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連發(fā)Nature,!浙江大學狄大衛(wèi)教授團隊發(fā)光二極管系列進展

閱讀:1368      發(fā)布時間:2022-8-23
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 近日,浙江大學光電學院狄大衛(wèi)教授課題組先后在Nature Communications及Nature Photonics發(fā)表其課題組的最新研究文章,?!禪ltralow-voltage Operation of Light-emitting Diodes》一文創(chuàng)紀錄地發(fā)現(xiàn)可以以LED能帶寬度的36-60%超低壓下觀察到發(fā)光?!禪ltrastable Near-infrared Perovskite Lightemitting Diodes》實現(xiàn)了超高穩(wěn)定性,、高效率(22.8%)的近紅外鈣鈦礦發(fā)光二極管(鈣鈦礦LED)。

 

 

研究背景

LED的發(fā)展對照明,、顯示和信息產(chǎn)業(yè)有著深遠的影響,。新興的LED技術(shù)的研究倍受關注。LED發(fā)光的關鍵機制為電致發(fā)光(EL),,即在外部電壓下注入的電子和空穴的輻射復合,。

 

有文獻報道III-V 族半導體的 LED 的工作電壓低至標稱帶隙的 77%,這是由于新型量子阱設計增強的輻射復合,。對于OLED,,其最小工作電壓約0.5Eg/q,使用TTA工藝來解釋這種低工作電壓仍有爭議,,即電致發(fā)光的最低驅(qū)動電壓到底是多少,,以及它們是否基于同一個機理。

 

 

研究方法

在這項工作中測試了17種不同類型的LED,,首先選擇鈣鈦礦LED,,制備了以近紅外發(fā)光的碘基材料FPI、NFPI以及綠色發(fā)光的溴基材料PCPB的鈣鈦礦LED,,這三種LED的最低驅(qū)動電壓分別是1.3V,、1.3V及1.9V,LED中光子的最高能量分別為1.55eV,、1.56eV及2.4eV,。這表明三種材料的LED均可在低于帶隙所限制的最小閾值電壓下發(fā)光。接下來選擇幾種不同的OLED,、QLED以及商業(yè)III–V族半導體LED,,得到的結(jié)論與之前的相似。

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圖 1 不同種LED的電致發(fā)光強度-電壓的關系,。

(a. 近紅外發(fā)射FAPBI3(FPI)鈣鈦礦LED,;b.近紅外發(fā)射NFPI鈣鈦礦LED,;c.綠光PCPB鈣鈦礦LED;d.基于Ir(ppy)3的磷光OLED,;e.基于4CzlPN的TADF OLED,;f.基于F8BT的聚合物OLED;g.基于紅熒烯的熒光小分子OLED,;h.基于CdSe/ZnS QDs的II-VI QLED,;i.基于 GaAsP 的商用 III-V 無機 LED 。)

 

研究還發(fā)現(xiàn)幾種鈣鈦礦LED驅(qū)動電壓的數(shù)值從帶隙上方調(diào)整到下方時,,LED的電致發(fā)光EL譜線峰形及峰位都不變,。

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圖2. 鈣鈦礦LED在高于及低于帶隙所限制閾值電壓下的EL光譜

 

研究方法

為解決LED最低驅(qū)動電壓到底是多少的問題,他們采用一套能探測到微弱光子信號的高靈敏度光子探測系統(tǒng),,確定了鈣鈦礦LED的光致發(fā)光強度與電壓之間的關系,,得出EL 的最小驅(qū)動電壓為低于半導體帶隙 50% 的值,并表現(xiàn)出每個光子0.6-1.4eV的表觀能量增益,。

 

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圖3. 不同LED在近帶隙和亞帶隙電壓下的光致發(fā)光強度-電壓曲線

 

論文中提到的測試方法中,,使用了海洋光學高靈敏度QE Pro光譜儀對LED的發(fā)光性能進行表征。

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圖4. 用于測量在亞帶隙電壓下的 EL 光譜的實驗裝置示意圖

 

 

