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為什么選擇配備互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體檢測(cè)器的火花OES分析儀,?
互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)檢測(cè)器能將火花直讀光譜儀(OES)分析提升至全新水平。CMOS技術(shù)是光電倍增管(PMT)(在一些金屬分析儀中用于gao端分析)的替代方案,。在一些場(chǎng)景中,,可將CMOS技術(shù)選作OES應(yīng)用場(chǎng)景的解決方案。
我們列出了您下次購買火花光譜儀時(shí)需要考慮基于CMOS的火花光譜儀的四大原因,。
1,、您缺少購買最昂貴的OES儀器所需的資金
直讀光譜儀是一項(xiàng)投資。此外,,從歷史看,,更先進(jìn)的儀器包含多個(gè)光電倍增管,覆蓋寬的波長(zhǎng)范圍以檢測(cè)許多不同元素,。由于PMT價(jià)格昂貴,,因此包含PMT的這類儀器也很昂貴。CMOS檢測(cè)器替代儀器的成本要低得多,,且能覆蓋的元素和波長(zhǎng)范圍更寬,。
2、您需要分析范圍寬的元素
PMT檢測(cè)器的工作性能非常出色,,可測(cè)量含量超低的特定元素,。但由于僅針對(duì)少數(shù)入射光波長(zhǎng)優(yōu)化每個(gè)檢測(cè)器,因此每個(gè)PMT檢測(cè)器將只能提供一個(gè)通道的結(jié)果,。
如果需要測(cè)量各種材料中范圍更寬的雜質(zhì)元素和痕量元素,,則可投資購買配備很多個(gè)檢測(cè)器的儀器,,但價(jià)格會(huì)很昂貴(見上述第1點(diǎn))?;贑MOS的檢測(cè)器將測(cè)量更寬的光譜范圍,,由此可檢測(cè)樣品中是否存在更多元素。
3,、您預(yù)計(jì)會(huì)拓展金屬生產(chǎn)的新領(lǐng)域
如今,,新合金開發(fā)活動(dòng)與以往一樣活躍。從開發(fā)用于提高燃油經(jīng)濟(jì)性的高強(qiáng)度,、輕質(zhì)材料,,到植入后為人體所接受的醫(yī)療器械,不斷出現(xiàn)新的材料規(guī)格和客戶需求,。
如果您選擇的OES儀器所配備的PMT檢測(cè)器已針對(duì)您目前所做工作予以優(yōu)化(這對(duì)于您目前的應(yīng)用場(chǎng)景來說可能很好),,則在采用新應(yīng)用場(chǎng)景的情況下,您可能會(huì)發(fā)現(xiàn)您目前所用的儀器實(shí)際上已過時(shí),。通過選擇基于CMOS的儀器,,可讓您在未來有持續(xù)不斷的選擇機(jī)會(huì)。
4,、您需要保持低成本才能保護(hù)利潤(rùn)
鑄造廠,、金屬生產(chǎn)廠和制造廠的營(yíng)運(yùn)成本很高。更糟糕的是,,原材料和回收原料的價(jià)格可能因全球市場(chǎng)的不同而存在極大差別,。因此,鑄造廠為保持盡可能低且可預(yù)測(cè)的所有其他成本而面臨較大壓力,。
基于CMOS的OES儀器的操作成本往往低于其PMT同類儀器,,因?yàn)镃MOS技術(shù)僅需極少功率即可操作。我們的OE系列OES火花光譜儀進(jìn)一步降低真空泵的功耗,,并大幅減少分析期間所需的氬氣量,。
所有這些方面都與檢出限有關(guān)
如今,如果進(jìn)行的分析需要的檢出限低于使用CMOS檢測(cè)器時(shí)所提供的檢出限,,則可能仍然需要基于PMT的檢測(cè)器,。對(duì)于使用基于CMOS的檢測(cè)系統(tǒng)的日立OE系列,我們發(fā)布了應(yīng)用指南,,其中提供了不同基體合金的檢出限表,。本文以鋼鐵為例。
您可以看到檢出限極低,,但您必須為自己的應(yīng)用場(chǎng)景選擇正確的檢測(cè)器技術(shù),,如果存在檢出限要求,則您仍可能必須依賴于PMT檢測(cè)器。
日立OE系列
日立OE系列直讀光譜儀將基于CMOS檢測(cè)器的范圍,、靈敏度與全新光學(xué)設(shè)計(jì)相結(jié)合,,提供通常只有成本更高的儀器才能達(dá)到的高性能,。OE系列具有較低的操作成本和相對(duì)較小的占地面積,,可用OE750檢測(cè)金屬中的所有元素(包括氣體元素)。