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高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐助力鎳基超導(dǎo)體高壓超快光譜研究取得新突破

時(shí)間:2025-1-20閱讀:79

由于鎳基超導(dǎo)具有與銅酸鹽類似的d電子結(jié)構(gòu),,表明鎳基超導(dǎo)體具有潛在的高溫超導(dǎo)性,因而受到關(guān)注,。尤其,,近期的研究成果進(jìn)一步支持了這一假設(shè)。中山大學(xué)王猛及其合作者發(fā)現(xiàn)La3Ni2O7單晶在14 GPa及以上的壓力下,,顯示出TC≈80 K的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變,。此后,,諸多實(shí)驗(yàn)也相繼報(bào)道了它在高壓下的超導(dǎo)性能。然而,,其超導(dǎo)機(jī)制尚不清楚,,也存在一些爭議。

 

密度波(DW)序與超導(dǎo)電性之間的強(qiáng)關(guān)聯(lián)相互作用在高溫超導(dǎo)領(lǐng)域一直是被廣泛研究的課題,。在La3Ni2O7中,,在常壓條件下,當(dāng)溫度降低時(shí),,存在兩種DW轉(zhuǎn)變,。在包括共振非彈性X射線散射(RIXS)、μ自旋旋轉(zhuǎn)(μSR)實(shí)驗(yàn),、核磁共振(NMR)等多種實(shí)驗(yàn)中已經(jīng)確定在150 K左右存在類自旋密度波(SDW)躍遷,;而在輸運(yùn)或光導(dǎo)測量中又存在電荷密度波(CDW)躍遷,躍遷溫度在110至130 K之間,。La3Ni2O7中復(fù)雜的DW行為,,被認(rèn)為源于多個(gè)主要由Ni dx2-y2和dz2兩種eg軌道貢獻(xiàn)的費(fèi)米表面之間的散射,而該行為受溫度和壓力的影響顯著,。因此,,深入研究DW有序在壓力下的演化對于揭示這種鎳酸鹽中超導(dǎo)配對機(jī)制至關(guān)重要。


近期,,中國科學(xué)院物理研究所汪信波及其合作者[1],,利用德國ScIDre公司的HKZ型高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐成功制備了La3Ni2O7單晶樣品,并使用超快光學(xué)泵浦探測光譜技術(shù),,深入探究了雙層鎳酸鹽La3Ni2O7單晶在高達(dá)34.2GPa高壓下的準(zhǔn)粒子動(dòng)力學(xué),。在常壓下,弛豫動(dòng)力學(xué)溫度依賴關(guān)系表現(xiàn)出聲子瓶頸效應(yīng),,這是在151K附近的能隙打開造成的,。通過Rothwarf-Taylor模型確定這種類似DW帶隙的能量尺度為66meV。結(jié)合近期的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,,作者認(rèn)為常壓低溫下的這種類似DW轉(zhuǎn)變是自旋密度波(SDW),。這種SDW序在13.3GPa之前隨著壓力的增加被顯著抑制,在26GPa附近消失,。值得注意的是,,在29.4 GPa以上的壓力下,作者觀察到另一種類似DW序的出現(xiàn),,它的轉(zhuǎn)變溫度在大約135K,,這可能跟CDW有關(guān)。作者的研究為高壓下類似DW帶隙的變化提供了實(shí)驗(yàn)證據(jù),,為La3Ni2O7中DW序與超導(dǎo)電性之間的相關(guān)性提供了關(guān)鍵信息,。



圖1:在環(huán)境壓力下泵-探針光譜和提取的參數(shù),。



圖2:20 K時(shí)泵-探針光譜及提取參數(shù)隨壓力的變化關(guān)系,在26 GPa附近DW階消失,。



圖3:基于泵浦-探針光譜測量的La3Ni2O7的溫度-壓力相圖,。

 

       該項(xiàng)研究工作中由德國ScIDre公司的HKZ型高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐成功制備的La3Ni2O7單晶樣品,相關(guān)實(shí)驗(yàn)參數(shù)為:O2氣氛,,壓力15bar,,5KW氙燈。

 

高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐


德國ScIDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐能夠提供高達(dá)3000℃的生長溫度,,樣品腔壓力可達(dá)300bar,,甚至10-5mbar的高真空,。適用于生長各種超導(dǎo)材料單晶,,介電和磁性材料單晶,氧化物及金屬間化合物單晶等,。Quantum Design將ScIDre公司先進(jìn)的高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐,、高壓氧氣氛退火爐等科研設(shè)備引進(jìn)中國,更好的為中國晶體生長領(lǐng)域的發(fā)展提供設(shè)備支持和技術(shù)服務(wù),。


ScIDre單晶爐特點(diǎn)

? 采用垂直式光路設(shè)計(jì)

? 采用高照度氙燈,,多種功率規(guī)格可選

? 采用光闌控制技術(shù),加熱功率從0-100% 可調(diào)

? 熔區(qū)溫度:高達(dá)2000 - 3000℃(具體取決于材料和配置)

? 熔區(qū)氣壓:10bar,、50bar,、100bar、150bar,、200bar,、300bar可選

? 熔區(qū)氣氛:Ar、O2,、N2,、混合氣等可選

? 不同真空環(huán)境可選:10-2 mbar或 10-5 mbar

? 豐富的可升級選件



高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐外觀圖


參考文獻(xiàn):

[1]. Meng, Y., Yang, Y., Sun, H. et al. Density-wave-like gap evolution in La3Ni2O7 under high pressure revealed by ultrafast optical spectroscopy. Nature Communications, volume 15, 10408 (2024).

https://doi.org/10.1038/s41467-024-54518-1



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