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當前位置:> 供求商機> KDKLT-200型數(shù)字式硅晶體載流子復(fù)合壽命測試儀/少子壽命測試儀(鑄造多晶)
所在地:國產(chǎn)
貨物所在地:北京北京市
更新時間:2025/2/14 7:12:16
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數(shù)字式硅晶體載流子復(fù)合壽命測試儀/少子壽命測試儀(鑄造多晶) 型號:KDKLT-200 | 貨號:ZH8204 |
產(chǎn)品簡介: 100C型200型的的zui大區(qū)別只是紅外激光管的功率大了一倍,加了個紅外地光照破除陷進效應(yīng) τ:1~6000μs ρ>0.1Ω·cm太陽能硅片壽命,,配已知壽命樣片、配數(shù)字示波器,, 為解決太陽能單晶,、多晶少子壽命測量,特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀,。 該設(shè)備是按照標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路,、晶體管,、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年,,積累豐富的使用經(jīng)驗,,經(jīng)過數(shù)次十多個單位巡回測試的考驗,,證明是一種成熟的測試方法,適合于硅塊,、硅棒研磨面的少子體壽命測量,;也可對硅片進行測量,給出相對壽命值,。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,,制樣簡便。 產(chǎn)品特點: 1.可測量太陽能多晶硅塊,、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命,。表面拋光,直接對切割面或研磨面進行測量,。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路,、整流器、晶體管硅單晶的少子壽命,。 2.可測量太陽能單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命,,表面拋光、鈍化,。 3.配備軟件的數(shù)字示波器,,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時顯示動態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,,并可聯(lián)用打印機及計算機,。 4.配置兩種波長的紅外光源: a.紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,,有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命,。 b.短波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,,但光強較強,,有利于測量低阻太陽能硅晶體。 5.測量范圍寬廣測試儀可直接測量: a.研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω?㎝的單晶硅棒,、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,,切割片的少子相對壽命。 b.拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω?㎝范圍內(nèi)的硅單晶,、鍺單晶拋光片,。 | ![]() |
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