都不是。OE750使用先進的CMOS檢測器,，CMOS檢測器是基于半導(dǎo)體的傳感器（與CCD檢測器的情形相同）,。與光電倍增管（PMT）系統(tǒng)相比，基于半導(dǎo)體的系統(tǒng)更具優(yōu)勢,，因為其涵蓋更廣泛的波長范圍,，由此適用于更多元素。雖然PMT技術(shù)可實現(xiàn)在低靈敏度時的優(yōu)良檢出限,，但每臺傳感器僅可涵蓋有限的波長,。這意味著您需要在一臺光譜儀中使用多個PMT檢測器以涵蓋更廣泛范圍內(nèi)的元素，而增加額外的性能意味著增加額外的檢測器,，這將導(dǎo)致成本增加,，甚至由于此類檢測器的幾何尺寸太大而無法將其添加至光學(xué)系統(tǒng)中。

由于CMOS檢測器具有比標準CCD技術(shù)更高的分辨率和更廣的動態(tài)范圍,，因此使用CMOS檢測器可帶來更好的分析性能——正如在OE750中所見的情形一樣,。這意味著在金屬分析中，我們可涵蓋整個波長范圍：從119nm到766nm,，這包括從氫到鈾的所有元素（取決于應(yīng)用領(lǐng)域和基體）,。

簡而言之，CMOS檢測器可同時為您提供這兩種技術(shù)的優(yōu)勢：您可獲得PMT所提供的極低檢出限和同等靈敏度,，以及CCD所提供的全光譜范圍,。

就上述所有基體而言,，每次激發(fā)的標準檢測時間均在15秒以下,。以下舉例說明：

鋁基體：每次激發(fā)14.5秒。

鋼基體：每次激發(fā)12.5秒,。

其他基體：每次激發(fā)11-12秒,。

OE750的設(shè)計支持輪班制工作，即24/7輪班制,；同時,，如果我們假設(shè)每件樣品激發(fā)兩次，則每天可完成數(shù)百個樣品分析,。

但是,，維護工作將對此產(chǎn)生影響。您需要清理火花臺的頻率取決于基體,。如果是鋼基體,，我們建議每2000次激發(fā)后清潔一次；如果是鋁基體,，我們建議每1000次激發(fā)后清潔一次,。這是因為材料的熔點越低，在激發(fā)過程中沉積的材料就越多,，由此將縮短清潔的時間間隔,。通過無光纖的直接光路,，可盡可能減少OE750的維護工作（以及故障停機時間）,。但是，如果您需要大量,、連續(xù)使用光譜儀,，則我們建議我們的服務(wù)團隊每年至少為您提供一次服務(wù)，以清理和維護您的光譜儀,。

這取決于您所開展檢測的次數(shù),；但是如果我們模擬幾種場景,，我們可以計算出一年的氬氣使用量。

氬氣的恒流定量消耗為12 L / h且分析流量為50 L / h,。假設(shè)我們正在檢測鋼,，則檢測時間為12.5秒。對于第一種場景,，我們假設(shè)每天激發(fā)100次,、每年工作200天且系統(tǒng)24小時處于待機狀態(tài),。則在此種情況下，您每年需要六瓶50 L/ 200 bar的氬氣,。

如果您每天測量300件樣品,，同時所有其他因素保持不變，則您需要七瓶氬氣,。

我們需要說明的是,，由于OE750使用具備低氬氣流吹掃功能的*中壓系統(tǒng)，因此用于光學(xué)潔凈度的氬氣使用量非常低,。這意味著我們可使用無油隔膜泵,，以降低污染物進入光室的風(fēng)險。

因此,，當您購買光譜儀時,，您還應(yīng)考慮運營成本，原因是運營成本很容易對總投資產(chǎn)生重大影響,。

這取決于光譜儀的初始狀態(tài),。例如,，針對交付后*安裝的光譜儀，氬氣凈化光室將耗時12個小時,。（我們將其稱為運行完整的泵循環(huán)）,。但是，光譜儀一旦安裝后,，您應(yīng)確保您的系統(tǒng)處于待機模式——這可確保光室始終被氬氣包圍,。

但是，現(xiàn)在讓我們看一下可能會關(guān)閉光譜儀的情況：

周末關(guān)閉光譜儀,，但有氬氣流

您需要運行泵短循環(huán)（將耗時15分鐘）,，并對激發(fā)樣品進行五次檢測（例如，鐵基中激發(fā)樣品是RE12）,。該步驟對于獲得良好的激發(fā)斑點并使氬氣重新激活至火花臺而言是必需的,。

周末關(guān)閉光譜儀，但沒有氬氣流

與上一種有氬氣流的情況*一致,。但是,，我們強烈建議您在每次關(guān)閉光譜儀后使用為該程序提供的檢查樣品樣進行潔凈度測試。您很容易就能完成該檢查,，且耗時不到一分鐘,。

假期關(guān)閉光譜儀

在此種情況下，您應(yīng)運行12小時的泵長循環(huán),，同時您應(yīng)進行潔凈度測試并檢查激發(fā)樣品以確認激發(fā)斑點,。

是的,，這確實會影響分析準確度,。與覆蓋14 mm完整火花臺孔徑的樣品相比，精確度和準確度存在細微偏差,。產(chǎn)生這種偏差的原因在于空氣進入火花間隙,，從而造成干擾。OE750具有*的噴射氣流技術(shù),，該技術(shù)可大程度地降低此類干擾的影響,，但是隨著直徑的減小，來自周圍空氣的干擾的作用更大,。

另一個問題是氮和硼是氮化硼墊片本身的一部分,，因此無法分析氮和硼。我們目前正在研發(fā)氮化硼的替代品,，以便可以分析氮和硼,。但是很遺憾，分析氮氣的問題仍未解決,，因為從周圍空氣中通過火花臺間隙而進入設(shè)備的氮氣含量過多,。