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上海CVD管式爐
  • 上海CVD管式爐

貨物所在地:上海上海

地: 上海

更新時間:2025-03-11 21:00:45

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上海CVD管式爐這款CVD系統(tǒng)集真空管式爐,多通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成,,可根據(jù)用戶需要設(shè)計生產(chǎn)(有雙溫區(qū),、三溫區(qū)、多溫區(qū)),,可預(yù)抽真空(有高真空,、低真空),通多種氣氛(供氣系統(tǒng)有質(zhì)子流量器和浮子流量控制器),。性能可靠,??刂齐娐愤x用模糊PID程控技術(shù),具有控溫精度高,,溫沖幅度小,,性能可靠,簡單易操作等特點,。

一,、產(chǎn)品簡介
  這款CVD系統(tǒng)集真空管式爐,多通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成,,可根據(jù)用戶需要設(shè)計生產(chǎn)(有雙溫區(qū),、三溫區(qū)、多溫區(qū)),,可預(yù)抽真空(有高真空,、低真空),通多種氣氛(供氣系統(tǒng)有質(zhì)子流量器和浮子流量控制器),。性能可靠,。

  上海CVD管式爐控制電路選用模糊PID程控技術(shù),具有控溫精度高,,溫沖幅度小,,性能可靠,簡單易操作等特點,。

  CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝,,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試,、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長,、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結(jié)等實驗。

高真空管式爐

爐管尺寸

外徑Φ60×1000mm,Φ80×1000mm,Φ100×1000mm

極限溫度

1700 ℃

工作溫度

800 -1600 ℃

溫度控制器

PID自動控制 晶閘管(可控硅)輸出功率,, 50段可編程控制器

較好的升降溫速率

1400℃以下≤10℃/min,,1400℃到1600℃≤5℃/min

加熱區(qū)

360mm

恒溫區(qū)

150mm

溫度精度

±1 ℃

電源

單相220V,交流50Hz

 

多通道流量計控制系統(tǒng)

標(biāo)準(zhǔn)量程

100,200 ,,500,,1000SCCM; (以氮氣標(biāo)定,,除以上標(biāo)準(zhǔn)外量程可選)

準(zhǔn)確度

±1.5%

工作壓差范圍

0.01~0.05 MPa

壓力

0.02MPa

接頭類型

Φ6雙卡套不銹鋼接頭

高真空系統(tǒng)

泵體積流量N2

33 L/S

壓縮比

10:11   

實驗真空值

6.7*10-3Pa

功率消耗

140W

啟動時間

2min

電源要求:

185-265VAC

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