碳化硅單晶材料的制備及缺陷分析

以硅（Si）,、砷化鎵（GaAs）為代表的代和第二代半導(dǎo)體材料的高速發(fā)展,，推動(dòng)了微電子,、光電子技術(shù)的迅猛發(fā)展。然而受材料性能所限,，這些半導(dǎo)體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環(huán)境中工作,，不能滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻,、高壓以及抗輻射器件的要求,。作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料的代表，碳化硅（SiC）單晶材料具有禁帶寬度大,、熱導(dǎo)率高,、電子飽和遷移速率高和擊穿電場(chǎng)高等性質(zhì)。SiC器件在高溫,、高壓,、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天,、軍工,、核能等環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢(shì),，彌補(bǔ)了傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料器件在實(shí)際應(yīng)用中的缺陷，正逐漸成為功率半導(dǎo)體的主流,。

半導(dǎo)體碳化硅單晶的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)

SiC晶體結(jié)構(gòu)具有同質(zhì)多型的特點(diǎn),，其基本結(jié)構(gòu)是Si-C四面體結(jié)構(gòu)，它是由四個(gè)Si原子形成的四面體包圍一個(gè)碳原子組成,，按相同的方式一個(gè)Si原子也被四個(gè)碳原子的四面體包圍,，屬于密堆積結(jié)構(gòu)。SiC多型晶體的晶格常數(shù)a可以看作常數(shù),，而晶格常數(shù)c不同,，并由此構(gòu)成了數(shù)目很多的SiC同質(zhì)多型體。若把這些多型體看作是由六方密堆積的Si層組成,，緊靠著Si原子有一層碳原子存在,，在密排面上Si-C雙原子層有三種不同的堆垛位置，稱為A,、B和C,。由于Si-C雙原子層的堆垛順序不同，就會(huì)形成不同結(jié)構(gòu)的SiC晶體,。ABC…堆積形成3C-SiC結(jié)構(gòu),，ABAC…堆積形成4H-SiC結(jié)構(gòu)，ABCACB…堆積形成6H-SiC結(jié)構(gòu),。這些晶型屬于三種基本的結(jié)晶學(xué)類型：立方（C）,、六方（H）和菱形（R），目前已被證實(shí)的SiC多形體已超過(guò)200種,，其中較為常見(jiàn)的有3C,、4H、6H和15R等,。

這些多型的SiC晶體雖然具有相同的化學(xué)成分,，但是它們的物理性質(zhì)，尤其是帶隙,、載流子遷移率,、擊穿電壓等半導(dǎo)體特性有很大的差別。目前,，4H-SiC應(yīng)用廣,，廣泛應(yīng)用于電力電子器件和微波功率器件。

碳化硅單晶的制備方法

通常半導(dǎo)體材料的晶錠生長(zhǎng)是采用元素半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體熔融液中的直拉單晶法或籽晶凝固法,。然而由于熱動(dòng)力學(xué)原因,，固態(tài)SiC只有在壓強(qiáng)超過(guò)1×10⁵atm、溫度超過(guò)3200℃時(shí)才會(huì)熔化,。目前,，晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)室及工廠所擁有的技術(shù)手段還無(wú)法達(dá)到這樣的要求,。迄今為止，物理氣相傳輸法（PVT）是生長(zhǎng)大尺寸,、高質(zhì)量SiC單晶的方法,，也稱為改良的Lely法或籽晶升華法，這種方法占據(jù)了SiC圓晶供應(yīng)量的90%以上,。此外,，高溫化學(xué)氣相沉積法（HTCVD）也可以用來(lái)制備SiC單晶。

物理氣相傳輸法

PVT法生長(zhǎng)SiC單晶一般采用感應(yīng)加熱方式,，在真空下或惰性氣體氣氛保護(hù)的石墨坩堝中,，以高純SiC粉為原料，在一定的溫度和壓力下,，固態(tài)SiC粉在高溫下發(fā)生分解升華,，生成具有一定結(jié)構(gòu)形態(tài)的氣相組分SimCn，由于石墨坩堝反應(yīng)腔軸向存在著溫度梯度,，氣相組分SimCn從溫度相對(duì)較高的生長(zhǎng)原料區(qū)向溫度相對(duì)較低的生長(zhǎng)界面（晶體/氣相界面）運(yùn)動(dòng),，并在SiC籽晶上沉積與結(jié)晶。如果這個(gè)過(guò)程持續(xù)一定時(shí)間,，生長(zhǎng)界面將穩(wěn)定地向原料區(qū)推移,，終生成SiC晶體。

