碳化硅（SiC）是一種半導體材料,，是目前晶體生產(chǎn)技術(shù)和器件制造領(lǐng)域應用廣泛的材料,，具有更高的擊穿電場強度,、載流子飽和漂移速率,、熱導率和熱穩(wěn)定性特點,，可顯著降低電子設備能耗，被譽為“綠色半導體材料",。

近年來,，圍繞SiC/SiC復合材料相關(guān)研究非常火熱,，通過旋轉(zhuǎn)圓盤電極（RDE）技術(shù)展開電沉積Ni-SiC 復合鍍層性能測試備受關(guān)注,。

電沉積是研究金屬或合金從其化合物水溶液、非水溶液或熔鹽中電化學沉積的過程,。在研究中,，我們可以通過DSR數(shù)字型旋轉(zhuǎn)圓盤圓環(huán)電極裝置展開相關(guān)實驗研究。

電沉積實驗是如何進行的呢,？舉個例子來了解下,。

* 溶液的成分以及電沉積的操作參數(shù)，制備鍍液時使用了分析純試劑和蒸餾水,。

1,、在沉積之前，碳化硅（SiC）顆粒需在蒸餾水中分散 24 小時（因為碳化硅納米顆粒具有疏水性,，需要一定時間來使碳化硅納米顆粒的表面水化）,。

2,、然后，將碳化硅漿料添加到電解液中,。圓盤狀陰極由銅制成,，直徑為 15 毫米，厚度為 1 毫米,，將其插入聚四氟乙烯（PTFE）旋轉(zhuǎn)圓盤電極（RDE）夾具中,，露出一個直徑 15 毫米的圓形窗口與電解液接觸。

3,、在旋轉(zhuǎn)圓盤電極電解池中,，陰極與陽極呈水平對齊放置，陰/陽極之間的距離為2厘米,。

4,、使用飽和甘汞電極和一個20毫米×20毫米的純鉑對電極。參比電極放置在與主電解池分隔開的玻璃臂中,，對電極則盡可能放置在離陰極較遠的位置,，以免干擾流向電極的電流的均勻性或電極表面的顆粒分布。

5,、每次實驗前,，陰極需依次在乙醇、丙酮和蒸餾水中各超聲清洗10分鐘,。

6,、在由鹽酸(HCI):硫酸(HzSO4):硝酸(HNO3):水(H20) 按3:10:5:2的比例配成的溶液中活化30秒，用蒸餾水沖洗后,，立即浸入鍍液中（在電沉積過程開始前,，鍍液需用超聲波均質(zhì)儀超聲處理10分鐘），采用電化學工作站進行電化學研究,，以便電沉積得到目標復合涂層,。在電沉積過程開始前，鍍液需用超聲波均質(zhì)儀超聲處理10分鐘,，采用電化學工作站進行電化學研究,。

復合涂層的表面形貌通過掃描電子顯微鏡（SEM）進行觀察，T掃描電鏡操作電壓為30千伏,。表面粗糙度使用觸針式儀器進行測量,。

沉積物的化學成分通過安裝在掃描電鏡上的能量色散X射線光譜儀系統(tǒng)來確定。 

在表1所述的條件下,，使用20克/升的碳化硅（SiC）,，旋轉(zhuǎn)圓盤電極（RDE）轉(zhuǎn)速為600轉(zhuǎn)/分鐘，電沉積制備了鎳-碳化硅復合涂層,。

在本研究中采用的旋轉(zhuǎn)圓盤電極（RDE）轉(zhuǎn)速是經(jīng)過前人充分研究中得出的最佳旋轉(zhuǎn)圓盤電極轉(zhuǎn)速,。在旋轉(zhuǎn)圓盤電極體系中,，通過溶液流體動力學，電極的旋轉(zhuǎn)能夠使陰極區(qū)域富集顆粒,。

在脈沖電流條件下,，在旋轉(zhuǎn)圓盤電極上制備了鎳/碳化硅復合鍍層。研究了脈沖參數(shù),、電流密度,、電解液中SiC含量對SiC電沉積的影響。

DSR數(shù)字型旋轉(zhuǎn)圓盤圓環(huán)電極裝置是理化公司為用戶提供的精良好用的電化學儀器,，廣泛應用于氫燃料電池催化劑研究評價等各類電化學實驗,，產(chǎn)品具有“數(shù)字型、一體化,、更靜音"特點,，基于新一代數(shù)字技術(shù)，轉(zhuǎn)速更精準,，測試更可靠,，圖譜表現(xiàn)優(yōu)異，已有多位用戶使用DSR進行實驗,，并發(fā)表多篇中科院一區(qū)期刊論文，助力電化學實驗,。