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當(dāng)前位置:維特銳(上海)有限公司>>技術(shù)文章>>E+H電導(dǎo)率傳感器CLS15D-B4D1技術(shù)信息
浸入在介質(zhì)中的兩個(gè)電極測(cè)量液體的E+H電導(dǎo)率傳感器CLS15D-B4D1,。交流電壓在介質(zhì)中生成電流,,為電極供電。根據(jù)歐姆定律計(jì)算電阻值或電導(dǎo)值 G (電阻值的倒數(shù)),。與傳感器結(jié)構(gòu)相關(guān)的電極常數(shù) k 確定電導(dǎo)值,,并通過此電導(dǎo)值確定實(shí)際電導(dǎo) κ。
Memosens 技術(shù)對(duì)傳感器中的測(cè)量值進(jìn)行數(shù)字式處理,,并通過非接觸式連接將測(cè)量值傳輸至變送器,,無電氣干擾。優(yōu)點(diǎn)如下:
• 傳感器故障或傳感器和變送器間的連接中斷時(shí),,自動(dòng)發(fā)出錯(cuò)誤信息
• 及時(shí)錯(cuò)誤檢測(cè),,提升了測(cè)量點(diǎn)適用性
Memosens 傳感器內(nèi)置電子部件,用于儲(chǔ)存標(biāo)定參數(shù)和其他附加信息,,例如:總工作小時(shí)數(shù)工況條件下的工作小時(shí)數(shù),。正確連接傳感器后,傳感器參數(shù)自動(dòng)傳輸至變送器中,,用于計(jì)算當(dāng)前測(cè)量值,。電極中儲(chǔ)存標(biāo)定參數(shù),可以在測(cè)量點(diǎn)之外進(jìn)行傳感器標(biāo)定和調(diào)節(jié),。優(yōu)點(diǎn)如下:
• 在優(yōu)化外部條件的測(cè)量實(shí)驗(yàn)室中簡(jiǎn)單標(biāo)定,,提升標(biāo)定質(zhì)量。
• 可以快速,、簡(jiǎn)便地更換預(yù)標(biāo)定傳感器,,極大地提升測(cè)量點(diǎn)的適用性。
• 基于所有儲(chǔ)存的傳感器負(fù)荷參數(shù)和標(biāo)定參數(shù)可以確定維護(hù)時(shí)間間隔,。
• 傳感器歷史可以儲(chǔ)存在外部數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器中,,可在任何時(shí)間進(jìn)行評(píng)估。因此,,可以基于先前歷史確認(rèn)傳感器的當(dāng)前應(yīng)用,。
優(yōu)勢(shì)
適用于低電導(dǎo)率量程范圍
測(cè)量表面經(jīng)過拋光處理,易清洗
耐受蒸汽消毒和高壓滅菌工藝
質(zhì)量證書中記錄有精準(zhǔn)電極常數(shù)
記錄保存?zhèn)鞲衅鲄?shù),,輕松溯源,,支持預(yù)維護(hù)
采用非接觸式感應(yīng)信號(hào)傳輸方式,具有高過程安全性
便捷維護(hù)策略,使用Memobase Plus輕松執(zhí)行傳感器標(biāo)定和管理
通過非接觸式連接進(jìn)行感應(yīng)式測(cè)量值傳輸,, Memosens 確保了*高過程安全性,,具有下列優(yōu)點(diǎn):
• 消除了所有濕氣導(dǎo)致的測(cè)量問題。
– 接頭連接免腐蝕,。
– 不會(huì)因?yàn)闈駳鈱?dǎo)致測(cè)量值偏差,。
– 接頭系統(tǒng)可以在水下連接。
• 變送器與介質(zhì)電氣隔離,。
• 數(shù)字式測(cè)量值傳輸?shù)钠帘未胧┐_保了電磁兼容安全性(EMC),。
測(cè)量誤差: 每個(gè)傳感器在工廠中均精確測(cè)定,溶液約為 5 μS/cm 適用于電極常數(shù) 0.01 cm-1,,或約為50 μS/cm 適用于電極常數(shù) 0.1 cm-1,,采用符合 NIST 或 PTB 溯源認(rèn)證的參比系統(tǒng)。包裝中的質(zhì)量證書上標(biāo)識(shí)有精確電極常數(shù)值,。確定電極常數(shù)的測(cè)量誤差為 1.0 %,。
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