電子工業(yè)用超純水概述
半導(dǎo)體、集成電路芯片及封裝,、液晶顯示,、高精度線路板、光電器件,、各種電子器件,、微電子工業(yè)、大規(guī)模,、超大規(guī)模集成電路需用大量的高純水,、超純水清洗半成品、成品,。集成電路的集成度越高,，對(duì)水質(zhì)的要求也越高。目前我國(guó)電子工業(yè)部把電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)分為五個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),，分別為18MΩ.cm,、15MΩ.cm、10MΩ.cm,、2MΩ.cm,、0.5MΩ.cm，以區(qū)分不同水質(zhì),。
電子工業(yè)用超純水設(shè)備的工藝流程
電子工業(yè)用超純水設(shè)備的工藝大致分成以下幾種：
1,、采用離子交換樹(shù)脂制備超純水的傳統(tǒng)水處理方式，其基本工藝流程為：原水→沙炭過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→原水箱→陽(yáng)床→陰床→混床（復(fù)床）→純水箱→純水泵→后置精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)
2,、采用反滲透水處理設(shè)備與離子交換設(shè)備進(jìn)行組合的方式,，其基本工藝流程為：原水→沙炭過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→原水箱→反滲透設(shè)備→混床（復(fù)床）→純水箱→純水泵→后置精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)
3、采用反滲透水處理設(shè)備與電去離子（EDI）設(shè)備進(jìn)行搭配的的方式,，這是一種制取超純水的工藝,，也是一種環(huán)保，經(jīng)濟(jì)，發(fā)展?jié)摿薮蟮某兯苽涔に?，其基本工藝流程為：原?rarr;沙炭過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→原水箱→反滲透設(shè)備→電去離子（EDI）→純水箱→
目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種,，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎(chǔ)上進(jìn)行不同組合搭配衍生而來(lái)。現(xiàn)將他們的優(yōu)缺點(diǎn)分別列于下面：
1,、*種采用離子交換樹(shù)脂其優(yōu)點(diǎn)在于初投資少,，占用的地方少，但缺點(diǎn)就是需要經(jīng)常進(jìn)行離子再生,，耗費(fèi)大量酸堿,，而且對(duì)環(huán)境有一定的破壞。
2,、第二種采用反滲透作為預(yù)處理再配上離子交換設(shè)備,，其特點(diǎn)為初投次比采用離子交換樹(shù)脂方式要高，但離子設(shè)備再生周期相對(duì)要長(zhǎng),，耗費(fèi)的酸堿比單純采用離子樹(shù)脂的方式要少很多,。但對(duì)環(huán)境還是有一定的破壞性。
3,、第三種采用反滲透作預(yù)處理再配上電去離子（EDI）裝置,，這是目前制取超純水，zui環(huán)保用來(lái)制取超純水的工藝,，不需要用酸堿進(jìn)行再生便可連續(xù)制取超純水,，對(duì)環(huán)境沒(méi)什么破壞性。其缺點(diǎn)在于初投資相對(duì)以上兩種方式過(guò)于昂貴,。
通常由多介質(zhì)過(guò)濾器,，活性碳過(guò)濾器，鈉離子軟化器,、精密過(guò)濾器等構(gòu)成前期預(yù)處理系統(tǒng),、RO反滲透主機(jī)系統(tǒng)、離子交換混床（EDI電除鹽系統(tǒng)）系統(tǒng)等構(gòu)成主要設(shè)備系統(tǒng),。水箱均設(shè)有液位控制系統(tǒng),、水泵均設(shè)有壓力保護(hù)裝置、在線水質(zhì)檢測(cè)控制儀表,、電氣采用PLC可編程控制器，真正做到了無(wú)人職守,，同時(shí)在工藝選材上采用*和客戶要求相統(tǒng)一的方法,，使設(shè)備與其它同類產(chǎn)品相比較，具有更高的性價(jià)比和設(shè)備可靠性,。