【中國化工儀器網(wǎng) 技術(shù)前沿】很多涉及原子層沉積技術(shù)(ALD)的人都知道,，選擇性原子層沉積是當(dāng)今熱議的話題,。各類論文,、研討會(huì)和博文層出不窮,，詳盡地解釋了各種可以達(dá)到選擇性生長目的的新方法,。從某種意義上說,，選擇性ALD運(yùn)用了長期困擾ALD使用者的效應(yīng),，即由于ALD的化學(xué)反應(yīng)特性，薄膜生長的成核現(xiàn)象取決于基底表面,。通常來說,，在ALD領(lǐng)域人們已經(jīng)在研究如何盡可能減小這種影響。例如,，等離子體ALD一般會(huì)有可忽略不計(jì)的延遲,，但對(duì)于選擇性ALD來說，成核延遲現(xiàn)象卻被放大了,?！　　　∮幸馑嫉氖牵m然等離子體ALD一般沒有成核延遲現(xiàn)象,，但它仍然可被用于選擇性ALD,。我在埃因霍溫的大學(xué)同事已登載了相關(guān)發(fā)現(xiàn)。它的要點(diǎn)是在等離子體曝光之后再次重復(fù)應(yīng)用抑制劑,，這個(gè)過程可用視頻中所示的三步ABC ALD方法操作,。　　　　以下視頻中解釋了選擇性等離子體ALD技術(shù)的全新概念：　　　　那么問題來了,，人們會(huì)選擇哪種ALD設(shè)備來研究選擇性ALD呢,。我相信我們系統(tǒng)中的一些功能會(huì)很有用，例如：　　　　◆ 可應(yīng)用多種化學(xué)前驅(qū)物,。氣箱可容納多路氣體并由MFC進(jìn)行流量控制　　　　◆ 可應(yīng)用抑制劑分子(如在前驅(qū)物注入過程中通入NH3或CO)　　　　◆ 將氫基作為抑制劑：在前驅(qū)物注入前使用氫等離子體(或其他等離子體)來抑制特定表面的生長　　　　◆ 氟化物等離子體：將CFX或F作為抑制劑,，在前驅(qū)物注入前使用此等離子體,，或進(jìn)行選擇性ALD生長時(shí)，即每隔幾個(gè)生長周期就在同一個(gè)腔體內(nèi)進(jìn)行一次刻蝕的步驟(注意O2等離子體可刻蝕Ru,，H2等離子體可刻蝕ZnO),。　　　　◆ 用于抑制生長的自組裝單分子膜(SAMS)注入　　　　◆ 多腔體集成系統(tǒng),，比如與感應(yīng)耦合等離子體-化學(xué)氣相沉積(ICP-CVD)腔室(生長非晶硅),、濺射(sputter)腔室或原子層刻蝕(ALE)腔室結(jié)合使用　　　　◆ 用于原表面改性或刻蝕的基底偏壓　　　　牛津儀器的設(shè)備可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的控制效果，包括：　　　　◆ 通過MFC,，快速ALD閥門和快速自動(dòng)壓力控制,，可獲得可調(diào)的前驅(qū)物/氣體注入，以實(shí)現(xiàn)一面成核另一面不成核的現(xiàn)象,?！　　　　?使用預(yù)真空室和渦輪增壓分子泵保持系統(tǒng)的的高真空度，以使抑制現(xiàn)象長時(shí)間不受影響,。　　　　◆ 使用等離子體可清潔腔體和恢復(fù)腔體氛圍,?！　　　　?帶實(shí)時(shí)診斷功能的生長監(jiān)控設(shè)備：橢圓偏正光譜測(cè)、質(zhì)譜分析法及發(fā)射光譜法　　　　基于選擇性ALD提出的與刻蝕相結(jié)合的方法再次讓我想到原子尺度工藝處理的問題,，我在之前發(fā)表的一篇博文中對(duì)此進(jìn)行了討論,。可以想象,，通過結(jié)合選擇性ALD及其他工藝,，可以生長出新的超材料(特異材料)和*結(jié)構(gòu)。例如,，通過在選擇性曝光的銅中生長石墨烯,，或通過周期性刻蝕同一平面的沉積(例如局部選擇性ALD)，可有效地僅在結(jié)構(gòu)側(cè)邊生長材料,。因此不論是在普通等離子刻蝕機(jī)或帶基底偏壓特性的FlexAL,，結(jié)合帶導(dǎo)向的離子曝光法也許會(huì)是個(gè)優(yōu)勢(shì)?？偟脕碚f,，我很期待能有令人驚喜的新發(fā)現(xiàn)，新結(jié)構(gòu)和新材料能在可控的方式下誕生,?！　　　【庉孅c(diǎn)評(píng)　　　　原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種方法（技術(shù)）。當(dāng)前驅(qū)體達(dá)到沉積基體表面,，它們會(huì)在其表面化學(xué)吸附并發(fā)生表面反應(yīng),。在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體對(duì)原子層沉積反應(yīng)器進(jìn)行清洗。由此可知沉積反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)能否在被沉積材料表面化學(xué)吸附是實(shí)現(xiàn)原子層沉積的關(guān)鍵?！　　　,。ㄔ瓨?biāo)題：科普系列：選擇性原子層沉積技術(shù)）