就像把石頭扔進(jìn)平靜的湖水會(huì)濺出水一樣,，用高速離子轟擊固體表面會(huì)使近表面的原子（或分子）從固體表面逃逸,。這種現(xiàn)象稱為濺射現(xiàn)象。濺射意味著具有足夠高能量的粒子轟擊固體表面以發(fā)射原子,。早期的人們認(rèn)為,，這種現(xiàn)象源于目標(biāo)的局部加熱。然而,，人們發(fā)現(xiàn)濺射和蒸發(fā)有本質(zhì)區(qū)別,，人們逐漸認(rèn)識(shí)到濺射是轟擊粒子與靶粒子之間動(dòng)量傳遞的結(jié)果。小型磁控射頻濺射鍍膜儀磁控濺射利用磁場(chǎng)束縛電子的運(yùn)動(dòng),，提高電子的電離率,。與傳統(tǒng)濺射相比，具有“低溫”和“高速”兩大特點(diǎn),。
磁控射頻濺射鍍膜儀具有小型化,、標(biāo)準(zhǔn)化的特點(diǎn)。磁控管靶有1英寸和2英寸兩種,?？蛻艨筛鶕?jù)電鍍基板的尺寸進(jìn)行選擇；電源為150W直流電源,，可用于金屬濺射鍍膜,。鍍膜儀設(shè)有通風(fēng)接口，可提供保護(hù)氣體,。儀器標(biāo)配先進(jìn)的渦輪分子泵,，極限真空可達(dá)1.0e-5pa。
小型磁控射頻濺射鍍膜儀可用于制備單層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜,、合金薄膜等,。與同類設(shè)備相比，單靶磁控濺射鍍膜儀具有設(shè)計(jì)小型化,、集成度高,、體積小等優(yōu)點(diǎn)，是實(shí)驗(yàn)室制備材料薄膜的理想設(shè)備,。該設(shè)備配備三個(gè)1英寸磁控等離子濺射頭和射頻（RF）等離子電源,，該設(shè)備主要用于制作非導(dǎo)電薄膜，特別是一些氧化膜,。對(duì)于探索新型非導(dǎo)電薄膜,，是廉價(jià)高效的實(shí)驗(yàn)幫手。
小型磁控射頻濺射鍍膜儀主要用于在單晶襯底上制備氧化膜,，因此不需要太高的真空度,。為了更好地排出真空室中的氧氣，建議用5%H2+95%N2對(duì)真空室進(jìn)行清洗2-3次,，可以有效降低真空室中的氧氣含量,。請(qǐng)使用純度大于5N的AR進(jìn)行等離子濺射。即使是5Nar也含有10-100ppm的氧氣和水,。因此,，建議將鋼瓶?jī)?nèi)的惰性氣體通過(guò)凈化系統(tǒng)后引入真空室。
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