1,Si-pIN探測(cè)器
致冷方式:2級(jí)半導(dǎo)體電制冷
探測(cè)器晶體厚度:500um
探測(cè)靈敏面積:25mm2
Be窗厚度為:1mil
2,壓電源光管
壓范圍0-50KV,,功率50W,8h穩(wěn)定性0.05%
3,,光管
熒光分析儀器專業(yè)光管,,大功率50W,管壓范圍0-50KV,,靶材為Mo靶
4,,濾光片
8種復(fù)合式的濾光片組合,軟體自動(dòng)切換
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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