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VCSEL晶圓

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 深圳市唯銳科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 更新時(shí)間 2024/10/9 16:59:44
  • 訪問(wèn)次數(shù) 1278
產(chǎn)品標(biāo)簽

VCSEL晶圓供應(yīng)VCSEL晶圓

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深圳市唯銳科技有限公司是一家國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、專精特新創(chuàng)新型企業(yè),,也是國(guó)內(nèi)出色的光電產(chǎn)品和解決方案供應(yīng)商,。我們的團(tuán)隊(duì)具有多年的光電行業(yè)工作經(jīng)驗(yàn),長(zhǎng)期為高等院校,、科研院所,、航天軍工以及企業(yè)客戶,提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和解決方案,,促進(jìn)國(guó)內(nèi)光電產(chǎn)業(yè)的升級(jí)和國(guó)際化,。

唯銳科技一直關(guān)注光電前沿技術(shù),提供的產(chǎn)品和服務(wù)涵蓋: 光源(DFB/FP/ICL/QCL激光器,、超輻射發(fā)光二極管SLD,、中紅外LED、可見光-紫外激光二極管,、飛秒激光器),;探測(cè)器(碲鎘汞MCT/InAs/nAsSb探測(cè)器、InGaAs探測(cè)器、InAs/lnAsSb II型超晶格探測(cè)器,、平衡探測(cè)器),;量子技術(shù)(單光子探測(cè)器、計(jì)數(shù)模塊,、MOT磁光阱控制模塊),;光纖和探頭(高溫鍍銅鍍金光纖、中紅外光纖,、光纖探頭),;模塊、系統(tǒng)及整機(jī)(激光驅(qū)動(dòng),、溫控模塊,、TDLAS系統(tǒng)、FTIR光譜儀,、放射性碳分析儀C14-SCAR),;III-V族外延晶圓(VCSEL晶圓、InGaAs晶圓,、QCL晶圓),。產(chǎn)品主要應(yīng)用于:高靈敏度激光氣體分析、紅外探測(cè),、光纖光譜,、醫(yī)療健康、超快光譜,、量子技術(shù),、激光加工、航天軍工,、科學(xué)研究等領(lǐng)域,。

 

 

nanoplus激光器,DFB激光器,,ICL激光器,,QCL激光器,VIGO碲鎘汞探測(cè)器,,InAsSb探測(cè)器,,單光子探測(cè)器,單光子計(jì)數(shù)卡,,金屬涂層高溫光纖,,中紅外光纖,空芯光纖,,透反射探頭,,熒光探頭,,環(huán)形光探頭,III-V族外延晶圓,,ARCoptix傅里葉紅外光譜儀

供貨周期 兩周 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工

VCSEL晶圓 VIGO提供常見波長(zhǎng)的VCSEL外延,,例如850nm,940nm,,1550nm,;也可提供結(jié)構(gòu)定制??商峁┩庋诱蛘逥IE,;無(wú)論是處于產(chǎn)品設(shè)計(jì)的概念階段,需要對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品進(jìn)行創(chuàng)新升級(jí),,還是尋求開箱即用的解決方案,。 我們都可以為客戶提供研發(fā)項(xiàng)目的技術(shù)支持,,并提出新的方法和途徑來(lái)生產(chǎn)符合客戶要求的外延結(jié)構(gòu),。

850 nm VCSEL 外延結(jié)構(gòu)具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低閾值電流和適當(dāng)?shù)墓庾V特性,,適用于電信和光通信應(yīng)用,。

主要特點(diǎn)

厚度公差與規(guī)格<0.01%

載體濃度公差 <+/-10%

標(biāo)準(zhǔn)波長(zhǎng)公差<+/-5nm

反射率下降位置 <+/-3nm(不包括5mm邊環(huán))

芯片的顯微鏡圖像:

芯片尺寸:

VCSEL晶圓產(chǎn)品性能

VCSEL,切割前的裸片,,T=20 | 當(dāng)前孔徑Φ=~4μm

電光特性:

PARAMETER SYMBOL TEST COND. SAMPLE NO.21_1L
Emission wavelength λR[nm] POP=2.0mW 854
Threshold current ITh [mA] —— 0.7
Threshold voltage VTH [V] —— 1.95
Laser current lop [mA] POP=2.0mW 2.63
Laser voltage Uop [V] POP=2.0mW 2.37
Slope efficiency ns [W/A] —— 1.02
Output power Popt [mW] POP=6.0mW 4.93
Differential series resistance Rs [2] POP=2.0mW 180
Thermal resistance(VCSEL chip) Rthremal[K/mW] —— 6.2-7.8
Side mode suppression ratio SMSR POP=2.0mW 25
Wavelength tuning over temperature [nm/K] —— 0.052
Wavelength tuning over current dλ/dl [nm/mA] —— 0.72-0.85

絕對(duì)最大額定值:

溫度:儲(chǔ)存(-40℃至120℃),,工作(-20℃至110℃)

電氣:反向電壓(5V)CW電流(10mA),脈沖電流(7mA)

 

FP-DIP的波長(zhǎng)分布

MQW的光致發(fā)光掃描

SIMS-二次離子質(zhì)譜

Si和C摻雜劑的分布,。 DBR 和 QW 中的可見 Al(x)Ga(1-x)As 層/有源區(qū)中的勢(shì)壘

光譜特性

電光特性

產(chǎn)品應(yīng)用

面向光通信,、3D視覺、人臉識(shí)別,、原子鐘,、磁強(qiáng)計(jì)、激光雷達(dá),、醫(yī)療醫(yī)美,、AR/VR等等行業(yè)廠商的VCSEL外延需求。

 



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