5×5 InGaAs 離散放大光子探測(cè)器陣列 (DAPD)
- 公司名稱(chēng) 上海昊量光電設(shè)備有限公司
- 品牌 昊量光電
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2025/4/1 9:26:42
- 訪問(wèn)次數(shù) 30
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上海昊量光電設(shè)備有限公司
Aunion Tech Co., Ltd
專(zhuān)業(yè)源自專(zhuān)注 專(zhuān)注成就未來(lái)
自2008年成立以來(lái),，昊量光電專(zhuān)注于光電領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)與產(chǎn)品經(jīng)銷(xiāo),，致力于引進(jìn)guo外*先進(jìn)性與創(chuàng)新性的光電技術(shù)與可靠產(chǎn)品,，為國(guó)內(nèi)Z前沿的科研與工業(yè)領(lǐng)域提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù)，助力中國(guó)智造與中國(guó)創(chuàng)造! 目前,，昊量光電已經(jīng)與來(lái)自美國(guó),、歐洲、日本的多家光電產(chǎn)品制造商建立了緊密的合作關(guān)系,。其代理品牌均處于相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展前沿,，產(chǎn)品包括各類(lèi)激光器、光電調(diào)制器,、光學(xué)測(cè)量設(shè)備,、精密光學(xué)元件等，所涉足的領(lǐng)域涵蓋了材料加工,、光通訊、生物醫(yī)療,、科學(xué)研究與國(guó)防等,。
昊量光電堅(jiān)持“專(zhuān)業(yè)源自專(zhuān)注，專(zhuān)注成就未來(lái)”的經(jīng)營(yíng)理念,。近年來(lái),，我們專(zhuān)注于前沿的細(xì)分市場(chǎng)，為量子光學(xué),、生物顯微,、物聯(lián)傳感、精密加工,、先進(jìn)激光制造等領(lǐng)域的客戶(hù)提供系統(tǒng)解決方案,。
作為一家以技術(shù)溝通與技術(shù)服務(wù)見(jiàn)長(zhǎng)的高科技企業(yè)，我們所有的銷(xiāo)售與技術(shù)服務(wù)團(tuán)隊(duì)成員都具有理工科方面的專(zhuān)業(yè)背景,，并在公司接受相關(guān)領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)培訓(xùn),，在售前技術(shù)溝通、售后產(chǎn)品安裝培訓(xùn),、產(chǎn)品問(wèn)題解決,、軟硬件增值服務(wù)等方面為客戶(hù)提供更加專(zhuān)業(yè)化的服務(wù)！我們專(zhuān)業(yè)高效的商務(wù)與物流部門(mén)憑借多年積累的貿(mào)易經(jīng)驗(yàn)與規(guī)范化的制度流程,，保障每一筆訂貨準(zhǔn)時(shí)安全到達(dá)目的地,，免除客戶(hù)的后顧之憂！
秉承誠(chéng)信,、高效,、創(chuàng)新、共贏的核心價(jià)值觀,，昊量光電堅(jiān)持以誠(chéng)信為基石,，憑借高效的運(yùn)營(yíng)機(jī)制和勇于創(chuàng)新的探索精神為我們的客戶(hù)與與合作伙伴不斷創(chuàng)造價(jià)值,，實(shí)現(xiàn)各方共贏！
立足于光電產(chǎn)業(yè),，昊量光電始終堅(jiān)持價(jià)值創(chuàng)造與創(chuàng)新,，贏得客戶(hù)與合作伙伴的認(rèn)可，不斷拓展業(yè)務(wù)領(lǐng)域的新邊疆,，立志打造的代理服務(wù)品牌,！
激光器調(diào)制器,激光測(cè)量加工設(shè)備,光學(xué)部件,光譜儀,光纖器件,晶體,精密定位系統(tǒng)掃描系統(tǒng),探測(cè)器光子計(jì)數(shù)器,專(zhuān)用實(shí)驗(yàn)設(shè)備,相機(jī)
| 供貨周期 | 現(xiàn)貨 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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5×5陣列，950~1650nm,，具有溫度穩(wěn)定功能的5×5 InGaAs 離散放大光子探測(cè)器陣列 (DAPD)
