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IRF614S, SiHF614S VISHAY半導(dǎo)體 MOSFET 測(cè)試設(shè)備
參考價(jià) | ¥ 578 |
訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱 北京漢達(dá)森機(jī)械技術(shù)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) IRF614S, SiHF614S
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2023/12/1 15:33:36
- 訪問次數(shù) 249
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,綜合 |
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VISHAY半導(dǎo)體 MOSFET 測(cè)試設(shè)備
影響閘機(jī)的因素有很多VISHAY MOSFET,,有必要了解其基本原理VISHAY MOSFET行為之前的器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)可以被解釋,。本應(yīng)用筆記詳細(xì)介紹了基本結(jié)構(gòu)溝槽VISHAY MOSFET 結(jié)構(gòu),識(shí)別寄生組件和定義相關(guān)術(shù)語,。VISHAY MOSFET 具有多種拓?fù)?、開關(guān)速度、負(fù)載電流和可用的輸出電壓,,
VISHAY MOSFET 已成為無法確定提供最佳性能的通用 MOSFET在廣泛的電路條件下的性能,。VISHAY MOSFET 在在某些情況下,導(dǎo)通電(rDS(on)) 損失占主導(dǎo)地位,,而在其他情況下,,VISHAY MOSFET 是開關(guān)損耗瞬態(tài)電流和電壓波形,或損失與驅(qū)動(dòng)器件的柵極相關(guān)聯(lián),。VISHAY MOSFET 輸入和輸出電容可以是占主導(dǎo)地位的損失,。
VISHAY半導(dǎo)體 MOSFET 測(cè)試設(shè)備