產(chǎn)品名稱：全自動(dòng)晶圓成像電阻率測試儀

一,、產(chǎn)品概述

儀器采用了*電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì),、裝配。具有功能選擇直觀,、測量取數(shù)快,、精度高、測量范圍寬,、穩(wěn)定性好,、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn),。

二,、儀器構(gòu)成：

1、 高精度電阻率測試儀

3,、 測試探頭

高精度電阻率測量儀：

1.1電阻率：0.00001～20000Ω.cm (可擴(kuò)展)

1.3電阻：0.00001～20000Ω.cm,；

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度：±0.1% ；

3,、恒流源：

3.2電流誤差：±0.5%

三坐標(biāo)測試移動(dòng)品臺(tái)：

2,、X軸Y軸*小位移量：0.125MM

四探針測試電極：

上位機(jī)軟件測量成像系統(tǒng)

2、 測量點(diǎn)數(shù)：可以設(shè)定

4,、 2D成像：測試完成后,，可以立體成像

——按照IEC60405的要求進(jìn)行降雨和噴鹽霧。——將絕緣子放置距5000W盜弧燈約48cm以內(nèi)就可達(dá)到模擬太陽輻射,。注：為了引用方便,，各條款號(hào)與本標(biāo)準(zhǔn)正文相同,。相同設(shè)計(jì),、材料和工藝情況下,，只進(jìn)行一次,。依次在至少800mm長的3只試品上進(jìn)行,。-陡波前沖擊電壓：兩個(gè)電極間的距離為500mm；

無擊穿,，依次在至少800mm長的6只試品上進(jìn)行,。沒有破壞,、沒有*抽出,。2只試品,，爬電距離在484mm至693mm之間,。電壓：1kV每34.6mm的爬電距離，不超過3次過流中斷,，沒有起痕，沒有擊穿,，沒有蝕損至芯棒。注：對(duì)在惡劣的環(huán)境條件下使用的絕緣子,，由用戶和制造廠協(xié)議可采用兩種供選擇的試驗(yàn)程序。10只試品,，6只試品,，無擊穿,，無閃絡(luò),，5只試樣,，依次在絕緣距離不小于800mm的4只試品上進(jìn)行。注：本項(xiàng)試驗(yàn)進(jìn)行與否,，以及試驗(yàn)電壓和接受的干水平，由相關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)或供需雙方協(xié)議規(guī)定,。無破壞,，無裂紋或裂紋未達(dá)到芯棒。陡波前沖擊電壓,兩電極間相隔500mm,正負(fù)極性各25次外部閃絡(luò),。在下表D.1中綜合給出所有試驗(yàn)及其次序和試品數(shù)量,。

表E.1給出了本標(biāo)準(zhǔn)與IEC1992技術(shù)性差異及其原因的一覽表。5.1.4.2陡度由“不小于1000kV/橢”修改為'陡度不小于1000kV/Ms但上限不超過5,。陡度應(yīng)該有范圍,，以便調(diào)整波形；對(duì)于整只正常生產(chǎn)的產(chǎn)品的爬電比距大于20mm/kV時(shí),，試驗(yàn)電壓應(yīng)經(jīng)供需雙方協(xié)議確定

半導(dǎo)體硅片電阻率成像測定儀

半導(dǎo)體硅片電阻率成像測定儀