一,、產(chǎn)品簡介：

CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機，采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,，實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕,。特別適合于大學(xué)，科研院所,、微電子,、半導(dǎo)體企業(yè)實驗室進行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕,、金屬刻蝕等方面研究,。使用成本低，性價比高,，易維護,，處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進行RIE反應(yīng)離子刻蝕,。具體包括：

1.介電材料（SiO2,、SiNx等）

2.硅基材料（Si,，a-Si，poly Si）

3.III-V材料（GaAs,、InP,、GaN等）

4.濺射金屬（Au、Pt,、Ti,、Ta、W等）

5.類金剛石（DLC）      

二,、RIE反應(yīng)離子刻蝕機 產(chǎn)品特點

1.7寸彩色觸摸屏互動操作界面,，圖形化用戶操作界面顯示，自動監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài),，20個配方程序,，可存儲、輸出,、追溯工藝數(shù)據(jù)，機器運行,、停止提示,。

2. PLC工控機控制整個清洗過程，手動,、自動兩種工作模式,。

3. 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì),，耐腐蝕無污染,。

4. 采用防腐數(shù)字流量計，實現(xiàn)對氣體輸入精準(zhǔn)控制,。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng),，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，氣體分配均勻,?？奢斎胙鯕狻鍤?、氮氣,、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體,。

5. 采用花灑式多孔進氣方式,，改變傳統(tǒng)等離子清洗機單孔進氣不均勻問題。

6. HEPA高效過濾,，氣體返填吹掃,，防止二次污染,。

7. 符合人體功能學(xué)的60度傾角操作界面設(shè)計，操作方便,，界面友好,。

8. 采用頂置真空倉，上開蓋設(shè)計,，下壓式鉸鏈開關(guān)方式,。

9. 上置式360度水平取放樣品設(shè)計，符合人體功能學(xué),，操作更方便,。

10. 有效處理面積大，可處理最大直徑200mm晶元硅片,。

11. 安全保護,，倉門打開，自動關(guān)閉電源,。

三,、技術(shù)參數(shù)