PVT法采用SiC籽晶控制所生長(zhǎng)晶體的構(gòu)型,，克服了Lely 法自發(fā)成核生長(zhǎng)的缺點(diǎn),，可得到單一構(gòu)型的SiC 單晶，生長(zhǎng)出較大尺寸的SiC 單晶,，生長(zhǎng)壓力在一個(gè)大氣壓（1atm）以內(nèi),，生長(zhǎng)溫度在2000℃-2500℃之間，遠(yuǎn)低于熔體生長(zhǎng)所需的壓力和溫度,。PVT法生長(zhǎng)SiC晶體需要建立一個(gè)合適的溫場(chǎng),，從而確保從高溫到低溫形成穩(wěn)定的氣相SiC輸運(yùn)流,，并確保氣相SiC能夠在籽晶上成核生長(zhǎng),。然而，在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中涉及到多個(gè)生長(zhǎng)參數(shù)的動(dòng)態(tài)控制問(wèn)題,，而這些工藝參數(shù)之間又是相互制約的,，因此該方法生長(zhǎng)SiC單晶的過(guò)程難于控制。此外,，生長(zhǎng)過(guò)程中SiC粉料不斷碳化也會(huì)對(duì)氣相組成以及生長(zhǎng)過(guò)飽和度造成一定的影響,。諸多因素使得目前上只有少數(shù)幾個(gè)機(jī)構(gòu)掌握了PVT法生長(zhǎng)SiC單晶的關(guān)鍵技術(shù)。

高溫化學(xué)氣相沉積法

HTCVD法制備SiC晶體一般利用感應(yīng)射頻或石墨托盤電阻加熱使反應(yīng)室保持所需要的反應(yīng)溫度,，反應(yīng)氣體SiH4和C2H4由H2或He載帶通入反應(yīng)器中,，在高溫下發(fā)生分解生成SiC并附著在襯底材料表面,，SiC晶體沿著材料表面不斷生長(zhǎng)，反應(yīng)中產(chǎn)生的殘余氣體由反應(yīng)器上的排氣孔排除,。通過(guò)控制反應(yīng)器容積的大小,、反應(yīng)溫度、壓力和氣體的組分等,，得到準(zhǔn)確的工藝條件,。

該方法已經(jīng)被用于在晶體生長(zhǎng)工藝中獲得高質(zhì)量外延材料，瑞典的Okmetic公司于20世紀(jì)90年代開(kāi)始研究此技術(shù),，并且在歐洲申請(qǐng)了該技術(shù),。這種方法可以生長(zhǎng)高純度、大尺寸的SiC晶體,，并有效的減少晶體中的缺陷,。但如何阻止SiC在生長(zhǎng)系統(tǒng)中的沉積也是該方法所面臨的主要問(wèn)題。

碳化硅單晶的主要缺陷

提高SiC晶體質(zhì)量,，就意味著必須降低晶體中的缺陷,， PVT法生長(zhǎng)SiC單晶需要控制的工藝參數(shù)較多，并且這些參數(shù)在生長(zhǎng)過(guò)程中不斷發(fā)生變化,，所以對(duì)晶體中的缺陷控制比較困難,。SiC單晶的缺陷主要包括微管、多型,、位錯(cuò),、層錯(cuò)和小角晶界等。由于SiC晶體中一種缺陷的存在往往會(huì)誘發(fā)其它缺陷產(chǎn)生,，因此,，對(duì)這些缺陷進(jìn)行研究并且在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中對(duì)其進(jìn)行有效的控制，對(duì)于提高SiC晶體質(zhì)量是非常重要的,。

