目錄:孚光精儀（中國）有限公司>>光學(xué)測量系列>>晶圓測試儀器>> FPFRE-MDPMap單晶多晶硅片壽命測試儀
| 參考價(jià) | 面議 |
| 參考價(jià) | 面議 |
更新時(shí)間：2024-09-11 11:26:02瀏覽次數(shù)：564評(píng)價(jià)
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,，謝謝!
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),電子/電池 |
單晶多晶硅片壽命測試儀是專用為晶圓品質(zhì)檢驗(yàn),測量少子壽命,測量光電導(dǎo)率和電阻率等研發(fā)的晶圓壽命測試儀器,。
單晶多晶硅片壽命測試儀MDPmap自動(dòng)識(shí)別樣品,參數(shù)設(shè)置可以使該儀器適應(yīng)各種樣品,，包括從生長的晶圓到高達(dá)95%的金屬化晶圓之間不同制備階段的各種外延片和晶圓片,。
單晶多晶硅片壽命測試儀具有高度的靈活性,，它允許集成多達(dá)4臺(tái)激光器,，用于從超低注入到高注入的與注入水平相關(guān)的壽命測量,，或者通過使用不同的激光波長提取深度信息,。
單晶多晶硅片壽命測試儀
靈敏度：對(duì)外延工藝監(jiān)控和不可見缺陷檢測，具有可視化測試的最高分辨率
測量速度：6英寸硅晶圓片,，1mm分辨率 ,，小于5分鐘
壽命測試范圍: 20納秒到幾十毫秒
沾污檢測：源自坩堝和生長設(shè)備的金屬(Fe)污染
測量能力：從初始切割的晶圓片到所有工藝加工的樣品
靈活性：允許外部激光通過觸發(fā)器，與探測模塊耦合
可靠性： 模塊化和緊湊臺(tái)式儀器,，更高可靠性，正常運(yùn)行時(shí)間> 99%
重現(xiàn)性： > 99.5%
電阻率：無需時(shí)常校準(zhǔn)的電阻率面掃描
單晶多晶硅片壽命測試儀規(guī)格參數(shù)
樣品尺寸 | 5~300mm（300mm為標(biāo)配,，可根據(jù)需求提升至450mm） |
壽命范圍 | 20ns到幾毫秒 |
電阻率 | 0.2 - 10^3 Ohm cm P/N |
材質(zhì) | 硅晶圓,，外延層，部分或*加工晶圓,，化合物半導(dǎo)體等 |
測量屬性 | 少數(shù)載流子壽命,光電導(dǎo)性, μ-PCD/MDP (QSS) |
激勵(lì)源 | 可選四種不同波長（355nm—1480nm）,，默認(rèn)980nm |
大小 | 680 x 380 x 450 mm, 重量: 65 kg |
電源要求 | 100-250V，50/60 Hz, 5A |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
9
化工儀器網(wǎng)