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Plasmalab 133 牛津儀器 RIE 半導體刻蝕機

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 艾博納微納米科技(江蘇)有限責任公司
  • 品牌 ABNER/艾博納
  • 型號 Plasmalab 133
  • 產(chǎn)地 江蘇省淮安市清江浦區(qū)清浦工業(yè)園枚皋路7號
  • 廠商性質 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2025/1/16 16:59:15
  • 訪問次數(shù) 454
產(chǎn)品標簽

半導體刻蝕機刻蝕機RIE

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艾博納微納米科技(江蘇)有限公司致力于科研器材的研發(fā)與生產(chǎn),,以國際科研單位力量為支點,凝聚社會力量共同謀求推動全“人類科學發(fā)展與進步”,。艾博納微納米科技(江蘇)有限公司創(chuàng)立于中國江蘇,,用戶群體分布于世界各國以及國內大陸大部分地區(qū)。公司主營業(yè)務有物理科研器材,、二維材料轉移裝置,、二維材料微納加工設備、微納米光學系統(tǒng)包括遠場以及近場全波段光學顯微系統(tǒng)研發(fā),、國產(chǎn)原子力顯微鏡,、耗材(包含氮化硼國產(chǎn)高質量生長等各種晶體、硅片,、超干凈藍膜膠帶等),、其他二維材料制備相關設備如等離子處理儀、顯像設備等,。所有經(jīng)由我司售賣的產(chǎn)品均享受售后保障,,用戶可放心購買。



探針臺,,二維材料轉移臺,,金相顯微鏡,步進電機,,步進電機控制器,,原子力顯微鏡,拉曼光譜儀

牛津儀器 RIE 半導體刻蝕機 Plasmalab 133,。刻蝕是半導體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝,。在半導體器件的整個制造過程中,刻蝕步驟多達上百個,,是半導體制造中常見的工藝之一,。本設備支持的晶圓尺寸最大為300mm(330mm基臺)RIE設置為GaN刻蝕射頻功率:600W,13.56MHz水冷電極:10C-80C終點檢測:Verity光發(fā)射光譜(200-800nm)帶8條氣體管線的氣體艙,,包括以下7個質量流量控制器(MFCs):Ar:100sccmCl2:100sccmBCl3:100sccmN2O:200sccmCHF3:200sccmNH3:100sccmCH4:50sccm

射頻功率:600W,,13.56MHz
水冷電極:10C-80C
終點檢測:Verity光發(fā)射光譜(200-800nm)
帶8條氣體管線的氣體艙,,包括以下7個質量流量控制器(MFCs):
Ar:100sccm
Cl2:100sccm
BCl3:100sccm
N2O:200sccm
CHF3:200sccm
NH3:100sccm
CH4:50sccm






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