5×5 InGaAs 離散放大光子探測(cè)器陣列 (DAPD)（DAPD：Discrete Amplification photon detector）5×5陣列近紅外探測(cè)器,，具有溫度穩(wěn)定功能。DAPD 1550系列5x5近紅外光電探測(cè)器可實(shí)現(xiàn)近紅外光譜響應(yīng),，950nm至1650nm,、高速自淬火近紅外銦鎵砷探測(cè)器5x5 Array，專(zhuān)為3D激光雷達(dá)應(yīng)用而設(shè)計(jì),。DAPD NIR 5x5 Array探測(cè)器利用了突破性離散放大方法,，該方法使用多通道放大和單片集成負(fù)反饋雪崩機(jī)制來(lái)放大低電平電信號(hào)。離散放大技術(shù)具有內(nèi)部放大功能,，可提供非常高的增益（約100,000）,，這與非常低的過(guò)量噪聲系數(shù)（低于1.05）和快速響應(yīng)（上升時(shí)間快于0.6ns）相結(jié)合。這些特性使NIR陣列式光電探測(cè)器DAPD能夠檢測(cè)單光子,，并優(yōu)化極弱光水平的檢測(cè),。
離散放大InGaAs光子探測(cè)器陣列采用KOVAR材料制成的密封包裝，其中包括一個(gè)低功率兩級(jí)熱電冷卻器（TEC）和一個(gè)熱敏電阻,。該包裝允許DAPD探測(cè)器在寬環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作,，同時(shí)使1550系列5x5探測(cè)器芯片陣列保持在-50°C的工作溫度。
近紅外銦鎵砷探測(cè)器陣列的主要特點(diǎn)：
5×5陣列近紅外探測(cè)器采用In0.47Ga0.53As吸收器設(shè)計(jì),，可在950nm至1650nm的寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)工作
設(shè)計(jì)用于在各種環(huán)境溫度下運(yùn)行,，其中使用低功率兩級(jí)熱電冷卻器冷卻陣列溫度
針對(duì)0.1ns至20ns激光雷達(dá)脈沖檢測(cè)的定制設(shè)計(jì)，具有高達(dá)50MHz的高重復(fù)頻率
NIR InGaAs光子探測(cè)器陣列具有好的的偏置電壓穩(wěn)定性
每光子約75,000電子的高增益,，足夠高以允許50Ω射頻前置放大器,；無(wú)需進(jìn)行跨阻抗匹配
低噪聲因子
NIR陣列式光電探測(cè)器主要應(yīng)用：
1550系列5x5近紅外光電探測(cè)器系列設(shè)計(jì)用于激光雷達(dá)系統(tǒng)、三維激光雷達(dá)成像和環(huán)境監(jiān)測(cè)應(yīng)用,。該NIR InGaAs光子探測(cè)器陣列針對(duì)0.5ns至20ns的激光脈沖長(zhǎng)度進(jìn)行了優(yōu)化,。25個(gè)探測(cè)器中的每個(gè)探測(cè)器都分別連接到封裝中的專(zhuān)用引腳，在封裝的四面都有公共陰極連接,。能夠連接到25個(gè)像素中的任何一個(gè)提供了多個(gè)級(jí)別的靈活性,。例如，離散放大InGaAs光子探測(cè)器陣列可以連接成四分之一配置或作為單個(gè)寬面積探測(cè)器,。
NIR InGaAs探測(cè)器陣列作為50Ω系統(tǒng)的電子放大提供了額外的設(shè)計(jì)功能靈活性,，使用現(xiàn)成的50Ω電子放大,。陣列設(shè)計(jì)為在脈沖檢測(cè)模式下以恒定偏置運(yùn)行，以連續(xù)模式運(yùn)行,，進(jìn)一步降低了電氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性,，并提供了許多選項(xiàng)來(lái)將DAPD探測(cè)器陣列系統(tǒng)與模擬到數(shù)字采樣系統(tǒng)、幀抓取器等進(jìn)行集成,。
近紅外探測(cè)器陣列的規(guī)格：
注：下表的數(shù)據(jù)規(guī)格均是在封裝環(huán)境溫度為-45°C時(shí)得出的
參數(shù) | DAPDNIR 5x5 Array 1550 series 100 µm Pitch | 單位 |
有效區(qū)域尺寸 | 500 by 500 | µm2 |
有效區(qū)域單像素 | 90 by 90 | µm2 |
像素?cái)?shù) | 25 | - |
光子檢測(cè)效率@1064nm (PDE)1 | 15 | % |
光譜響應(yīng)范圍（λ） | 950-1650 | nm |
單光電子增益 (M) | 1x105 | - |
過(guò)量噪聲系數(shù) | 1.05 | - |
暗計(jì)數(shù)率（單像素） | 4 | MHZ |
工作偏置 | 50-70 | V |
上升時(shí)間（10%- 90%） | 600 | ps |
單放大通道恢復(fù)時(shí)間（-35℃時(shí)） | 50 | ns |
絕對(duì)額定值 | ||
損傷閾值 | 0.5 | nJ |
工作電流（反向偏置） | 50 | μA |
工作電壓 | -(Vop+4)2 | V |
（1）光子檢測(cè)效率包括后脈沖,。
（2）靈敏度的工作偏置Vop在出廠前測(cè)試后提供。
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