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《文章投稿》非金屬硫摻雜氫氧化銦納米立方體用于選擇性光催化還原......
閱讀：68 發(fā)布時間：2025-5-28《文章投稿》非金屬硫摻雜氫氧化銦納米立方體用于選擇性光催化還原CO2合成CH4：一種“一石三鳥"的策略
1. 文章信息
標題： Non-metal sulfur doping of indium hydroxide nanocube for selectively photocatalytic reduction of CO2 to CH4: A “One stone three birds" strategy
中文標題：非金屬硫摻雜氫氧化銦納米立方體用于選擇性光催化還原CO2合成CH4：一種“一石三鳥"的策略
頁碼：2401990
DOI：10.1002/advs.202401990
2. 文章鏈接
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/advs.202401990
3. 期刊信息
期刊名：Advanced Science
ISSN：2198-3844
2023年影響因子：14.3
分區(qū)信息： JCR分區(qū)：Q1
涉及研究方向：工程技術
4. 作者信息：第一作者是管勤輝,。通訊作者為顏廷江,。
5. 正文中標記產(chǎn)品所在位置截圖
6. 支撐材料中標記產(chǎn)品所在位置截圖
7. 文章簡介：
氫氧化銦（In(OH)3）是一種重要的寬帶隙半導體光催化劑，其憑借較強的氧化還原能力表面性質等特點,，近年來在光催化應用方面受到廣泛關注,。然而，In(OH)3較寬的帶隙（5.12 eV）使得其光吸收和光生載流子分離效率低下，這嚴重限制了其光催化效率,，影響了其在光催化CO2還原方面的深度應用,。文獻調研發(fā)現(xiàn)，通過S2-部分取代HO-可以顯著縮小In(OH)3的帶隙,，從而改善其在可見光驅動下光催化水分解和丙酮分解的過程,。此外，許多研究表明,，材料中硫位點的引入能夠通過增強H2O的解離和質子的動態(tài)過程遷移,，從而促進催化CO2還原過程中關鍵中間單體*CHO和*CH3O的產(chǎn)生。
鑒于此,，曲阜師范大學顏廷江教授團隊,，利用硫摻雜所帶來的一系列潛在的優(yōu)點，通過一步水熱法制備了系列硫/銦原子摻雜比的In(OH)3納米立方體（簡稱為In(OH)xSy-z）,。光催化測試結果發(fā)現(xiàn),，通過優(yōu)化硫/銦原子摻雜比所得到的In(OH)xSy-1.0樣品，其在UV-vis光照的無任何犧牲劑的液相反應條件下,，對CH4的產(chǎn)率為2.75 mol gcat-1 h-1,，對CH4的選擇性達到80.75%，經(jīng)過五次循環(huán)反應后其活性仍能保持相對穩(wěn)定,。本文結合一系列實驗表征測試與理論計算結果證明,，非金屬硫原子通過摻雜取代部分羥基，顯著提升了In(OH)xSy-z樣品的光吸收能力,，改善了其表面親水性能,，促進了反應過程中H2O的解離、質子產(chǎn)生與轉移以及形成CHx*中間體的反應動力學過程,，從而通過這種“一石三鳥"的作用顯著提升了In(OH)xSy-z樣品光催化CO2甲烷化（CO2-to-CH4）的性能,。
相關研究成果以“Non-metal sulfur doping of indium hydroxide nanocube for selectively photocatalytic reduction of CO2 to CH4: A “One stone three birds" strategy"為題發(fā)表在《Advanced Science》期刊，顏廷江教授為該論文的通訊作者,。
1,、
圖1 In(OH)xSy-z樣品的物相及形貌表征
本文采用一步水熱法制備系列不同硫/銦原子比摻雜的In(OH)xSy-z樣品。XRD（圖1a-b）中衍射峰的偏移可以看出摻雜硫的成功引入,。TEM,、HRTEM以及mapping（圖1c-j）可以看出合成樣品呈納米立方體狀，其中硫元素均勻摻雜在立方體,。
圖2 In(OH)xSy-z樣品的電子結構表征
通過Raman（圖2a）可以看出,，隨著雜原子硫的引入，In(OH)3內部結構中部分In-O鍵的消失以及S-In鍵的形成,。XPS（圖2b-d）測試表明,，由于電負性的差異,，S2-的引入打破了破壞了對稱的OH-In-OH活性中心，形成了新的非對稱的S-In-OH電子富集活性位點（圖2e）,，進而促進樣品對反應分子的潛在吸附和活化能力,。