微管

微管缺陷嚴(yán)重阻礙了多種SiC器件的商業(yè)化,，被稱為SiC器件的“殺手型”缺陷。大多數(shù)關(guān)于微管缺陷形成機(jī)制的討論都是基于微管與大伯格斯矢量超螺形位錯(cuò)相結(jié)合的Frank理論,。生長(zhǎng)過(guò)程中,，沿超螺旋位錯(cuò)核心方向的高應(yīng)變能密度會(huì)導(dǎo)致該處優(yōu)先升華，因此微管缺陷具有空心的特征,。微管缺陷的產(chǎn)生往往會(huì)伴隨其它過(guò)程的出現(xiàn),，如微管道分解、遷移,、轉(zhuǎn)變和重新結(jié)合等,，并且隨著晶體直徑的增加，控制所有生長(zhǎng)參數(shù)達(dá)到所需的精度越來(lái)越困難,，微管缺陷的密度也會(huì)隨之增加,。

盡管微管的形成具有不同的理論和技術(shù)方面的原因,，通過(guò)對(duì)生長(zhǎng)工藝的改進(jìn)，過(guò)去幾年里SiC單晶的微管密度仍然在持續(xù)下降,。2000年,，Müller等介紹了Cree公司制備出的直徑為25mm的無(wú)微管缺陷4H-SiC晶片，直徑為50mm的4H-SiC晶片的微管密度僅為1.1cm-1,，這種質(zhì)量的材料已經(jīng)被證明非常適合制造大面積功率器件,。2009年Gupta等發(fā)表文章稱，美國(guó)Ⅱ-Ⅵ公司制備出直徑為106.4mm的半絕緣6H-SiC晶錠,，其晶片微管密度在2～8cm-2范圍內(nèi),。2009年Schmitt等介紹了德國(guó)SiCrystal公司在提高3inch 4H-SiC晶片結(jié)晶質(zhì)量上取得的進(jìn)展，其晶片微管密度小于0.1cm-2,。2009年,，Leonard等報(bào)道了Cree公司出品的經(jīng)KOH腐蝕的無(wú)微管100mm 4H-SiC晶片。2009年,，Gao等人采用升華法在面為籽晶的6H-SiC單晶中得到了無(wú)微管的高質(zhì)量單晶區(qū),。目前山東天岳生產(chǎn)的4英寸4H-SiC晶片，其微管密度為0.3cm-2,。近來(lái),，隨著技術(shù)的進(jìn)步，減少甚至*消除這類缺陷已成為可能,。

多型

確保單一晶型對(duì)于SiC單晶襯底是非常重要的,，晶型的轉(zhuǎn)變不但會(huì)嚴(yán)重破壞SiC晶體的結(jié)晶完整性、改變材料的電學(xué)特性,，還為微管缺陷提供了成核點(diǎn),，并延伸至晶錠的其余部分。不同SiC晶型之間的本質(zhì)區(qū)別就在于<0001>晶向上Si-C雙原子層的堆垛順序發(fā)生了改變,。當(dāng)堆垛次序保持不變時(shí),，SiC晶體的晶型就不會(huì)改變。當(dāng)晶體生長(zhǎng)是通過(guò)SiC生長(zhǎng)表面上臺(tái)階的繁殖進(jìn)行時(shí),，相對(duì)容易保持單一類型,。然而，SiC生長(zhǎng)過(guò)程中有一個(gè)臺(tái)階聚集的傾向,，這就會(huì)形成大的臺(tái)面,，臺(tái)階邊緣數(shù)量的減少,，會(huì)使得到達(dá)的Si和C原子可能無(wú)法擴(kuò)散到臺(tái)階邊緣,，而在臺(tái)面中心形成新的晶核，這些新晶核可能具有與底層材料不同的雙層堆垛次序,，從而導(dǎo)致晶型的改變,。

在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中,，各種晶型的SiC晶體不存在固定的形成溫度范圍。溫度,、雜質(zhì),、壓力、過(guò)飽和度,、籽晶取向和極性以及生長(zhǎng)區(qū)Si/C原子比,，都會(huì)影響到SiC多型結(jié)構(gòu)的形成。由于多型共生會(huì)對(duì)晶體的結(jié)晶質(zhì)量產(chǎn)生致命的影響,，從某種意義上說(shuō),，如何抑制和消除多型共生缺陷，是PVT法SiC晶體生長(zhǎng)研究的一個(gè)重要任務(wù),。

