產(chǎn)品關(guān)鍵詞：電吸收譜、電場(chǎng)誘導(dǎo)吸收光譜,、電荷注入吸收光譜,、EIEAS、CIEAS,、電荷調(diào)制吸收譜,、斯塔克效應(yīng)、帶隙測(cè)定,、激子態(tài),、量子阱子帶躍遷、電場(chǎng)誘導(dǎo)效應(yīng),、注入電荷誘導(dǎo)效應(yīng)

Keywords: electric absorption spectrum, electric field induced absorption spectrum, charge injection absorption spectrum, EIEAS, CIEAS, charge modulated absorption spectrum, Stark effect, band gap measurement, exciton state, quantum well band transition, electric field induced effect, injected charge induced effect

▌ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

電吸收光譜儀（EAS）是一種通過(guò)測(cè)量樣品在施加電場(chǎng)時(shí)對(duì)光的吸收變化來(lái)研究半導(dǎo)體和其他材料屬性的技術(shù),。通過(guò)電吸收光譜，可以得到吸收系數(shù)與電場(chǎng)的一階,、二階等高階效應(yīng)的樣品信息,。其中，斯塔克效應(yīng)（Box1）是典型導(dǎo)致電吸收信號(hào)產(chǎn)生的物理效應(yīng),，此外還可以用來(lái)研究電荷調(diào)制吸收譜等,。Excion 包括電場(chǎng)誘導(dǎo)吸收光譜（EIEAS）和電荷注入吸收光譜（CIEAS）兩大模塊功能，方便用戶(hù)靈活研究電場(chǎng)誘導(dǎo)效應(yīng)和注入電荷誘導(dǎo)效應(yīng),。

Excion 是業(yè)內(nèi)范圍內(nèi)首套電吸收光譜商業(yè)化設(shè)備,，由東譜科技的科研人員和工程師攜手來(lái)自劍橋大學(xué)、香港城市大學(xué),、中山大學(xué),、華南理工大學(xué)的專(zhuān)家成員聯(lián)合研發(fā)而成。

從應(yīng)用方向上,，EAS 具有廣泛的應(yīng)用范圍,，特別是在半導(dǎo)體物理和光電子學(xué)領(lǐng)域。以下是一些EAS應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域和方向：

（1）帶隙測(cè)定：EAS可用于測(cè)量半導(dǎo)體的帶隙,。在外加電場(chǎng)作用下,，靠近帶邊的吸收起始點(diǎn)會(huì)發(fā)生移動(dòng)，從而允許精確確定帶隙能量,。

（2）激子態(tài)：在半導(dǎo)體中,，激子——電子和空穴的束縛態(tài)——可以使用 EAS 進(jìn)行研究。外加電場(chǎng)可以改變這些激子存在所需的能量,，這表現(xiàn)為吸收光譜的變化,。

（3）量子阱子帶躍遷(intersubband transition)：對(duì)于像量子阱、線(xiàn)和點(diǎn)這樣的量子限制結(jié)構(gòu),，EAS 可以用來(lái)觀察子帶間的躍遷,，這對(duì)于理解材料的尺寸對(duì)電子性質(zhì)的影響非常重要。

（4）材料質(zhì)量評(píng)估：EAS可以幫助檢測(cè)半導(dǎo)體樣品中的雜質(zhì)和缺陷,。吸收光譜的變化可能表明存在影響電子結(jié)構(gòu)的缺陷或雜質(zhì),。

（5）光電子器件特性表征：在開(kāi)發(fā)LED、光電探測(cè)器和太陽(yáng)能電池等器件時(shí),，EAS可以提供有關(guān)材料在工作狀態(tài)下的行為的理解,。這包括研究電場(chǎng)對(duì)光發(fā)射或吸收過(guò)程效率的影響。

（6）調(diào)制器和開(kāi)關(guān)：基于半導(dǎo)體的光調(diào)制器和開(kāi)關(guān)依賴(lài)于斯塔克效應(yīng),，這可以通過(guò)EA光譜學(xué)來(lái)表征和優(yōu)化,。

（7）非線(xiàn)性光學(xué)特性：具有非線(xiàn)性光學(xué)特性的材料可以使用EAS進(jìn)行研究，以了解它們?nèi)绾闻c強(qiáng)電場(chǎng)相互作用,，這對(duì)于光信號(hào)處理和通信應(yīng)用至關(guān)重要,。

（8）量子信息處理：在新興的量子計(jì)算領(lǐng)域，EAS可以協(xié)助設(shè)計(jì)和分析可能作為量子比特（qubits）或其他量子光學(xué)組件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),。 總之,，EA光譜學(xué)的應(yīng)用使研究人員和工程師能夠深入了解材料的電子屬性，有助于推進(jìn)材料科學(xué)的發(fā)展,，并優(yōu)化光電子器件,，服務(wù)于包括半導(dǎo)體,、電信、能源,、照明及顯示和量子計(jì)算等在內(nèi)的各個(gè)行業(yè),。

Excion電吸收光譜儀的一般使用流程如下：

（1）樣品準(zhǔn)備： 將半導(dǎo)體或其他材料的薄膜樣品準(zhǔn)備好，并附上電接觸點(diǎn),，以便在其上施加電場(chǎng),。常見(jiàn)的方式是把樣品制備成三明治結(jié)構(gòu)。

