ULVAC ei-5z系列電子束真空蒸發(fā)鍍金儀是一款可同時安裝電子束蒸發(fā)和熱蒸發(fā)源的多功能蒸發(fā)臺,，可用于各種金屬,、合金、非金屬蒸發(fā)鍍膜,，可做垂直入射蒸發(fā)工藝,，可做穿墻式設(shè)計，采用全自動控制,，穩(wěn)定,，高效。

高真空環(huán)境：提供高純度膜層,，適用于高精度研究和少量生產(chǎn)。
多種材料蒸發(fā)：支持金屬,、ITO,、二氧化硅等多種材料的蒸發(fā)，應(yīng)用廣泛,。

一,、熱蒸發(fā)鍍膜概述

熱蒸發(fā)鍍膜（Thermal Evaporation Coating）是一種利用高溫使鍍膜材料蒸發(fā)，并在真空環(huán)境中沉積到基片表面形成薄膜的物理氣相沉積（PVD）技術(shù)。其核心是通過蒸發(fā)材料的氣態(tài)原子或分子在基片上凝結(jié)成膜,，廣泛應(yīng)用于光學,、電子、裝飾和防護涂層等領(lǐng)域,。

二,、工作原理

真空環(huán)境

真空腔室（通常壓力為10??~10?? Torr）的作用：

減少氣體分子與蒸發(fā)材料的碰撞，確保蒸氣直線傳播到基片,。

防止材料氧化或污染,，保證薄膜純度。

蒸發(fā)過程

加熱方式：

電阻加熱：將蒸發(fā)材料（如金,、銀,、鋁）置于鎢絲或鉭舟中，通電加熱至熔點以上,。

電子束蒸發(fā)（EBE）：用電子槍聚焦高能電子束轟擊材料表面局部加熱,，適合高熔點材料（如氧化物、碳化物）,。

材料蒸發(fā)：材料受熱后升華或熔融蒸發(fā),，形成蒸氣云。

沉積成膜

蒸氣原子在基片表面凝結(jié),，通過擴散形成均勻薄膜,。

可通過控制蒸發(fā)速率、基片溫度及旋轉(zhuǎn)速度優(yōu)化膜層質(zhì)量,。

三,、操作流程

準備工作

基片處理：超聲清洗基片（如玻璃、硅片）去除表面污染物,，干燥后裝入真空室,。

蒸發(fā)材料裝載：將材料（如鋁粒、銀絲）放入蒸發(fā)源（如鎢舟,、坩堝）,。

設(shè)備檢查：確認真空泵、電源,、冷卻系統(tǒng)正常,。

抽真空

啟動機械泵預(yù)抽至低真空（約10?? Torr），再啟動分子泵或擴散泵達到高真空（10??~10?? Torr）,。

預(yù)熔與蒸發(fā)

預(yù)熔：低電流加熱蒸發(fā)材料,，去除雜質(zhì)氣體（避免膜層起泡）。

正式蒸發(fā)：逐步提高電流至材料蒸發(fā),，通過石英晶體監(jiān)控器（QCM）實時監(jiān)測膜厚,。

沉積與冷卻

完成預(yù)定厚度后停止加熱,，保持真空至基片冷卻（防止氧化）。

緩慢充入惰性氣體（如氮氣）至常壓,，取出基片,。

四、維護要點

真空系統(tǒng)維護

真空泵：定期更換機械泵油,，檢查分子泵軸承潤滑,，防止油污染。

密封檢查：使用氦質(zhì)譜檢漏儀檢測腔體密封圈（如O型圈）是否漏氣,。

蒸發(fā)源維護

電阻加熱源：清理鎢舟殘留材料,，避免短路；更換老化的加熱絲,。

電子束蒸發(fā)源：清潔電子槍燈絲,，校準電子束聚焦系統(tǒng)。

腔體清潔

使用無塵布和丙酮擦拭腔體內(nèi)壁,，清除沉積的膜層殘留,。

避免硬物刮擦，防止損傷真空腔表面,。

儀器校準

膜厚監(jiān)控：定期校準石英晶體傳感器,，確保測量精度。

溫度控制：校驗基片加熱器的溫度反饋系統(tǒng),。

五,、常見問題與解決

膜層不均勻

原因：基片旋轉(zhuǎn)不均、蒸發(fā)速率波動,。

解決：檢查旋轉(zhuǎn)電機,，穩(wěn)定蒸發(fā)電流。

膜層附著力差

原因：基片清潔不或真空度不足,。

解決：加強基片前處理,，提高真空度。

蒸發(fā)源壽命短

原因：材料過載或電流過高,。

解決：按額定功率使用,，避免長時間滿負荷運行。

六,、應(yīng)用領(lǐng)域

光學鍍膜：反射鏡,、增透膜（如相機鏡頭）。

電子器件：金屬電極（如OLED陽極）,、半導(dǎo)體封裝,。

裝飾鍍膜：手表、手機外殼的金屬光澤涂層,。

防護涂層：防腐蝕,、抗氧化薄膜。

七,、安全注意事項

高溫防護：操作時佩戴隔熱手套,，避免觸碰加熱部件。

真空安全：充氣前確認壓力正常,，防止腔體爆裂,。

化學品安全：妥善處理蒸發(fā)材料（如鎘、鉛等有毒物質(zhì)）,。

ULVAC ei-5z系列電子束真空蒸發(fā)鍍金儀主要技術(shù)參數(shù)：

·適用于2-8inch各種形狀的Si,、GaAs、玻璃陶瓷等基板,；

·采用低空泵,，可在20min內(nèi)達到3.0*10-4Pa，極限壓強可達3.0*10-5Pa或更低,；

·采用電子束或熱蒸發(fā)源,，擋板共用；

·膜厚均勻性好于±5%,；