圖3 In(OH)xSy-z樣品的結構表征
同步輻射結果顯示，In(OH)xSy-1.0樣品中的In物種譜線與In(OH)3樣品相比,，前者譜線位置較后者整體往低結合能處移動（圖3a-b）,。通過擬合分析可知（圖3c-3h），In(OH)xSy-1.0樣品中表現(xiàn)出S-In鍵的特征吸收峰,，這進一步證明了摻雜硫的成功引入,。
圖4 In(OH)xSy-z樣品的光學性質及表面功函情況
通過紫外可見漫反射光譜（圖4a-b）可知，得益于S的2p軌道對In(OH)xSy-z樣品價帶位置的有效調控,，摻雜硫的引入極大地提高了In(OH)xSy-z樣品對太陽光光譜的利用率,。通過理論計算分析可知，相較于In(OH)3,，In(OH)xSy-1.0樣品的表面功函數(shù)更低（圖4c-d）,，這意味著后者表面的電子更易受到光的激發(fā)。
圖5 In(OH)xSy-z樣品的光催化CO2加水還原活性和穩(wěn)定性
在液相條件下測試了In(OH)xSy-z樣品的光催化CO2加水還原性能,，發(fā)現(xiàn)隨著摻雜硫的引入，In(OH)xSy-z樣品對CH4的產(chǎn)率呈現(xiàn)出火山狀的變化趨勢（圖5a）,，其中In(OH)xSy-1.0樣品表現(xiàn)出最高的CH4產(chǎn)率以及較好的實際CH4選擇性（圖5b）,。在經(jīng)過五次循環(huán)實驗后，In(O®H)xSy-1.0樣品仍表現(xiàn)出較好的CH4產(chǎn)率以及選擇性（圖5c）,。系列對照試驗證明了In(OH)xSy-1.0樣品參與的是光催化CO2加水還原反應（圖5d）,。
圖6 In(OH)xSy-z樣品的動力學電荷分離性質
為了探究In(OH)xSy-1.0樣品光催化CO2加水還原產(chǎn)CH4性能增強的原因，對其動力學電荷分離性質進行了表征,。光電流,、電化學阻抗以及瞬態(tài)吸收光譜測試均表明（圖6），由于摻雜硫對帶隙的優(yōu)化,，In(OH)xSy-1.0樣品表現(xiàn)出更好的載流子分離和遷移性能,。除了動力學電荷分離性質，In(OH)xSy-z樣品優(yōu)異的光催化性能也受其新引入的表面硫活性位點的影響,。
圖7 In(OH)xSy-1.0樣品對水分子的吸附與活化性能
首先,，表面硫位點的引入，有效地增強了In(OH)xSy-1.0對水分子的吸附與活化能力（圖7a-b）,。結合理論計算及原位紅外測試分析可知,，In(OH)xSy-1.0樣品中存在的表面硫位點通過與水分子有效結合形成S-H鍵，降低了水的解離能,，促進了光催化還原反應過程中H2O的解離以及質子（H+）的產(chǎn)生和轉移過程,，強化了CO2的多質子甲烷化還原過程（圖7c-g）,。
圖8 In(OH)xSy-z樣品對CO2的吸附與活化性能
此外，表面硫位點的引入,，還有效地增強了In(OH)xSy-1.0樣品對CO2分子的吸附與活化能力,。相比于In(OH)3樣品，CO2分子更易在In(OH)xSy-1.0樣品表面活化生成CO2甲烷化的關鍵中間物種*CH3O（圖8a-b）,。不僅如此,，由于摻雜硫對In(OH)xSy-1.0樣品價帶位置的調控，這降低了其價帶對水的氧化能力,，促進了In(OH)xSy-1.0樣品對水氧化生成質子的過程,，抑制了水氧化生成羥基自由基（•OH）的過程（圖8c-d），從而避免了羥基自由基對關鍵中間物種*CH3O的潛在氧化過程,，繼而實現(xiàn)了CO2甲烷化過程的持續(xù)進行,。
圖9 In(OH)xSy-z樣品的光催化CO2加水還原產(chǎn)CH4的反應動力學能
為了證實這些實驗觀察結果，進一步了通過構建系列理論模型深入研究了摻雜硫原子對CO2還原過程的影響,。結果發(fā)現(xiàn)（圖9）,，相比于在In(OH)3表面，CO2分子在In(OH)xSy-1.0表面上向CH4轉化所需要克服的熱力學能壘在整體上更低,，這意味著CO2更易在在In(OH)xSy-1.0表面上發(fā)生CO2甲烷化過程,。
原文鏈接： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/advs.202401990
Qinhui Guan, Weiguang Ran, Dapeng Zhang, Wenjuan Li, Na Li, Baibiao Huang, Tingjiang Yan*, Advanced Science, 2024, 2401990, DOI: 10.1002/advs.202401990