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Uniscan M470 微區(qū)掃描電化學(xué)工作站

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深圳市錫成科學(xué)儀器有限公司深耕科學(xué)儀器與精密測試設(shè)備領(lǐng)域,作為專業(yè)服務(wù)商,,我們整合了多種優(yōu)質(zhì)技術(shù)資源,,為科研創(chuàng)新、工業(yè)制造及質(zhì)量管控領(lǐng)域提供高價值解決方案,。作為國內(nèi)外多個品牌的合作伙伴,,公司構(gòu)建了涵蓋電化學(xué)分析、膜厚與表面輪廓檢測,、電學(xué)測量,、力學(xué)測量等領(lǐng)域的多元化產(chǎn)品體系,致力于以精準(zhǔn)數(shù)據(jù)驅(qū)動行業(yè)升級,。

在電化學(xué)領(lǐng)域,,我們提供從基礎(chǔ)研究到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的先進(jìn)設(shè)備,覆蓋電池性能評估,、電催化研究,、腐蝕監(jiān)測等場景;膜厚及表面輪廓測試產(chǎn)品線以納米級精度賦能半導(dǎo)體,、光學(xué)鍍膜,、新能源材料等行業(yè)的工藝優(yōu)化,;電學(xué)儀表系列聚焦電子元器件檢測及實驗室標(biāo)準(zhǔn)化需求,確保測量精度與效率雙提升,;力學(xué)測量解決方案則專注于材料強度測試,,為金屬、陶瓷,、復(fù)合材料及柔性電子等領(lǐng)域提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐,。

依托成熟的服務(wù)體系、我們幫助客戶實現(xiàn)技術(shù)工具與業(yè)務(wù)場景的深度融合,。未來,,公司將持續(xù)拓展技術(shù)邊界,以創(chuàng)新為引擎,,推動檢測技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展的協(xié)同共進(jìn),,助力客戶在全球競爭中贏得先機。




臺階儀,,光學(xué)輪廓儀,,電化學(xué)工作站,納米壓痕儀,,力電聯(lián)測材料試驗機,,介電溫譜測量系統(tǒng),電阻測試儀,,原子力顯微鏡,,光學(xué)顯微鏡

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 價格區(qū)間 面議
儀器種類 電化學(xué)工作站 應(yīng)用領(lǐng)域 綜合

 

Uniscan M470

 

微區(qū)掃描電化學(xué)工作站基于電化學(xué)掃描探針設(shè)計,具有超高測量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區(qū)形貌及電化學(xué)微區(qū)測試系統(tǒng),,快速精準(zhǔn)的閉環(huán)定位系統(tǒng)為電化學(xué)掃描探針納米級研究的需求而特別設(shè)計,。目前已迭代至第四代掃描探針系統(tǒng),是最靈活的電化學(xué)掃描探針工作平臺,,適配多種探針技術(shù)和不同模塊,。


微區(qū)掃描電化學(xué)工作站


 

一、9種探針技術(shù)

 

1.掃描電化學(xué)顯微系統(tǒng)(SECM)

 

2.交流掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)(ac-SECM)

 

3.間歇接觸掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)(ic-SECM)

 

4.微區(qū)電化學(xué)阻抗測試系統(tǒng)(LEIS)

 

5.掃描振動點擊測試系統(tǒng)(SVET)

 

6.電解液微滴掃描系統(tǒng)(SDS)

 

7.交流電解液微滴掃描系統(tǒng)(ac-SDS)

 

8.掃描開爾文探針測試系統(tǒng)(SKP)

 

9.非觸式微區(qū)形貌測試系統(tǒng)(OSP)

微區(qū)掃描電化學(xué)工作站


 

二,、M470 微區(qū)掃描電化學(xué)工作站特征:

 

1.SECM自動處理曲線,。

 

2.SECM用戶自定義處理曲線步長變化。

 

3.高分辨率讀取,。

 

4.手動或自動調(diào)節(jié)相位,。

 

5.傾斜校正。

 

6.X或Y曲線相減(5階多項式),。

 

7.2D或3D快速傅里葉變化,。

 

8.實驗,探針移動和區(qū)域繪圖的自動排序。

 

9.圖形實驗測序引擎(GESE),。

 

10.支持多區(qū)域掃描,。

 

11.所有實驗多個數(shù)據(jù)視圖。

 

12.峰值分析,。

微區(qū)掃描電化學(xué)工作站


 

三,、掃描工作臺(適配所有探針技術(shù))                

 

1.掃描范圍(x,y,z):大于100mm

 

2.掃描驅(qū)動分辨率 :高0.1nm

 

3.閉環(huán)定位:線性零滯后編碼器,直接實時讀出x,z和y位移

 

4.軸分辨率(x,y,z):20nm

 

5.大掃描速度:12.5mm/s


 

四,、壓電(ic-和ac-掃描探針技術(shù))

 

1.振動范圍:20nm~ 2μm峰與峰之間1nm增量

 

2.最小振動分辨率:0.12nm(16-bit DAC,4μm)

 

3.壓電晶體伸展:100μm

 

4.定位分辨率 :0.09nm(20-bit DAC ,100μm)


 



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