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北京中慧天誠(chéng)科技有限公司
中級(jí)會(huì)員·16年
射頻CCP薄膜沉積裝置 型號(hào)：ZH5494
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訪問(wèn)次數(shù)：702更新時(shí)間：2024-11-23 07:58:17
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產(chǎn)品介紹
| 射頻CCP薄膜沉積裝置 型號(hào)：ZH5494 | 貨號(hào)：ZH5494 |
| 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 本裝置主要由薄膜沉積室,、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進(jìn)氣調(diào)節(jié)系統(tǒng),、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成,。 通過(guò)本實(shí)驗(yàn)裝置可以掌握CVD（化學(xué)氣相沉積）；理解CVD的成膜過(guò)程及要求,，化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)的原理,，等離子燒結(jié)車(chē)掃描測(cè)溫云臺(tái)體CVD的原理、特點(diǎn)及等離子體的激勵(lì)方式,；了解該在電學(xué),、光學(xué)、微電子學(xué)等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景,。 可開(kāi)設(shè)的實(shí)驗(yàn) 1,、P型微晶硅材料及在薄膜太陽(yáng)能電池上的應(yīng)用； 2,、硅系納米復(fù)合薄膜材料PCVD法制備,； 3,、電容耦合/電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積制備種功能薄膜。 主要參數(shù) 1,、薄膜沉積室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成,；尺寸：Φ220×H230mm； 2,、薄膜沉積室本底真空： ≤1Pa,； 3、射頻耦合方式：電容耦合/電感耦合,；射頻源功率：帶500W 13.56MHz,； 4、氣路系統(tǒng)：表面粗糙度樣板 由三路轉(zhuǎn)子流量計(jì)控制（可選配流量計(jì)）,； 5,、襯底加熱溫度：室溫至300℃可控； 6,、平行板電：Φ70mm,； 7、工作反應(yīng)氣體：由電板上微孔均勻?qū)耄?br /> 8,、真空抽氣系統(tǒng)：2XZ-4型旋片機(jī)械泵,，4L/S，單相220V交流電源供電,； 9,、管道、閥門(mén)：材質(zhì)使用不銹鋼和金屬波紋管,； 10,、對(duì)過(guò)流過(guò)壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警,，并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施,； 11、供電電源：AC220V,，50Hz,，整機(jī)功率2KW。 www.ghitest.com |  |
