PECVD等離子體增強(qiáng)氣相沉積
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 上海添時科學(xué)儀器有限公司
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- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2025/3/13 13:26:31
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PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是一種利用等離子體來促進(jìn)氣體反應(yīng)的CVD技術(shù),。其特點包括:
1、低溫沉積:PECVD可以在較低的基材溫度下進(jìn)行,,因為等離子體提供的能量能夠促進(jìn)氣體反應(yīng),,降低沉積溫度的需求。
2,、高沉積速率:等離子體增強(qiáng)了氣體反應(yīng)速率,,從而提高了薄膜沉積速率。
3,、良好的膜質(zhì)量:PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度,,適用于需要高質(zhì)量薄膜的應(yīng)用。
4,、適應(yīng)性強(qiáng):可以沉積多種材料,,包括氧化物、氮化物和氟化物等,,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體,、光電器件和保護(hù)涂層等領(lǐng)域。
5,、控制性好:通過調(diào)整等離子體的參數(shù)(如功率,、氣體流量和壓力),可以精確控制薄膜的成分和性質(zhì),。
加熱爐參數(shù)
?最高溫度:1200ºC(<30min),,連續(xù)工作溫度:1100℃;
?兩個PID溫度控制器及30段可編程溫控系統(tǒng),;
?輸入功率:208-240V,,單相,最大功率:2.5KW,;
?高純氧化鋁纖維保溫層可以最大限度降低能耗,;
?回轉(zhuǎn)爐旋轉(zhuǎn)速度:2-10rpm;
?爐體開啟式設(shè)計,,以達(dá)到對樣品快速降溫,,方便更換爐管。
1、低溫沉積:PECVD可以在較低的基材溫度下進(jìn)行,,因為等離子體提供的能量能夠促進(jìn)氣體反應(yīng),,降低沉積溫度的需求。
2,、高沉積速率:等離子體增強(qiáng)了氣體反應(yīng)速率,,從而提高了薄膜沉積速率。
3,、良好的膜質(zhì)量:PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度,,適用于需要高質(zhì)量薄膜的應(yīng)用。
4,、適應(yīng)性強(qiáng):可以沉積多種材料,,包括氧化物、氮化物和氟化物等,,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體,、光電器件和保護(hù)涂層等領(lǐng)域。
5,、控制性好:通過調(diào)整等離子體的參數(shù)(如功率,、氣體流量和壓力),可以精確控制薄膜的成分和性質(zhì),。
加熱爐參數(shù)
?最高溫度:1200ºC(<30min),,連續(xù)工作溫度:1100℃;
?兩個PID溫度控制器及30段可編程溫控系統(tǒng),;
?輸入功率:208-240V,,單相,最大功率:2.5KW,;
?高純氧化鋁纖維保溫層可以最大限度降低能耗,;
?回轉(zhuǎn)爐旋轉(zhuǎn)速度:2-10rpm;
?爐體開啟式設(shè)計,,以達(dá)到對樣品快速降溫,,方便更換爐管。