,，在科研及工業(yè)界廣受歡迎,，并被認為是替代傳統(tǒng)隨機存儲器的下代存儲技術(shù)的潮流和趨勢。隨著自旋轉(zhuǎn)移矩效應（Spin Transfer Torque,， STT）的發(fā)現(xiàn)及迅速應用，長期制約MRAM由科研階段向工業(yè)量產(chǎn)階段轉(zhuǎn)變的技術(shù)難點“寫入困難”被成功解決，同時為了進步提高磁隨機存儲器的存儲密度,，近年來垂直取向的磁隨機存儲單元-隧道結(jié)（MTJs）取代了水平取向的磁隨機存儲單元，與STT技術(shù)道成為了的磁隨機存儲技術(shù)-垂直型STT-MRAM,。

圖1  MRAM晶圓及MTJs存儲單元 

    MRAM器件化和產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵是對晶圓的磁性薄膜及磁性存儲單元的生長和性能實現(xiàn)控制,，別是存儲單元中的核心部件磁隧道結(jié)（MTJs），磁隧道結(jié)般由磁性各異的多層膜構(gòu)成,，而隧道結(jié)zui終的性能又由多層膜中各層薄膜的性能所綜合決定,，然而MTJs的多層膜中每層的厚度般在幾納米至幾十納米之間，每層的磁矩信號都非常弱(<5*10-6emu），因此需要高精度的磁性檢測設備來對晶圓薄膜及磁性存儲單元的磁學性能進行測試,，并反過來監(jiān)控和改進晶圓的生長工藝,。 

圖2  PKMRAM_300設備 

    美國Microsense公司的垂直磁隨機存儲器晶圓的PKMRAM_300型MOKE系統(tǒng)為目前少數(shù)可實現(xiàn)大尺寸晶圓（直徑300mm）的高精度磁性檢測設備，具有檢測靈敏度高,，測量精度高,，測樣速度快，設備操作高度智能化和自動化的點,，可實現(xiàn)無人值守式工作,，因此在磁隨機存儲器研發(fā)生產(chǎn)單位中廣受歡迎。 

圖3.PKMRAM_300典型測試結(jié)果圖  

    日前,，*套PKMRAM_300正式落戶杭州,，將在新型磁隨機存儲器技術(shù)的研發(fā)及實現(xiàn)量產(chǎn)化的進程中發(fā)揮作用。祝愿此次PKMRAM_300 磁隨機存儲器磁檢測系統(tǒng)的落戶,，能夠幫助科學研究人員在磁隨機存儲技術(shù)域內(nèi)取得更多突破,，在范圍內(nèi)占據(jù)技術(shù)點。