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非標(biāo)定制 分子束外延系統(tǒng)(MBE)
- 公司名稱 鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 非標(biāo)定制
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2023/11/1 15:23:20
- 訪問次數(shù) 648
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進(jìn)樣室?極限真空 | 5.0×10-5Pa | 樣品裝載數(shù)量 | 6片(φ2?英寸~φ4?英寸,,帶樣品載具) |
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分子束外延系統(tǒng)(MBE)可以在某些襯底上實現(xiàn)外延生長工藝,實現(xiàn)分子自組裝,、超晶格,、量子阱、一維納米線等,??梢赃M(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗證和外延片的生長制造。
該系統(tǒng)在薄膜外延生長時具有超高的真空環(huán)境,,是在理想的環(huán)境下進(jìn)行薄膜外延生長,,它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素,得到理想的高精度薄膜,。我公司設(shè)計制造的分子束外延薄膜生長實驗設(shè)備,,分實驗型和生產(chǎn)型兩種 ,配置合理,,結(jié)構(gòu)簡單,,操作方便,技術(shù)*,,性能可靠,,用途多,實用性強(qiáng),,價格相對較低,,可供各大學(xué)的實驗室及科研機(jī)構(gòu)作為分子束外延方面的教學(xué)實驗、科學(xué)研究及工藝實驗之用。生產(chǎn)型MBE可用于批量外延片的制備,。
功能特點
本項目于2005年在國內(nèi)完成了成套MBE的全國產(chǎn)化研發(fā)設(shè)計和制造,,做到自主可控。自主設(shè)計MBE超高真空外延生長室,、工藝控制系統(tǒng)與軟件,、RHEED原位實時在線監(jiān)控儀、直線型電子槍,、高溫束源爐,、束源爐電源、高溫樣品臺,、膜厚儀(可計量外延生長的分子層數(shù))等核心部件,。
可實現(xiàn)第二代半導(dǎo)體(如砷化鎵等)和第三代半導(dǎo)體(如碳化硅和氮化鎵)的外延生長。
分子束外延系統(tǒng)(MBE)組成與主要技術(shù)指標(biāo)
設(shè)備的組成
進(jìn)樣室
該室用于樣品的進(jìn)出倉,,并配置有多樣片儲存功能,。樣品庫可放六片基片。
預(yù)處理室
該室用于樣品在進(jìn)入外延室之前進(jìn)行真空等離子剝離式清洗和真空高溫除氣,,及其他前期工藝處理,。還用于對外延后的樣片進(jìn)行后工藝處理,如高溫退火等等,。
外延室
超高真空潔凈真空室,,實現(xiàn)分子束外延工藝。
主要技術(shù)指標(biāo)
進(jìn)樣室
極限真空:5.0×10-5Pa
樣品裝載數(shù)量:6片(φ2 英寸~φ4 英寸,,帶樣品載具)
預(yù)處理室
極限真空:5×10-7Pa
樣品臺加熱溫度:室溫~ 850℃±1℃(PID 控制)
離子清洗源:Φ60,;100 ~ 500eV
外延室
項目 | 參數(shù) |
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極限真空 | 離子泵 2.0×10-8 Pa(冷阱輔助) |
樣品臺加熱溫度 | 室溫~ 1200℃±1℃(PID 控制) |
樣品自轉(zhuǎn)速度 | 2 ~ 20 轉(zhuǎn) / 每分鐘(無級可調(diào)) |
氣態(tài)離化源 | 1~3套(氮) |
固態(tài)束源爐 | 3 ~ 8 套(根據(jù)用戶需求配置) |
Rheed | 1套 |
*工藝室部分部件根據(jù)客戶需求不同,所配置不同,。
實驗型分子束外延(MBE)
設(shè)備組件
超高真空直線型電子槍
自主研發(fā)直線型電子槍,,滿足超高真空和束源爐法蘭接口及安裝尺寸的要求;可用于高溫難融材料的加熱蒸發(fā),。
超高真空直線型電子槍
高能衍射槍及電源
束斑0.6mm,,高壓25kV。
光斑在熒光屏上可衍射圖像經(jīng)CCD 相機(jī)采集后由計算機(jī)進(jìn)行圖像處理,。
生產(chǎn)型分子 束外延(MBE)
分子束外延系統(tǒng)(MBE)
工藝實現(xiàn)
使用鵬城半導(dǎo)體自主研發(fā)的分子束外延設(shè)備生長的Bi2-xSbxTe3。
關(guān)于我們
鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司,,由哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團(tuán)隊共同發(fā)起創(chuàng)建,。公司立足于技術(shù)沿與市場沿的交叉點,尋求創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展,,解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題,,爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與精密制造,具體應(yīng)用域包括半導(dǎo)體材料,、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計和生產(chǎn)制造,。
