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Lightning DENS TEM 原位熱電桿

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“復(fù)納科技”)于 2012 年在上海成立,聚焦荷蘭飛納臺(tái)式掃描電鏡在中國(guó)市場(chǎng)的推廣和應(yīng)用,,涵蓋領(lǐng)域包括材料,、鋰電新能源、半導(dǎo)體,、生命科學(xué)和法醫(yī)檢測(cè)等,。

截止目前,復(fù)納科技服務(wù)超過(guò) 2000 家飛納電鏡客戶(hù)和 100 家相關(guān)產(chǎn)品客戶(hù),,包括:清華大學(xué),、北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué),、上海交通大學(xué),、華南理工大學(xué)和中科院系統(tǒng)等高校科研單位,;巴斯夫,、寧德時(shí)代、微軟,、默克和出入境檢驗(yàn)局等企事業(yè)單位,。

2017 年開(kāi)始,,復(fù)納科技陸續(xù)與 7 家行業(yè)品牌建立了長(zhǎng)期合作,致力于為中國(guó)高校,、研究所,、企業(yè)和政府用戶(hù)提供先進(jìn)可靠、高效智能的科學(xué)分析儀器,、優(yōu)質(zhì)專(zhuān)業(yè)的服務(wù)和基于核心技術(shù)的解決方案,。目前已引進(jìn)先進(jìn)的:DENSsolutions TEM原位樣品桿,飛納臺(tái)式掃描電鏡,,NEOSCAN臺(tái)式高分辨顯微 CT,,F(xiàn)orgeNano原子層沉積、 Technoorg Linda SEM/TEM樣品制備和VSParticle 納米氣溶膠沉積等設(shè)備,。

十年以來(lái),,復(fù)納科技賦能中國(guó)科研創(chuàng)新、工業(yè)升級(jí),,人工智能檢測(cè)的使命也越來(lái)越清晰,。

 

 

 

 

臺(tái)式掃描電鏡,SEM / TEM 樣品制備,,ALD 原子層沉積,,TEM 原位樣品桿,X 射線(xiàn)顯微 CT

 

DENS Lightning TEM 原位熱電方案

圖片1.png

Lignting-芯片.png

DENSsolutions-logo-big.png

 

 

01 產(chǎn)品概況

Lightning TEM 原位熱電方案是為了幫助研究人員在精確控制加電和加熱環(huán)境的同時(shí)觀察樣品變化的實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)過(guò)程,,擴(kuò)展了在TEM中的應(yīng)用范圍,。搭配的 Lightning Nano-chip 芯片能夠提供最高精度控制樣品偏壓和加熱環(huán)境的能力,能在 900℃ 高溫下同時(shí)實(shí)現(xiàn)高于300kV/cm 的電場(chǎng),,芯片擁有多種配置,,能夠滿(mǎn)足不同的實(shí)驗(yàn)要求,并都能保證 TEM 的原子級(jí)分辨率成像能力,,同時(shí)創(chuàng)建了最為真實(shí)的應(yīng)用環(huán)境,。在進(jìn)行熱學(xué)研究的同時(shí),在 pA 電流靈敏度下完成 I-V 測(cè)試,,為原位實(shí)驗(yàn)研究提供了全新的觀察視角,。

 

02 產(chǎn)品特點(diǎn)

 

 

樣品制備簡(jiǎn)單便捷

 

1. 樣品制備成功率高

使用我們專(zhuān)有的 FIB 樣品臺(tái)、Nano-Chip 芯片和詳細(xì)的

制樣流程簡(jiǎn)化了整個(gè)制樣過(guò)程,。

2. 優(yōu)質(zhì)的 FIB 薄片

直接在芯片上進(jìn)行最終減薄,,而不影響加熱和加電性能。

 

00 DENS 綜合彩頁(yè) L.jpg

 

可靠的環(huán)境刺激控制

1. 精準(zhǔn)控制加熱和加電

四探針?lè)榧訜岷图与娫O(shè)計(jì)提供了最準(zhǔn)確的溫度,、電壓和

電流控制,。

2. 原位環(huán)境刺激范圍廣

基于 MEMS 的 Nano-Chip 芯片旨在單獨(dú)或同時(shí)承受最高

溫度和電場(chǎng)。

3. 可靠的溫度

可通過(guò)使用 EELS 和 SAED 技術(shù)在 TEM 中直接驗(yàn)證溫

度。

 

 

 

微信截圖_20230418152621.png

 

 

高質(zhì)量的數(shù)據(jù)結(jié)果

1. 全新的觀察視角

進(jìn)行熱學(xué)研究的同時(shí),,在具有真正 pA 電流靈敏度的條件

下測(cè)量 I-V,。

2. 超高穩(wěn)定性

即使溫度達(dá)到 1000 °C( ΔT = 1000 °C),漂移率也小

于 200 nm,,樣品穩(wěn)定時(shí)間短,,即使在高電壓下也能達(dá)到

原子級(jí)分辨率。

3. 不受影響的 STEM/TEM 性能

較小的 Z 軸位移(膨脹)保證了分辨率不受影響,,且無(wú)

需移動(dòng)樣品臺(tái),。

 

 

 

 

微信截圖_20230418152634.png

 

03. 案例分享
 

下圖是在 800℃ 的條件下,我們對(duì)樣品進(jìn)行加電實(shí)驗(yàn),,觀察樣品核殼納米材料在 HRTEM 下顯示的結(jié)構(gòu)變化,并且此時(shí)電壓可以達(dá)到值,。樣品桿具有高穩(wěn)定性,,即便在最高溫度和電場(chǎng)環(huán)境下,也能實(shí)現(xiàn)常規(guī)的原子分辨率成像,。

圖片5.png

 

 

04 應(yīng)用領(lǐng)域

微信截圖_20230418153331.png

 

05 原位實(shí)驗(yàn)技術(shù)簡(jiǎn)介

透射電子顯微鏡(TEM)一直是觀察微觀世界的有力工具,。尤其是球差矯正器的出現(xiàn),科學(xué)家已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)在原子尺度上對(duì)材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征成像,。此外,,TEM 的進(jìn)步也帶動(dòng)了 CCD 相機(jī)的發(fā)展,這樣,,TEM 就同時(shí)具有優(yōu)異的空間分辨率和時(shí)間分辨率,,那么時(shí)間和空間的結(jié)合,是否可以讓 TEM 動(dòng)起來(lái),?

眾所皆知,,TEM 需要在高真空條件下表征靜止?fàn)顟B(tài)下的樣品,但這不足以反映材料在真實(shí)環(huán)境下的微觀結(jié)構(gòu),。為此,,荷蘭 DENSsolutions 公司多位科學(xué)家利用最新的 MEMS 技術(shù),設(shè)計(jì)出的納米芯片,,據(jù)此可以向 TEM 中引入動(dòng)態(tài)外界刺激條件,,模擬樣品在真實(shí)環(huán)境下的狀態(tài),打破壓力的限制,,記錄樣品的動(dòng)態(tài)變化過(guò)程,,讓 TEM真正的實(shí)現(xiàn)動(dòng)起來(lái)。

荷蘭 DENSsolutions 公司為透射電鏡提供技術(shù)優(yōu)良的,、納米尺度的原位顯微工具,,其產(chǎn)品可以為原位 TEM 樣品施加外界刺激,捕捉 TEM 樣品在真實(shí)環(huán)境下的動(dòng)態(tài)現(xiàn)象。目前,,已經(jīng)可以在 TEM 中引入氣,、液、熱,、電等多種狀態(tài),。

歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們獲取更多產(chǎn)品方案和技術(shù)支持

 

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