原子層沉積系統(tǒng)
- 公司名稱(chēng) 北京瑞科中儀科技有限公司
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- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/10/10 9:26:51
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價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),石油,制藥,綜合 |
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原子層沉積系統(tǒng)ALD 用於薄膜沉積的原子層沉積是基於順序使用氣相化學(xué)過(guò)程的最重要技術(shù)之一,;它可以被視為一種特殊類(lèi)型的化學(xué)氣相沉積(CVD)。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)(稱(chēng)為前驅(qū)物,,也稱(chēng)為“反應(yīng)物"),。這些前驅(qū)物以一種連續(xù)的且自我限制的方式,一次與一種材料的表面反應(yīng),。通過(guò)多個(gè)ALD循環(huán),,薄膜被緩慢沉積,。 ALD為製造半導(dǎo)體元件的重要製程,並且是可用於合成納米材料主要工具的一部分,。
原子層沉積系統(tǒng)ALD具有許多優(yōu)點(diǎn),,例如出色的均勻性,在複雜形狀的基板表面上沉積的具有相同膜厚的膜保形性,,低溫處理,。因此,ALD被應(yīng)用於微電子,,納米技術(shù)和生物技術(shù)領(lǐng)域中,,這些領(lǐng)域經(jīng)常在有機(jī)和生物樣品之類(lèi)的軟基底。上工作,。
一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)設(shè)備,,廣泛應(yīng)用于化學(xué)、材料科學(xué)以及微電子,、光學(xué),、新能源等多個(gè)領(lǐng)域。以下是對(duì)原子層沉積系統(tǒng)的詳細(xì)介紹:一,、基本原理原子層沉積技術(shù)(Atomic Layer Deposition,ALD)是一種基于表面自限制反應(yīng)的薄膜沉積技術(shù),。其原理是通過(guò)將氣相前驅(qū)體交替地通入反應(yīng)室,,在基底表面發(fā)生氣-固化學(xué)反應(yīng),逐層形成原子級(jí)別的薄膜,。每個(gè)沉積循環(huán)包括前驅(qū)體A的吸附與反應(yīng)(半反應(yīng)A),、惰性氣體吹掃、前驅(qū)體B的吸附與反應(yīng)(半反應(yīng)B)以及再次惰性氣體吹掃四個(gè)步驟,。這種自限制的反應(yīng)機(jī)制確保了薄膜的精確厚度控制和優(yōu)異的均勻性,。二、系統(tǒng)組成典型的原子層沉積系統(tǒng)由以下幾個(gè)主要部分組成:主要反應(yīng)區(qū)域,,需具備均勻的溫度和壓力環(huán)境,。反應(yīng)室設(shè)計(jì)對(duì)ALD過(guò)程至關(guān)重要,包括冷壁反應(yīng)室和熱壁反應(yīng)室兩種類(lèi)型,,以適應(yīng)不同的沉積需求,。2. 前驅(qū)體輸送系統(tǒng):包括前驅(qū)體源和輸送管道,確保前驅(qū)體的穩(wěn)定供應(yīng),。前驅(qū)體的選擇對(duì)ALD過(guò)程至關(guān)重要,,需要具有高揮發(fā)性、高反應(yīng)性,、化學(xué)穩(wěn)定性以及無(wú)腐蝕性和毒性等特點(diǎn),。3. 氣體控制系統(tǒng):控制前驅(qū)體和惰性氣體的引入和沖洗過(guò)程,,確保反應(yīng)室內(nèi)的氣體環(huán)境符合沉求。4. 真空系統(tǒng):維持低壓環(huán)境,,確保氣體流動(dòng)和反應(yīng)的可控性,。三、技術(shù)特點(diǎn)1. 精確控:通過(guò)控制沉積循環(huán)次數(shù),,可以實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)精度的薄膜厚度控制,,具有優(yōu)異的重復(fù)性。2. 大面積均勻性:能夠在大面積基底上形成均勻光滑的涂層,,甚至超過(guò)米尺寸,。3. 三維保型性:具有的3D共形性和100%階梯覆蓋,能夠在平坦,、內(nèi)部多孔和顆粒周?chē)鷺悠飞闲纬删鶆蛲繉印?. 廣泛適用性:適用于各種類(lèi)型的基底材料,,包括晶圓、3D零件,、薄膜卷,、多孔材料以及從納米到米尺寸的粉末。5. 溫和沉積工藝:通常不需要超高真空環(huán)境,,適用于敏感基材的沉積,。6. 易于擴(kuò)展:對(duì)溫度或前驅(qū)體劑量變化不敏感,易于批量擴(kuò)展,,可以一次性堆疊和涂覆許多基材,。四、應(yīng)用領(lǐng)域原子層沉積技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用,,