研究背景

與鈣鈦礦太陽能電池類似,,鈣鈦礦LED的不穩(wěn)定性是一重大難題,。近年來,鈣鈦礦LED在外量子效率(EQE)方面發(fā)展十分迅速,,但其在連續(xù)工作條件下T50工作壽命(亮度降低到其初始值一半所需時間)一般在10到100小時量級,,而實際應用需器件在高EQE、寬輻亮度范圍下實現(xiàn)更長的工作壽命(高于10000小時),。

和III-V族半導體及有機半導體相比,,鈣鈦礦在器件工作過程中存在額外的降解通道。電場作用下的離子遷移和鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)的不穩(wěn)定性,,是影響鈣鈦礦器件穩(wěn)定性的關鍵問題,。解決這些問題,以同時實現(xiàn)長壽命與高效率,,是領域的重大挑戰(zhàn),。

 

研究亮點

作者選取了在高性能太陽能電池與LED均有應用的FAPbI3鈣鈦礦作為基本研究對象,引入雙極性分子SFB10,,實現(xiàn)了高效和超穩(wěn)定的近紅外(~800 nm)鈣鈦礦LED,。器件峰值外量子效率(EQE)為22.8%,峰值能量轉(zhuǎn)化效率(ECE)為20.7%,。這些鈣鈦礦LED展現(xiàn)了優(yōu)異的穩(wěn)定性,,在5 mA/cm2下連續(xù)運行超過3600h(5個月)沒有觀察到輻亮度衰減。據(jù)加速老化測試獲得,在初始輻亮度(或電流密度)分別為0.21 W/sr/m2 (0.7 mA/cm2)時,,預期T50工作壽命為2.4×106h (約270年),。

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圖5. 鈣鈦礦LED器件結(jié)構(gòu)和性能
上述數(shù)據(jù)表明,鈣鈦礦LED可在滿足實際應用的光功率(輻亮度)下穩(wěn)定工作,。作為參考,基于Ir(ppy)3的高效率綠光OLED器件,,在1000 cd/m2的高亮度下時對應的輻亮度為2.1 W/sr/m2, 在100 cd/m2的較低亮度下對應的輻亮度為0.21 W/sr/m2,。

 

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表1:經(jīng)SFB10穩(wěn)定的鈣鈦礦LED壽命數(shù)據(jù)
為了探索器件高穩(wěn)定性的原因,作者研究了雙極性分子SFB10對鈣鈦礦薄膜穩(wěn)定性的影響,。結(jié)果表明,,雙極性分子SFB10提高了鈣鈦礦薄膜的熱穩(wěn)定性、相穩(wěn)定性與熒光穩(wěn)定性,。經(jīng)SFB10穩(wěn)定劑處理的鈣鈦礦樣品在空氣中放置322 天,,仍然維持了具有良好光電活性的α相FAPbI3鈣鈦礦,而對照組樣品在14天內(nèi)就發(fā)生了相變與降解,。

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圖6:鈣鈦礦樣品結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和熒光穩(wěn)定性

 

 

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圖7:SFB10與鈣鈦礦前驅(qū)體化學相互作用表

 

 

論文提到的測試方法中,,使用海洋光學QE Pro光譜儀進行EQE的J-V曲線測量,使用Maya2000Pro記錄角電致發(fā)光強度分布,。

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?QE Pro Maya2000 Pro 光譜儀

 

參考文獻

1. Lian Y ,  Lan D ,  Xing S , et al. Ultralow-voltage operation of light-emitting diodes[J].  2021.

 

2. Guo, B., Lai, R., Jiang, S. et al. Ultrastable near-infrared perovskite light-emitting diodes. Nat. Photon. (2022). https://doi.org/10.1038/s41566-022-01046-3
3. https://mp.weixin.qq.com/s/s_vFNym4bESl3wogh96n7Q

 

 

結(jié)語

超低驅(qū)動電壓的研究為超低壓LED器件的發(fā)展以及照明,、顯示及通信行業(yè)的發(fā)展做出貢獻。超長的器件壽命有望提振鈣鈦礦LED領域的信心,,這些近紅外LED可用于近紅外顯示,、通訊與生物等應用,為鈣鈦礦發(fā)光技術(shù)進入產(chǎn)業(yè)應用鋪平了道路,。

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