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當(dāng)前位置：> 供求商機(jī)> KDKLT-100C型數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀/高頻光電導(dǎo)壽命測(cè)試儀（測(cè)單晶）
所在地：國(guó)產(chǎn)
貨物所在地：北京北京市
更新時(shí)間：2025/2/14 7:12:16
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| 數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀/高頻光電導(dǎo)壽命測(cè)試儀（測(cè)單晶） 型號(hào)：KDKLT-100C | 貨號(hào)：ZH8201 |
| 產(chǎn)品簡(jiǎn)介: τ:1～6000μs ρ＞0.1Ω·cm太陽(yáng)能硅片壽命 配已知壽命樣片、配數(shù)字示波器 為解決太陽(yáng)能單晶、多晶少子壽命測(cè)量,，特按照國(guó)標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測(cè)試儀,。 該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路,、晶體管,、整流器件、核探測(cè)器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年,，積累豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過(guò)數(shù)次十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn),，證明是一種成熟的測(cè)試方法,，適合于硅塊,、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量；也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量,，給出相對(duì)壽命值,。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面,，制樣簡(jiǎn)便。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 1.可測(cè)量太陽(yáng)能多晶硅塊,、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命,。表面拋光，直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量,。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器,、晶體管硅單晶的少子壽命,。 2.可測(cè)量太陽(yáng)能單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命，表面拋光,、鈍化,。 3.配備軟件的數(shù)字示波器,，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,，并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。 4.配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源： a.紅外光源,，光穿透硅晶體深度較深≥500μm,，有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。 b.短波長(zhǎng)紅外脈沖激光器,，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能硅晶體,。 5.測(cè)量范圍寬廣測(cè)試儀可直接測(cè)量： a.研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω?㎝的單晶硅棒,、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命,。 b.拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω?㎝范圍內(nèi)的硅單晶,、鍺單晶拋光片。 壽命可測(cè)范圍：0.25μS—10ms |  |
北京中慧天誠(chéng)科技有限公司 - 主營(yíng)產(chǎn)品： 活性炭裝填密度測(cè)定裝置,活塞式柱狀沉積物采樣器,四探針電阻率 ...
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