一、高真空互聯(lián)物理氣相薄膜沉積系統(tǒng)概述：

沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜,、電學(xué)薄膜,、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,，工藝性能穩(wěn)定,、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)頂尖的軟件控制系統(tǒng),；4英寸鍍膜區(qū)域內(nèi)片內(nèi)膜厚不均勻性：≤±2.5%,，8英寸鍍膜區(qū)域內(nèi)片內(nèi)膜厚不均勻性：≤±3.5%，測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)以Ti靶材,，濺射200——500nm厚薄膜,，邊緣去5mm，隨機(jī)5點(diǎn)取樣測(cè)定為準(zhǔn),。

樣品托面中心到地面的高度約1360mm,；

鍍膜材料適用于：Au、Ag,、Pt,、W、Mo,、Ta,、Ti、Al,、Si,、Cu、Fe,、Ni,、氧化鋁,，氧化鈦，氧化鋯,，ITO,，AZO，氮化鉭,，氮化鈦等,；

二、PVD平臺(tái)概述：既專注單一功能,、又可通過(guò)拓展實(shí)現(xiàn)多平臺(tái)聯(lián)動(dòng)：

1,、 關(guān)鍵部件接口都為標(biāo)準(zhǔn)接口，可以通過(guò)更換功能單元實(shí)現(xiàn)電子束,、電阻蒸發(fā),、有機(jī)蒸發(fā)、多靶或單靶磁控濺射,、離子束,、多弧、樣品離子清洗等功能,；

2,、 系統(tǒng)平臺(tái)為準(zhǔn)無(wú)油系統(tǒng)，提供更優(yōu)質(zhì)的超潔凈實(shí)驗(yàn)環(huán)境,，保障實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可靠性和重復(fù)性,；

3、 系統(tǒng)可以選擇單靶單樣品,、多靶單樣品等多層沉積方式,；

4,、 靶基距具有腔外手動(dòng)調(diào)節(jié)功能,；

5、 系統(tǒng)設(shè)置一鍵式操作,，可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)手動(dòng)切換,、遠(yuǎn)程控制、遠(yuǎn)程協(xié)助等功能,；

6,、 控制軟件分級(jí)權(quán)限管理，采用配方式自動(dòng)工藝流程,，提供開放式工藝編輯,、存儲(chǔ)與調(diào)取執(zhí)行、歷史數(shù)據(jù)分析等功能,，可以不斷更新和升級(jí),；

7,、 可以提供網(wǎng)絡(luò)和手機(jī)端查詢控制功能（現(xiàn)場(chǎng)要具備局域網(wǎng)絡(luò)），實(shí)現(xiàn)隨時(shí)查詢數(shù)據(jù)記錄,、分析統(tǒng)計(jì)等功能,；

8、 節(jié)能環(huán)保,，設(shè)備能耗優(yōu)化后運(yùn)行功率相比之前節(jié)能10%,；；

9,、 可用于標(biāo)準(zhǔn)鍍膜產(chǎn)品小批量生產(chǎn),。

  三、互聯(lián)系統(tǒng)技術(shù)描述

    真空互聯(lián)系統(tǒng)由物理氣相沉積磁控濺射系統(tǒng)A,、物理氣相沉積磁控濺射系統(tǒng)B,、物理氣相沉積、電子束及熱阻蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)A,、物理氣相沉積電子束及熱阻蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)B,、進(jìn)樣室、出樣室,、傳輸管,、機(jī)械手等組成，可以實(shí)現(xiàn)樣品在真空環(huán)境下不同工藝方法的樣品薄膜制備和傳遞,。