1. 產(chǎn)品概述

Pangea®A系列常規(guī)IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面,，濺射形成刻蝕圖像,。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響,。這種物理方案,，幾乎可以用來刻蝕任何固體材料，包括金屬,、合金,、氧化物,、化合物、混合材料,、半導(dǎo)體,、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制,，提升了工藝可控性,；載片臺的角度可調(diào)整，實現(xiàn)離子束傾斜入射,，可用于特殊圖案的刻蝕,，也適用于側(cè)壁清洗等工藝。

2. 系統(tǒng)特性

Pangea®A系列適用于12英寸晶圓,，配置大口徑離子源,，刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%

樣品臺可偏轉(zhuǎn)（tilt），偏轉(zhuǎn)范圍：-90°到+80°,，實現(xiàn)離子束傾斜入射

工藝過程中,，樣品臺可自轉(zhuǎn)

可搭配多種傳輸模塊