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射頻ICP薄膜沉積裝置型號：ZH5495
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訪問次數(shù)：1288更新時間：2024-11-23 07:56:45
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產(chǎn)品介紹
| 射頻ICP薄膜沉積裝置型號：ZH5495 | 貨號：ZH5495 |
| 產(chǎn)品簡介 本裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統(tǒng),、氣源進氣調(diào)節(jié)系統(tǒng),、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成。 通過本實驗裝置可以掌握CVD（化學氣相沉積）；理解CVD的成膜過程及要求,，化學輸運反應的原理,，等離子體CV表面粗糙度樣板D的原理、特點及等離子體的激勵方式,；了解該在電學,、光學、微電子學等領(lǐng)域的廣闊應用前景,。 可開設(shè)的實驗 1,、P型微晶硅材料及在薄膜太陽能電池上的應用； 2,、硅系納米復合薄膜材料PCVD法制備； 3,、電容耦合/電感耦合等離子體化學氣相沉積制備種功能薄膜,。 主要參數(shù) 1、薄膜沉積室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成,；尺寸：Φ220×H230mm,； 2、薄膜沉積室本底真空： ≤1Pa,； 3,、射頻耦合方式：電容耦合/電感耦合,；射頻源功率：帶500W 13.56MHz； 4,、氣路系統(tǒng)：由三路轉(zhuǎn)子流量計控制（可選配流量計）,； 5、襯底加熱溫度：燒結(jié)車掃描測溫云臺室溫至300℃可控,； 6、平行板電：Φ70mm,； 7、工作反應氣體：由電板上微孔均勻?qū)耄?br /> 8,、真空抽氣系統(tǒng)：2XZ-4型旋片機械泵，4L/S，單相220V交流電源供電,； 9、管道,、閥門：材質(zhì)使用不銹鋼和金屬波紋管,； 10、對過流過壓,、斷路等異常情況進行報警，并執(zhí)行相應保護措施,； 11,、供電電源：AC220V,，50Hz,，整機功率2KW,。 www.centrwin.com |  |
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