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“光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)”取得突破

時(shí)間:2017-12-21 閱讀:1569
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【中國(guó)化工儀器網(wǎng) 技術(shù)前沿】光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)是新材料領(lǐng)域重要的發(fā)展方向之一,,是未來(lái)高速大容量光纖通信,、全光網(wǎng)絡(luò),、下一代互聯(lián)網(wǎng),、寬帶光纖接入網(wǎng)所廣泛依賴(lài)的技術(shù),。   “十二五”期間,,863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域支持了“光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)”主題項(xiàng)目,。近日,863新材料技術(shù)領(lǐng)域辦公室在北京組織專(zhuān)家對(duì)該主題項(xiàng)目進(jìn)行了驗(yàn)收,。   “光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)” 項(xiàng)目針對(duì)光子集成中的關(guān)鍵問(wèn)題,,發(fā)展了新的器件結(jié)構(gòu)和集成方法,在單一芯片上研究了多波長(zhǎng)解復(fù)用陣列波導(dǎo)光柵(AWG)與波導(dǎo)探測(cè)器陣列的耦合集成方法及工藝,,有效解決了結(jié)構(gòu)和工藝兼容問(wèn)題,,實(shí)現(xiàn)了多波長(zhǎng)并行高速波導(dǎo)探測(cè)器芯片集成,;開(kāi)展了硅基二氧化硅AWG,、硅基PIN型可調(diào)光衰減器(VOA)器件制備工藝和集成芯片關(guān)鍵技術(shù)研究,制備出硅基AWG與VOA集成芯片,。通過(guò)項(xiàng)目的產(chǎn)業(yè)化實(shí)用技術(shù)研究,,形成16通道硅基平面光波回路型AWG芯片、VOA芯片的批量生產(chǎn)能力,。   “十三五”期間,,為進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,瞄準(zhǔn)國(guó)家重大需求,、技術(shù)和產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn),,科技部制定了《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專(zhuān)項(xiàng)規(guī)劃》,在新材料技術(shù)發(fā)展方面,,重點(diǎn)發(fā)展戰(zhàn)略性電子材料,、先進(jìn)結(jié)構(gòu)與復(fù)合材料、新型功能與智能材料,,滿足戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求,。   在戰(zhàn)略性電子材料發(fā)展方向中對(duì)光電子與微電子材料進(jìn)行了系統(tǒng)布局, 重點(diǎn)研究低維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)材料,、半導(dǎo)體傳感材料與器件,、新型高密度存儲(chǔ)與自旋耦合材料、高性能合金導(dǎo)電材料,、微納電子制造用新一代支撐材料,、高性能電磁介質(zhì)材料和無(wú)源電子元件關(guān)鍵材料,、聲表面波材料與器件技術(shù)等。   編輯點(diǎn)評(píng)   “光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)”項(xiàng)目的產(chǎn)業(yè)化實(shí)用技術(shù)研究,,形成16通道硅基平面光波回路型AWG芯片,、VOA芯片的批量生產(chǎn)能力,為進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展提供了新的技術(shù)支撐,。   (原標(biāo)題:“光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)”取得突破)

 

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