產(chǎn)品名稱： Infineon-晶體管-IMBG120R350M1H

產(chǎn)品型號： IMBG120R350M1H

產(chǎn)品介紹： 采用 D2PAK-7L (TO-263-7) 封裝的 CoolSiC 1200 V、350 mΩ SiC MOSFET 基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝,，該工藝經(jīng)過優(yōu)化,，兼具性能和工作可靠性。CoolSiC 技術(shù)的低功率損耗與全新 1200 V 優(yōu)化 SMD 封裝中的 .XT 互連技術(shù)相結(jié)合,，在驅(qū)動(dòng)器,、充電器和工業(yè)電源等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了效率和被動(dòng)冷卻潛力。開關(guān)損耗低,，短路耐受時(shí)間為 3 µs,， 可控的 dV/dt，基準(zhǔn)柵極閾值電壓 VGS(th) = 4.5 V,，對寄生導(dǎo)通具有堅(jiān)固性,，可采用 0 V 關(guān)斷柵極電壓，穩(wěn)健的體二極管可實(shí)現(xiàn)硬換向,，采用 .XT 互連技術(shù),，具有同類良好的散熱性能，封裝爬電距離和間隙大于 6.1 毫米,，感應(yīng)引腳可優(yōu)化開關(guān)性能,。 

性能特點(diǎn)： 

效率提高

實(shí)現(xiàn)更高頻率

提高功率密度

減少冷卻工作量

降低系統(tǒng)復(fù)雜性和成本

SMD 封裝可直接集成到印刷電路板上,，自然對流冷卻，無需額外的散熱片

技術(shù)參數(shù)： 

產(chǎn)地：德國

封裝：TO-263-7

漏源電壓V_DS ：1200 V

直流漏極電流I_D T_C = 25°C, R_th(j-c,max)：4.7 A

脈沖漏極電流,，t_p 受 T_vjmax 限制,，V_GS = 18V：17 A

RDS(onT_vj = 25°C, I_D = 2A, V_GS = 18V：350 mΩ

虛擬結(jié)溫T_vj：-55 ℃ 至175 ℃

焊接溫度回流焊接（MSL1，符合 JEDEC J-STD-020 標(biāo)準(zhǔn)）：260 ℃

MOSFET/ 本體二極管熱阻,，結(jié)點(diǎn) - 外殼R_th(j-c）：1.8 - 2.3 K/W

熱阻,，結(jié)點(diǎn) - 環(huán)境R_th(j-a)：62 K/W

輸入電容：196 pF

輸出電容：9 pF

反向電容：0.94 pF

C_oss儲(chǔ)存能量：3.8 μJ

柵極總電荷：5.9 nC

柵極至源極電荷：1.5 nC

柵極至漏極電荷：1.2 nC

產(chǎn)品應(yīng)用： 

電動(dòng)汽車充電、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制,、光伏,、不間斷電源 (UPS)