公司人才團(tuán)隊知識結(jié)構(gòu)完整,有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊,;還有來自工業(yè)界的高裝備設(shè)計師團(tuán)隊,,他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計,、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗,。
公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳),具備先/進(jìn)的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺,,可以在高起點開展科研工作,。公司總部位于深圳市,具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā),、生產(chǎn),、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn),、銷售的能力,。
公司已投放市場的部分半導(dǎo)體設(shè)備
|物理氣相沉積(PVD)系列
磁控濺射、電子束,、熱蒸發(fā)鍍膜機(jī),,離子束濺射鍍膜機(jī)、磁控與離子束復(fù)合鍍膜機(jī)
|化學(xué)氣相沉積(CVD)系列
MOCVD,、PECVD,、LPCVD、熱絲CVD,、ICPECVD,、等離子刻蝕機(jī)、等離子清洗機(jī)
|超高真空系列
分子束外延系統(tǒng)(MBE),、激光分子束外延系統(tǒng)(LMBE)
|成套設(shè)備
團(tuán)簇式太陽能薄膜電池中試線,、OLED中試設(shè)備(G1、G2.5)
|其他
金剛石薄膜制備設(shè)備,、合金退火爐,、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備,、電制備設(shè)備
|真空鍍膜機(jī)用電源/真空鍍膜機(jī)控制系統(tǒng)及軟件
直流濺射電源,、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源,、高能直流脈沖電源(中頻可調(diào)脈寬)
控制系統(tǒng)及軟件
團(tuán)隊部分業(yè)績分布
自主設(shè)計制造的分子束外延(MBE)設(shè)備,,包括自主設(shè)計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐,、高溫樣品臺,、Rheed原位實時在線監(jiān)控儀(反射高能電子衍射儀)、直線型電子槍,、膜厚儀(可計量外延生長的分子層數(shù)),、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達(dá)到8.0×10^-9Pa,。
設(shè)備于2005年在浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點實驗室投入使用,,至仍在正常使用。
設(shè)計制造磁控濺射與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統(tǒng),,應(yīng)用于團(tuán)簇式太陽能薄膜電池中試線,。使用單位中科院電工所。
設(shè)計制造了金剛石薄膜制備設(shè)備,,應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設(shè)備?,F(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。
設(shè)計制造了全自動磁控濺射設(shè)備,,可加水平磁場和垂直磁場,,自行設(shè)計的真空機(jī)械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?,F(xiàn)使用單位國家光電實驗室,。
設(shè)計制造了OLED有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備。現(xiàn)使用單位香港城市大學(xué)先/進(jìn)/材料實驗室,。
設(shè)計制造了MOCVD及合金退火爐,,用于GaN和ZnO的外延生長,實現(xiàn)LED無機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料與器件的研究和中試?,F(xiàn)使用單位南昌大學(xué)國家硅基LED工程技術(shù)研究中心,。
設(shè)計制造了磁控濺射研究型設(shè)備。現(xiàn)使用單位浙江大學(xué)半導(dǎo)體所,。
設(shè)計制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設(shè)備?,F(xiàn)使用單位武漢理工大學(xué)。
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