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新代高功率激光浮區(qū)法單晶爐助力哈爾濱工業(yè)大學材料晶體生長實驗及相關研究

時間：2019-10-15閱讀：834

Quantum Design公司近期推出了激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng),，該系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的進設計理念，具有更高功率,、更均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能,，其越的技術性能將助力同行學者和家的晶體生長工作！

浮區(qū)法單晶生長技術因其在晶體生長過程中具有無需坩堝,、樣品腔壓力可控,、生長狀態(tài)便于實時觀察等諸多點，目前已被*為是獲取高質量,、大尺寸單晶的重要手段之,。激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)可廣泛應用于凝聚態(tài)物理,、化學、半導體,、光學等多種學科域相關單晶材料制備,，尤其適合材料（諸如：高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等）,，以及常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作！

跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)相比,，Quantum Design公司推出的新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術勢：

Ø 功率更高,，能量密度更大，加熱效率更高

Ø 采用技術五路激光設計,，確保熔區(qū)能量分布更加均勻

Ø 更加科學的激光光斑化方案,，有助于降低晶體生長過程中的熱應力

Ø 采用了*的實時溫度集成控制系統(tǒng)

新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術參數：

加熱控制	激光束	5束
	激光功率	2KW
	熔區(qū)高溫：	～3000℃*
	測溫范圍	900℃～3500℃
	溫度穩(wěn)定性	+/-1℃
晶體生長控制	大位移距離	150mm*
	晶體生長大直徑	8mm*
	晶體生長大速度/轉速	300 mm/hour;100rpm
	晶體生長監(jiān)控	高清攝像頭
	晶體生長控制	PC控制
其它	占地面積	D140 xW210 x H200 (cm)

具體取決于材料及實驗條件

哈爾濱工業(yè)大學科學工程項建設指揮部暨空間基礎科學研究中心致力于各種高熔點、易揮發(fā)的超導,、磁性,、鐵電、熱電等材料的單晶生長實驗及相關物性研究,，近日,，我司再次同院校哈爾濱工業(yè)大學合作，順完成新代高功率激光浮區(qū)法單晶爐設備采購訂單,，推動單晶生長工作邁向更高的臺階,，我們也將如既往，秉承精益求精的研發(fā),、設計和加工理念,，為用戶提供的技術和服務，助力用戶科研事業(yè)更上層樓!

RIKEN（CEMS）設計的五束激光發(fā)生器原型機實物圖