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中級(jí)會(huì)員·16年您現(xiàn)在的位置： 北京中慧天誠(chéng)科技有限公司>>實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備>>實(shí)驗(yàn)室設(shè)備>> NIBJ-2939半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 型號(hào)：NIBJ-2939
NIBJ-2939半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 型號(hào)：NIBJ-2939
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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)- NIBJ-2939 產(chǎn)品型號(hào)
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訪問(wèn)次數(shù)：2267更新時(shí)間：2024-11-13 16:06:31
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
產(chǎn)品介紹
| 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 型號(hào)：NIBJ-2939 | 貨號(hào)：ZH9813 |
| 產(chǎn)品簡(jiǎn)介: 該儀器充分吸收國(guó)外測(cè)試系統(tǒng)的特點(diǎn)，采用了的嵌入式計(jì)算機(jī)和優(yōu)化結(jié)構(gòu),、16位并行A/D和D/A,、多開(kāi)爾文反饋、小信號(hào)精密測(cè)試以及陣列開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu),，并選用材料制作,。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)、選材,、,、制作、調(diào)試,、校驗(yàn)等諸多方面與現(xiàn)有同類(lèi)系統(tǒng)相比均有較大,，從而提高了系統(tǒng)的性能和性，了該系統(tǒng)項(xiàng)性能指標(biāo)處于,、的地位,。 其特點(diǎn)是：側(cè)重于中小功率器件、測(cè)試品種覆蓋面廣,、測(cè)試精度高,、電參數(shù)測(cè)試、速度快,、有的重復(fù)性和*性,、很高的工作穩(wěn)定性和性，很強(qiáng)的保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件保護(hù)能力。系統(tǒng)軟件功能,、使用靈活方便,、操作簡(jiǎn)單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定,、硬件故障率低,，在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中項(xiàng)指標(biāo)真實(shí)達(dá)到手冊(cè)要求。 系統(tǒng)采用方便易學(xué)的窗口菜單界面,，在PC機(jī)窗口提示下,，輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件，測(cè)試人員即可輕松快捷地控制系統(tǒng),，完成填表編程和開(kāi)發(fā)測(cè)試程序,、測(cè)試器件。操作人員具備計(jì)算機(jī)編程語(yǔ)言知識(shí),，使用簡(jiǎn)捷方便,。3分鐘即可完成一種測(cè)試編程，編寫(xiě)完成后輸入儀器即可測(cè)試,。當(dāng)然還可以在儀器下直接進(jìn)行器件測(cè)試程序及條件的編寫(xiě),，方便靈活。系統(tǒng)和測(cè)試夾具均采用多開(kāi)爾文結(jié)構(gòu),，自動(dòng)補(bǔ)償系統(tǒng)內(nèi)部產(chǎn)生的壓降,，種情況下測(cè)試結(jié)果的精度和準(zhǔn)確性。 優(yōu)良的,、低廉的價(jià)格,、周到的服務(wù)使得該系統(tǒng)在市場(chǎng)具有的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。“的,、低端的價(jià)格,、周到的、*的客戶服務(wù)”是儀美達(dá)產(chǎn)品對(duì)市場(chǎng)和對(duì)客戶的恒承諾,。 特征 采用脈沖法測(cè)試參數(shù),、脈寬可為300μS，國(guó)軍標(biāo)的規(guī)定采用嵌入式計(jì)算機(jī)控制,，實(shí)現(xiàn)脫機(jī)運(yùn)行 16位并行D/A,、A/D設(shè)計(jì)，測(cè)試速度快,、精度高 采用多開(kāi)爾文,，系統(tǒng)穩(wěn)定性高，測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確 采用三保護(hù),，系統(tǒng),，對(duì)被測(cè)器件損傷 豐富的WINDOWS界面菜單編程和控制能力,、方便的用戶信息文件、統(tǒng)計(jì)文件方式 晶體三管自動(dòng)NPN和PNP 判別能力,，防止選錯(cuò)類(lèi)型 二管性自動(dòng)判別選擇,，用戶測(cè)試二管不注意性 自檢/自校準(zhǔn)能力 測(cè)試系統(tǒng)需要的其它多種數(shù)據(jù)后處理能力 參數(shù) 主電壓：200V 主電流：10mA 控制1電壓：20V 控制1電流：10A 控制2電壓：20V 控制2電流：1A 電壓分辨率：1mV 電流分辨率：1nA 測(cè)試速度：器件不同速度也不同 試器件種類(lèi) 測(cè)試功能加，可測(cè)試八類(lèi)中,、小功率的半導(dǎo)體分立器件： 二管 穩(wěn)壓（齊納）二管 晶體管（NPN型/PNP型） 可控硅整流器（普通晶閘管） 雙向可控硅（雙向晶閘管） MOS場(chǎng)效應(yīng)管（N-溝/P-溝） 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（N-溝/P-溝,，耗盡型/增強(qiáng)型） 光電耦合器 上述所列類(lèi)別包括中、小功率半導(dǎo)體分立器件及其組成的陣列,、組合,、表貼器件。 測(cè)試方法行業(yè)總規(guī)范,、相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn),、器件測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。 提供上述類(lèi)器件測(cè)試所用的不同封裝形式的測(cè)試夾具和測(cè)試適配器,。 可以定做種陣列,、組合封裝、表貼器件的測(cè)試夾具,。 幫助用戶開(kāi)發(fā)種器件的測(cè)試程序,。 參數(shù) 漏電參數(shù)：IR,、ICBO,、LCEO/S、IDSS,、IDOFF,、IDGO、ICES,、IGESF,、IEBO、IGSSF,、LGSSR,、IGSS、IR（OPTO） 擊穿參數(shù)： BVCEO BVCES（300μS Pulse above 10mA） BVDSS,、VD,、 BVCBO、VDRM,、VRRM,、VBB BVR、VD+,、VD-,、BVDGO,、BV Z、BVEBO,、BVGSS 增益參數(shù)：hFE,、CTR、gFS 導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT,、VBESAT,、VBEON、 VF,、VON,、VDSON、VDON,、VGSON,、VF（Opto-Diode） 、VGSTH,、VTM,、VSD、IDON,、VSAT,、IDSS、IDON 關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF 觸發(fā)參數(shù)：IGT,、VGT 保持參數(shù)：IH 鎖定參數(shù)：IL 混合參數(shù)：rDSON,、gFS 測(cè)試盒說(shuō)明： 測(cè)試盒共有五種： 1：可測(cè)二管、穩(wěn)壓二管,； 2：可測(cè)封裝為T(mén)O-92,、TO-220等三個(gè)管腳在一個(gè)平面上的三端器件； 3：可測(cè)封裝為T(mén)O-3及封裝為F1,、F2,、F3、F4三端器件,； 4：可測(cè)三個(gè)管腳分三角形排列,，且器件殼體為小圓型的小功率三端器件； 5：可測(cè)DIP4,、DIP6,、DIP8封裝的光電耦合器； 測(cè)試夾具： 測(cè)試夾具有三根夾子線,，與測(cè)試盒1配合使用,，用來(lái)測(cè)試器件形狀，不能使用上述五種測(cè)試盒上的插座,，則使用此三個(gè)夾子線直接夾在器件的管腳上進(jìn)行測(cè)試,。 表貼器件 其它表貼類(lèi)型的器件,，可根據(jù)實(shí)際器件的封裝定做相應(yīng)的測(cè)試盒。 www.centrwin.com |  |