（2）施加電場(chǎng)： 向樣品施加直流或低頻電場(chǎng),，可以在軟件靈活設(shè)置電場(chǎng)的大小,、頻率、偏置值等,。

（3）光吸收測(cè)量： 在EIEAS 或CIEAS的模式下,，設(shè)置掃描波長(zhǎng)、掃描電場(chǎng)頻率,、掃描電場(chǎng)大小等測(cè)試變量,，進(jìn)行變量依賴(lài)的光吸收測(cè)量。

（4）數(shù)據(jù)分析： 通過(guò)比較有無(wú)電場(chǎng)時(shí)的吸收光譜,，可以觀察到對(duì)應(yīng)于材料中不同電子態(tài)之間轉(zhuǎn)換的吸收變化,。施加電場(chǎng)可能會(huì)導(dǎo)致吸收峰的位移，表明電子在能級(jí)間轉(zhuǎn)換所需能量的變化,。Excion 提供了數(shù)據(jù)平滑,、分峰、一階導(dǎo),、二階導(dǎo),、指數(shù)擬合、多項(xiàng)式擬合等豐富的數(shù)據(jù)分析功能,。

（5）數(shù)據(jù)導(dǎo)出：Excion提供便捷的數(shù)據(jù)導(dǎo)出功能,，可以導(dǎo)出TXT/CSV等文本格式的數(shù)據(jù)。

（6）數(shù)據(jù)解釋?zhuān)河脩?hù)從Excion獲得的數(shù)據(jù)可以用來(lái)研究半導(dǎo)體材料的各種性質(zhì),，包括帶隙（價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能量差）,、帶邊緣附近的態(tài)密度、內(nèi)建電場(chǎng)以及可能影響電子結(jié)構(gòu)的缺陷或雜質(zhì)的存在等等,。

Excion憑借其高靈敏度與精確度,、多功能性、易用性,、高通量檢測(cè),、耐用性、完善的技術(shù)支持與售后服務(wù)等優(yōu)點(diǎn)，成為工業(yè)和科研領(lǐng)域的理想選擇,。

▌ 產(chǎn)品特點(diǎn)

□ 多功能性：Excion 開(kāi)發(fā)借鑒了前沿的電吸收科研與工業(yè)應(yīng)用研究成果,，集成了EIEAS和CIEAS兩種原理模式，集成了透射與反射兩種光路檢測(cè)模式,，還可以進(jìn)行多達(dá)8種以上的物理變量掃描與單點(diǎn)檢測(cè)測(cè)試,；

□ 高靈敏度與精確度：Excion 采用了新的調(diào)制、傳感與檢測(cè)技術(shù),，能夠捕捉到極其微小的變化，其測(cè)量結(jié)果具有高度的可靠性和重復(fù)性,，確保了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性,；

□ 寬光譜范圍：這款光譜儀覆蓋了從紫外到近紅外（200-2500nm）的廣泛波段，適用于多種不同的電吸收光譜分析需求,；

□ 高通量檢測(cè)：人工智能的設(shè)計(jì)理念,，高程度的自動(dòng)化設(shè)計(jì)，高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使得 Excion 能夠迅速完成光譜掃描,，大大提高了工作效率和實(shí)驗(yàn)通量,；

□ 易于操作：Excion的用戶(hù)界面設(shè)計(jì)直觀易懂，即使是非專(zhuān)業(yè)人員也能輕松上手,，具有典型的“Plug & Play”和“Turn-key”特征,。；

□ 穩(wěn)定性與可靠性：Excion采用高質(zhì)量的零部件和精密的制造工藝,，引入了完善的錯(cuò)誤處理與設(shè)計(jì),，確保了儀器長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行，減少了維護(hù)成本,；

□ 完善的技術(shù)支持與售后服務(wù)：我們?yōu)?Excion 提供全面的技術(shù)支持和保修服務(wù),，確保用戶(hù)在使用過(guò)程中無(wú)后顧之憂(yōu)。

▌ 測(cè)量模式

測(cè)量模式

□ 單點(diǎn)測(cè)量,；

□ 掃描測(cè)量,；

• 波長(zhǎng)掃描
  

• 頻率掃描
  

• 相位掃描
  

• 光源強(qiáng)度掃描
  

• 電場(chǎng)強(qiáng)度掃描
  

• 注入電流掃描
  

• 溫度掃描：變溫測(cè)試
  

原理模式  

• 電場(chǎng)誘導(dǎo)吸收光譜（EIEAS）
  

• 電荷注入吸收光譜（CIEAS）
  

• 電荷調(diào)制吸收譜等
  

• 電吸收譜
  

▌ 功能參數(shù)

▌ 產(chǎn)品應(yīng)用

□ 帶隙測(cè)定；

□ 激子態(tài)研究,；

□ 量子阱子帶躍遷,；

□ 材料質(zhì)量評(píng)估；

□ 光電子器件特性表征,；

□ 調(diào)制器和開(kāi)關(guān),；

□ 非線(xiàn)性光學(xué)特性；

□ 量子信息處理等,。