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這款CVD系統(tǒng)集真空管式氣氛爐,,多通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成,,可根據(jù)用戶需要設計生產(有雙溫區(qū),、三溫區(qū)、多溫區(qū)),,可預抽真空(有高真空,、低真空),通多種氣氛(供氣系統(tǒng)有質子流量器和浮子流量控制器),。性能可靠,。控制電路選用模糊PID程控技術,,具有控溫精度高,,溫沖幅度小,性能可靠,簡單易操作等特點,。CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝,,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試,、ZnO納米結構的可控生長,、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
高真空管式爐 | 爐管尺寸 | 外徑Φ60×1000mm,Φ80×1000mm,Φ100×1000mm |
極限溫度 | 1700 ℃ | |
工作溫度 | 900 -1600 ℃ | |
溫度控制器 | PID自動控制 晶閘管(可控硅)輸出功率,, 50段可編程控制器 | |
zui快升降溫速率 | 1400℃以下≤10℃/min,,1400℃到1600℃≤5℃/min | |
加熱區(qū) | 360mm | |
恒溫區(qū) | 200mm | |
溫度精度 | ±1 ℃ | |
電源: | 單相220V,交流50Hz | |
多通道流量計控制系統(tǒng) | 標準量程 | 100,200 ,,500,,1000SCCM; (以氮氣標定,,除以上標準外量程可選) |
準確度 | ±1.5% | |
工作壓差范圍 | 0.01~0.05 MPa | |
zui大壓力 | 0.02MPa | |
接頭類型 | Φ6雙卡套不銹鋼接頭 | |
高真空系統(tǒng) | 泵體積流量N2 | 33 L/S |
壓縮比 | 10:11 | |
實驗真空值 | 10-3Pa | |
功率消耗 | 140W | |
啟動時間: | 2min | |
電源要求: | 185-265VAC |
本公司可定制各種CVD系統(tǒng),。
:139 1789 8272 ,138 1685 2761,,歡迎客戶,。
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