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CVD（Chemical Vapor Deposition, 化學(xué)氣相淀積）

時(shí)間：2009-10-29閱讀：6778
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CVD試驗(yàn)

CVD（Chemical Vapor Deposition, 化學(xué)氣相淀積）,，指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程,。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備,。經(jīng)過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%,，防止高強(qiáng)力鋼的彎曲,，拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。

 

CVD特點(diǎn)：淀積溫度低,，薄膜成份易控，膜厚與淀積時(shí)間成正比,，均勻性,，重復(fù)性好，臺階覆蓋性優(yōu)良,。

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