真空鍍碳儀為SEM、TEM,、STEM,、EDS/WDS、EBSD和微探針分析提供高質(zhì)量的鍍膜技術,。系統(tǒng)結構緊湊,，所占空間小。樣品室直徑150mm,，可快速抽真空進行鍍膜處理，處理周期約10分鐘,。高真空條件下使用超純的碳棒為嚴格的高分辨掃描電鏡,、透射電鏡、EBSD及探針分析提供高質(zhì)量的鍍膜處理,。.組件設計方式可方便地對不同優(yōu)化條件下的各種應用進行切換
碳蒸發(fā)控制：
1,、208C對碳棒－Bradley型碳蒸發(fā)源使用*的*集成的反饋控制設計。
2,、電流和電壓通過磁控頭的傳感線監(jiān)控,，蒸發(fā)源作為反饋回路中的一部分被控制。該蒸發(fā)裝置使常規(guī)的碳棒具有優(yōu)良的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性,。功率消耗低,，碳棒具有異常的重新蒸鍍特性。
3,、蒸發(fā)源使用兩步超純碳棒,。
4、蒸發(fā)源可以手動“脈沖”或“連續(xù)”的方式進行鍍膜,。“脈沖”方式如果和MTM-10高分辨膜厚監(jiān)測儀一起使用,，可以準確得到所需要的膜厚。自動方式下的操作非常方便,，操作者只要設定電壓和時間,，可以得到一致的鍍膜效果。
1,、連接電源并打開主機（POWER）,。
2、等綠燈亮后,，再等3~5分鐘再調(diào)節(jié)電壓（4V）和時間（6s）,。
3,、打開主機背面的小開關，調(diào)整轉速在3~4檔,，并設定電壓和時間,。
4、打開測厚儀并使其歸零,。
5,、按START鍵開始噴碳。
6,、實驗結束先停止設備轉動,，并先關掉設備背面小開關。
7,、再關POWER,。
8、關機后打開玻璃罩上蓋,，等其降到實溫之后再將其蓋好,。
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