紅外探傷測(cè)試儀 - 主要原理：在特定光源和紅外探測(cè)器的協(xié)助下,，SY.29-NIR型紅外探傷測(cè)試儀能夠穿透200mm深度的硅塊,，純硅料幾乎不吸收這個(gè)波段的波長(zhǎng),，但是如果硅塊里面有微粒,、夾雜（通常為SiC）、隱裂,，則這些雜質(zhì)將吸收紅外光,，因此在成像系統(tǒng)中將呈現(xiàn)出來(lái)，而且這些圖像將通過(guò)我們的軟件自動(dòng)生成三維模型圖像,。

SY.29-NIR型多晶硅紅外探傷測(cè)試儀主要由紅外光源,，旋轉(zhuǎn)臺(tái)，成像系統(tǒng)構(gòu)成,。成像系統(tǒng)的參數(shù)設(shè)置包括光照亮度,，對(duì)比度，伽馬射線和一體化的時(shí)間設(shè)置,，獲取模式選擇和損壞像素管理,。旋轉(zhuǎn)臺(tái)由單軸伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)，同時(shí)擁有光電編碼器的位置檢查的功能,。軟件也可以直接控制伺服電機(jī),。

通常都是在硅塊清洗處理后線切割前進(jìn)行紅外探傷，在線切割前進(jìn)行紅外探傷不僅可以減少線痕片,，而且可以減少SiC斷線,，大大提高效益，這些夾雜都可以清晰地反映在我們的紅外探傷系統(tǒng)中,。斷線的修復(fù)是一個(gè)費(fèi)時(shí)費(fèi)力的工作,，同時(shí)不是所有的斷線都能夠成功。因此它是多晶硅片生產(chǎn)中*的工具,。



紅外探傷測(cè)試儀 - 產(chǎn)品特點(diǎn)

■ 為太陽(yáng)能多晶硅片過(guò)程中的質(zhì)量控制提供了強(qiáng)大的監(jiān)測(cè)工具
■ 檢測(cè)速度快,，平均每個(gè)硅塊檢測(cè)時(shí)間為不超過(guò)1分鐘
■ NIRVision軟件能夠分析4面探傷結(jié)果,，并且直接將結(jié)果轉(zhuǎn)換成三維模型圖像
■ 成像過(guò)程將自動(dòng)標(biāo)出夾雜的位置所在
■ *的加強(qiáng)型內(nèi)插法為高分辨率的雜質(zhì)探傷功能提供了強(qiáng)大的技術(shù)保障
■ 采用歐洲數(shù)控工程鋁合金材料
■ 表面都采用了高強(qiáng)度漆面和電氧化工藝保護(hù)
■ 系統(tǒng)外框采用高質(zhì)量工業(yè)設(shè)計(jì)
■ 所有的部件的設(shè)計(jì)都達(dá)到了*高強(qiáng)度使用及zui小維護(hù)量的要求
■ 能夠通過(guò)自動(dòng)或手動(dòng)旋轉(zhuǎn)對(duì)硅塊的前后左右四面和上下兩面進(jìn)行全面探傷。
■ 紅外光源通過(guò)交直流光源進(jìn)行控制,，光強(qiáng)可以通過(guò)軟件直接控制,，同時(shí)它具有過(guò)熱保護(hù)功能
■ 同時(shí)軟件包含了雜質(zhì)圖像的管理分析功能
■ 穩(wěn)定性和耐用性俱佳。
■ 探傷測(cè)試面進(jìn)行拋光處理,，因此我們*在線切割之前進(jìn)行紅外探傷
■ 紅外成像光源受電阻率影響,，硅塊電阻率越低，則對(duì)紅外光的吸收越多
■ 一般電阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我們*的電阻率在0.8Ohm*Cm以上







紅外探傷測(cè)試儀 - 技術(shù)指標(biāo)

■ 主要探測(cè)指標(biāo)：夾雜（通常為SiC）,，隱裂,，微粒等
■ 硅塊電阻率：≥0.8Ohm*Cm（*）
■ 檢測(cè)時(shí)間：平均每個(gè)硅塊1分鐘
■ zui大探測(cè)深度：200mm
■ 外框和箱體
> 尺寸：143x53x55
> 外框采用數(shù)控工程鋁合金
> 外框是覆蓋靜電強(qiáng)力漆鋁面板
> 主機(jī)重量：98 kg
> 附件重量：25 kg
■ 旋轉(zhuǎn)臺(tái)
> 采用單軸伺服電機(jī)
> zui大承載量:40kg
> 具有過(guò)流保護(hù)以防止損傷和電機(jī)燒毀
> 無(wú)步進(jìn)損失，高分辨率解碼機(jī)器
■ 紅外光源
> 高強(qiáng)度NIR鹵燈,，273mm加熱波長(zhǎng)
> 功率：230V, 1000W
> 溫度：25-60攝氏度
> 光強(qiáng)可通過(guò)軟件控制
> 軟件具有過(guò)熱保護(hù)
■ 觀測(cè)儀
> 采用紅外CCD控溫
> 12位ADC
> 頻率：60Hz和100Hz兩個(gè)選擇
> 像素間距: 30μm
> 分辨率：: 320x256 像素
> 可手動(dòng)調(diào)節(jié)紅外鏡頭