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當前位置:> 供求商機> KC-2-可控硅測試儀 可控硅測試儀
貨物所在地:廣東深圳市
更新時間:2024-12-17 10:08:09
有效期:2024年12月17日 -- 2025年6月18日
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KC-2型可控硅測試儀簡介
一,、概述
KC-2型可控硅測試儀(又名:全系列塑封可控硅,、可控硅光耦測試儀),是2005年研究設(shè)計成功的
一種新穎的數(shù)字顯示式多功能半自動可控硅和可控硅光電耦合器參數(shù)測試裝置,。
?。薄⑺梢詼y量小至TO-92封裝大至TO-3P封裝的各種電流等級的塑封單,、雙向可控硅(晶閘管),。
2,、專門設(shè)計了0-1O00uA的觸發(fā)電流量程,,可以直接測量MCR100-6等微安級觸發(fā)電流的可控硅,。
3,、可以測量DIP-6,、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控
硅輸出的光電耦合器。
?。?、可以測量200A以下的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊,。
?。怠y試觸發(fā)電流和觸發(fā)電壓時無需人工調(diào)節(jié),,可控硅插入測試座后儀器會自動的調(diào)節(jié)至觸發(fā)值,,并穩(wěn)
定的顯示觸發(fā)電流 IGT / 觸發(fā)電壓 VGT。
?。?、測試可控硅耐壓參數(shù)時只需一次性調(diào)節(jié)好zui高輸出電壓值,以后每測一個管子只要按下高壓按鈕即
可顯示該可控硅的耐壓值,。
該儀器主要用于可控硅使用廠家對可控硅元件的質(zhì)量檢驗,、參數(shù)的配對、可控硅設(shè)備的維修之用,。儀器
還可以廣泛的應(yīng)用于對多種電子元器件的高低壓耐壓的測試,。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定,、測量準確,、使用安
全方便。
二,、主要技術(shù)性能
1,、可控硅觸發(fā)電流IGT 測量范圍: 6—1000uA ,0—10.00mA, 0—100.0mA 精度:≤3 % ,。
2、可控硅觸發(fā)電壓VGT測量范圍: 0—5V,, 精度:≤5 % ,。
3、可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電流IFT測量范圍:0—10.00mA, 0—100.0mA 精度:≤3 % ,。
4,、可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電壓VFT測量范圍:0—3V 精度:≤5 % 。
5,、可控硅和可控硅光耦輸出端,,正反向不重復峰值電壓VDSM/VRSM測量范圍: 0—2KV精度:≤3 % ,。
6、可控硅和可控硅光耦輸出端,,正反向重復峰值電壓VDRM/VRRM測量范圍: 0—1.6KV精度:≤5 % ,。
三、主要測試功能
1,、全系列單雙向塑封可控硅觸發(fā)電流IGT,、觸發(fā)電壓VGT的測試,正反向不重復峰值電壓VDSM / VRSM
的測試,,正反向重復峰值電壓VDRM / VRRM的測試,。
2、DIP-6,、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的
光電耦合器輸入LED端IFT / VFT的測試,,輸出端可控硅正反向不重復峰值電壓VDSM / VRSM的測試,正反向
重復峰值電壓VDRM / VRRM的測試,。
3,、電流在200A以內(nèi),VDSM / VRSM在2KV以內(nèi),,觸發(fā)電流在120mA以內(nèi)的螺銓型單,、雙向可控硅和可控硅
組合模塊的觸發(fā)電壓IGT、觸發(fā)電流VGT的測試,,正反向不重復峰值電壓VDSM / VRSM的測試,,正反向重復峰
值電壓VDRM / VRRM的測試。
4,、2KV以內(nèi)的各類二極管,、三極管、達林頓管,、整流橋,、MOS場效應(yīng)管、IGBT及各種模塊的耐壓測試,。
5,、2KV以內(nèi)的壓敏電阻、穩(wěn)壓管,、雙向觸發(fā)二極管等電壓值的測試,。
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