小角晶界

在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中,，由于氣相組分過(guò)飽和使晶坯邊緣進(jìn)行擇優(yōu)生長(zhǎng)，從而產(chǎn)生了偏離籽晶方向的晶格失配區(qū)域,，在晶格失配區(qū)域,，不同晶向的晶粒之間形成晶界。晶界通常由擴(kuò)展邊緣和螺旋位錯(cuò)構(gòu)成,，并貫穿整個(gè)晶錠,，這對(duì)器件結(jié)構(gòu)是致命的?？拷w邊緣的小角晶界是大直徑晶體在非優(yōu)化工藝條件下生長(zhǎng)時(shí)形成的,，它是SiC材料中具有輕度位錯(cuò)的不同區(qū)域之間的交界，小角晶界作為應(yīng)力中心,，增加了外延生長(zhǎng)過(guò)程中晶片在缺陷處破裂的可能性,，因此應(yīng)盡量減少或消除晶體中小角晶界的密度。通過(guò)觀察同一個(gè)晶棒不同生長(zhǎng)階段晶片的KOH腐蝕形貌,，發(fā)現(xiàn)沿著<1-100>方向的小角晶界是在生長(zhǎng)過(guò)程中刃位錯(cuò)的滑移引入的,，而不是在生長(zhǎng)初期形成的。生長(zhǎng)室內(nèi)的徑向溫度梯度對(duì)小角晶界的結(jié)構(gòu)和形貌具有一定的影響,，小的徑向溫度梯度可以減少小角晶界的位錯(cuò)形成,。

應(yīng)力

SiC晶體中的應(yīng)力通常是指在沒(méi)有外力或外力矩的作用下在晶體內(nèi)部依然存在并保持自身平衡的力。SiC晶體中的應(yīng)力來(lái)源有很多,，主要有兩種,，一種是來(lái)源于SiC晶體匯總各種缺陷，如前所述的缺陷與周圍的正常格點(diǎn)之間產(chǎn)生畸變,，導(dǎo)致在缺陷的周圍出現(xiàn)一定的應(yīng)力場(chǎng),。如微管道缺陷就會(huì)在其周圍形成一定的應(yīng)力場(chǎng)。另一種是由于SiC晶體的非均勻性生長(zhǎng)造成的，PVT法生長(zhǎng)SiC晶體過(guò)程中溫度梯度是晶體生長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)力,，在坩堝內(nèi)同時(shí)存在著軸向和徑向的溫度梯度,。溫度梯度的存在導(dǎo)致SiC表面生長(zhǎng)速率的不一致，從而使大部分生長(zhǎng)出的SiC晶錠表面呈現(xiàn)凸起或凹陷的現(xiàn)象,。此外,，SiC晶體中的熱應(yīng)力還受晶體形狀、籽晶與石墨蓋的粘接方式,、晶體與坩堝壁的接觸等有關(guān),，這些因素會(huì)導(dǎo)致在生長(zhǎng)出的SiC晶體中不可避免的存在著軸向和徑向的應(yīng)力場(chǎng)。

碳化硅單晶材料的發(fā)展前景展望

與半導(dǎo)體Si單晶材料類似,，SiC單晶材料的發(fā)展方向也是向著單晶直徑逐漸擴(kuò)大,、晶體質(zhì)量逐漸提高、單位面積成本逐漸降低的趨勢(shì)發(fā)展,。目前SiC的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED照明,、雷達(dá)、太陽(yáng)能逆變,，未來(lái)SiC器件將在智能電網(wǎng),、電動(dòng)機(jī)車、通訊等領(lǐng)域擴(kuò)展其用途,，市場(chǎng)前景不可估量,。隨著SiC晶體生產(chǎn)成本的降低，SiC材料正逐步取代Si材料成為功率半導(dǎo)體材料的主流,，打破Si芯片由于材料本身性能而產(chǎn)生的瓶頸,，SiC材料將會(huì)給電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)革命性的變革。

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