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LFT1400C 800D802Z ZnO納米材料生長

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熱處理設備,高溫爐,、CVD/PECVD,、真空系統(tǒng)、晶體,、耗材等

產地類別 國產 價格區(qū)間 面議
儀器種類 管式爐 應用領域 化工,石油,能源,電子/電池,電氣

一,、設備特點

 碳納米膜制備設備由氣體質量流量計控制系統(tǒng)、液體注液系統(tǒng),、多段溫度可控多區(qū)生長系統(tǒng),、水冷卻系統(tǒng)、碳納米線或膜收集系統(tǒng),,紅外烘干系統(tǒng)等組成,。生長爐的最高溫度1400℃,,并可在0-1400℃之間連續(xù)可調,垂直式分布熱場,,三點控溫(三段長度平均分配),,設備頂部設有注液口、導流器,。爐體采用雙層殼體結構并帶有風冷系統(tǒng),,保溫材料為加厚型,殼體表面溫度小于60℃,。采用高純氧化鋁管作為爐膛材料,,加熱元件為優(yōu)質硅碳棒。測溫采用適用于高溫環(huán)境的“S”型熱電偶,,直接和式樣接觸,,以提高控溫的精確性。本款碳納米管或膜CVD設備可以實現(xiàn)連續(xù)生長不間斷的特點,。

二,、技術參數(shù)

型號

LFT1400C 800D802Z

額定功率

20KW(參考)

額定電壓

AC220V 50/60HZ

最高溫度

1400℃

額定溫度

1300℃

推薦升溫速率

200℃以下≤5℃/min,200-1400℃以下≤10℃/min,,1400℃到1600℃≤5℃/min

爐管尺寸

(可根據(jù)客戶要求訂制)

Φ80× 1400mm(剛玉管)

控溫精度

±1℃

極限真空度(選件)

1.0×10-3Pa(機械泵+分子泵)

加熱元件

硅碳棒

重量

230KG(參考)

 



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