E2V芯片DDR4
- 公司名稱 天津瑞利光電科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2024/6/24 15:08:58
- 訪問次數(shù) 251
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| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | 微流控芯片系統(tǒng) |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣 |
產(chǎn)品名稱：E2V芯片DDR4
產(chǎn)品型號(hào)：DDR4
產(chǎn)品介紹
DDR4理想的伴侶芯片,，適用于處理器,、FPGA、SiP解決方案等太空級(jí)設(shè)備…4/8GB耐輻射DDR4內(nèi)存多芯片封裝（MCP）是一種高密度內(nèi)存解決方案,，針對(duì)空間嵌入式系統(tǒng)和應(yīng)用,。
這種空間級(jí)DDR4內(nèi)存能夠提高性能，同時(shí)占用小的板載空間——這在高度空間限制,、密集的衛(wèi)星設(shè)計(jì)中肯定是有價(jià)值的,。它可以與具有DDR4控制器的處理器和FPGA結(jié)合使用，也可以嵌入Teledyne e2v Space版本的Qormino通用計(jì)算平臺(tái)以及Space版本的LS1046四核處理器（QLS1046-4GB）,。與DDR4內(nèi)存一起,，提供了一個(gè)完整的輻射和應(yīng)用數(shù)據(jù)包，使設(shè)計(jì)師能夠快速開發(fā)他們的板,，風(fēng)險(xiǎn)小,。
性能特點(diǎn)
l 非常小的占地面積：與使用分立組件相比，節(jié)省了板空間,。
l 每立方英寸存儲(chǔ)容量非常高,。
l 每立方英尺存儲(chǔ)帶寬非常高。
l 堅(jiān)固耐用：焊接PBGA,。
l 高信號(hào)完整性,。
l 0.8毫米間距：無引線和有引線球選項(xiàng)。
l 適用于需要Mil Temp范圍,、小形狀因數(shù),、非密封操作的高可靠性和空間應(yīng)用。
選型指南
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)地：英國(guó)
密度：4GB/8GB
總線寬度：72位（64位數(shù)據(jù)+8位ECC）
速度：高達(dá)2400 MT/s
模塊尺寸：15 mm x 20 mm x 1.92 mm
焊球數(shù)量：391
間距：0.8 mm
SEL-LET閾值：>60.88 MeV.cm2/mg
TID公差：100 krad（Si）
質(zhì)子：可獲得高達(dá)190MeV的數(shù)據(jù)
可編程CAS延遲：13,15,16,17,19
復(fù)位：異步
兼容封裝：SnPb和RoHS
重量：1.2 g+/-0.1 g
采購中心
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