沉積系統(tǒng)介紹

高產(chǎn)量

等離子蝕刻和沉積腔體可以與多達(dá)兩個(gè)片盒站組合，用于到200mm晶片的高產(chǎn)量工藝,。

研發(fā)

三到六個(gè)端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機(jī),、RIE刻蝕機(jī)、原子層,、PECVD和ICPECVD沉積設(shè)備,，以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過(guò)預(yù)真空室和/或真空片盒站加載,。

包括等離子刻蝕和/或沉積腔體,、傳送腔室、預(yù)真空室或片盒站,。傳送腔室包括傳送機(jī)械手臂,，可適用于三至六個(gè)端口?？梢允褂枚噙_(dá)兩個(gè)片盒站來(lái)增加產(chǎn)量,。傳送腔室可以配備多種選擇。

用于研發(fā)的SENTECH多腔系統(tǒng)通過(guò)圖形用戶界面控制軟件操作,。強(qiáng)大的控制軟件可用于工業(yè)領(lǐng)域高產(chǎn)量的多腔系統(tǒng),。

CVD技術(shù)是建立在化學(xué)反應(yīng)基礎(chǔ)上的,通常把反應(yīng)物是氣態(tài)而生成物之一是固態(tài)的反應(yīng)稱為CVD反應(yīng)，因此其化學(xué)反應(yīng)體系必須滿足以下三個(gè)條件:在沉積溫度下,反應(yīng)物必須有足夠高的蒸氣壓,。若反應(yīng)物在室溫下全部為氣態(tài),則沉積裝置就比較簡(jiǎn)單;若反應(yīng)物在室溫下?lián)]發(fā)很小,，則需要加熱使其揮發(fā),有時(shí)還需要用運(yùn)載氣體將其帶人反應(yīng)室。

應(yīng)生成物中,除了所需要的沉積物為固態(tài)之外,其余物質(zhì)都必須是氣態(tài),。

沉積薄膜的蒸氣壓應(yīng)足夠低,，以保證在沉積反應(yīng)過(guò)程中,沉積的薄膜能夠牢固地附著在具有一定沉積溫度的基片上?；牧显诔练e溫度下的蒸氣壓也必須足夠低,。

熱CVD（ThermalCVD）：通過(guò)高溫加熱使反應(yīng)物氣體分解或反應(yīng)，成薄膜,。

利用等離子體來(lái)降低反應(yīng)溫度,，提高沉積速率和薄膜質(zhì)量,。

光輔助CVD（Photo-AssistedCVD,PACVD）：利用光能（通常是紫外光）促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，常用于有機(jī)材料的沉積,。

激光CVD（LaserCVD,LCVD）：利用激光束引發(fā)或促進(jìn)化學(xué)反應(yīng),，能夠?qū)崿F(xiàn)局部精細(xì)沉積。

金屬有機(jī)CVD（Metal-OrganicCVD,MOCVD）：使用金屬有機(jī)化合物作為反應(yīng)物氣體,，廣泛用于半導(dǎo)體和光電子器件的制造,。

液態(tài)源CVD（LiquidPhaseCVD,LPCVD）：使用液態(tài)化合物作為反應(yīng)物，通常需要先將液態(tài)化合物氣化,。

沉積系統(tǒng)介紹

高產(chǎn)量

等離子蝕刻和沉積腔體可以與多達(dá)兩個(gè)片盒站組合,，用于到200mm晶片的高產(chǎn)量工藝。

研發(fā)

三到六個(gè)端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機(jī),、RIE刻蝕機(jī),、原子層、PECVD和ICPECVD沉積設(shè)備,，以滿足研發(fā)的要求,。樣品可以通過(guò)預(yù)真空室和/或真空片盒站加載。

包括等離子刻蝕和/或沉積腔體,、傳送腔室,、預(yù)真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機(jī)械手臂,，可適用于三至六個(gè)端口,。可以使用多達(dá)兩個(gè)片盒站來(lái)增加產(chǎn)量,。傳送腔室可以配備多種選擇,。

用于研發(fā)的SENTECH多腔系統(tǒng)通過(guò)圖形用戶界面控制軟件操作。強(qiáng)大的控制軟件可用于工業(yè)領(lǐng)域高產(chǎn)量的多腔系統(tǒng),。

CVD技術(shù)是建立在化學(xué)反應(yīng)基礎(chǔ)上的,通常把反應(yīng)物是氣態(tài)而生成物之一是固態(tài)的反應(yīng)稱為CVD反應(yīng),，因此其化學(xué)反應(yīng)體系必須滿足以下三個(gè)條件:

在沉積溫度下,反應(yīng)物必須有足夠高的蒸氣壓,。若反應(yīng)物在室溫下全部為氣態(tài),則沉積裝置就比較簡(jiǎn)單;若反應(yīng)物在室溫下?lián)]發(fā)很小,，則需要加熱使其揮發(fā),有時(shí)還需要用運(yùn)載氣體將其帶人反應(yīng)室。

反應(yīng)生成物中,除了所需要的沉積物為固態(tài)之外,其余物質(zhì)都必須是氣態(tài),。

沉積薄膜的蒸氣壓應(yīng)足夠低,，以保證在沉積反應(yīng)過(guò)程中,沉積的薄膜能夠牢固地附著在具有一定沉積溫度的基片上?；牧显诔练e溫度下的蒸氣壓也必須足夠低,。

熱CVD（ThermalCVD）：通過(guò)高溫加熱使反應(yīng)物氣體分解或反應(yīng)，形成薄膜,。

利用等離子體來(lái)降低反應(yīng)溫度,，提高沉積速率和薄膜質(zhì)量,。

光輔助CVD（Photo-AssistedCVD,PACVD）：利用光能（通常是紫外光）促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，常用于有機(jī)材料的沉積,。

激光CVD（LaserCVD,LCVD）：利用激光束引發(fā)或促進(jìn)化學(xué)反應(yīng),，能夠?qū)崿F(xiàn)局部精細(xì)沉積。

金屬有機(jī)CVD（Metal-OrganicCVD,MOCVD）：使用金屬有機(jī)化合物作為反應(yīng)物氣體,，廣泛用于半導(dǎo)體和光電子器件的制造,。氣態(tài)源CVD（VaporPhaseCVD,VPCVD）：使用氣態(tài)化合物作為反應(yīng)物。液態(tài)源CVD（LiquidPhaseCVD,LPCVD）：使用液態(tài)化合物作為反應(yīng)物,，通常需要先將液態(tài)化合物氣化,。