分子束外延系統（MBE）可以在某些襯底上實現外延生長工藝，實現分子自組裝,、超晶格、量子阱,、一維納米線等?？梢赃M行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。

該系統在薄膜外延生長時具有超高的真空環(huán)境,，是在理想的環(huán)境下進行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素,，得到理想的高精度薄膜,。我公司設計制造的分子束外延薄膜生長實驗設備,，分實驗型和生產型兩種 ，配置合理,，結構簡單,，操作方便,，技術*,，性能可靠,，用途多,，實用性強，價格相對較低,，可供各大學的實驗室及科研機構作為分子束外延方面的教學實驗,、科學研究及工藝實驗之用。生產型MBE可用于批量外延片的制備,。

功能特點

本項目于2005年在國內完成了成套MBE的全國產化研發(fā)設計和制造，做到自主可控,。自主設計MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統與軟件,、RHEED原位實時在線監(jiān)控儀、直線型電子槍,、高溫束源爐、束源爐電源,、高溫樣品臺、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數）等核心部件,。

可實現第二代半導體（如砷化鎵等）和第三代半導體（如碳化硅和氮化鎵）的外延生長。

分子束外延系統（MBE）組成與主要技術指標

設備的組成

進樣室

該室用于樣品的進出倉,，并配置有多樣片儲存功能,。樣品庫可放六片基片,。

預處理室

該室用于樣品在進入外延室之前進行真空等離子剝離式清洗和真空高溫除氣，及其他前期工藝處理,。還用于對外延后的樣片進行后工藝處理，如高溫退火等等,。

外延室

超高真空潔凈真空室,，實現分子束外延工藝。

主要技術指標

進樣室

極限真空：5.0×10-5Pa

樣品裝載數量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸,，帶樣品載具）

預處理室

極限真空：5×10-7Pa

樣品臺加熱溫度：室溫～ 850℃±1℃（PID 控制）

離子清洗源：Φ60,；100 ～ 500eV

外延室

*工藝室部分部件根據客戶需求不同，所配置不同,。

實驗型分子束外延（MBE）

設備組件

超高真空直線型電子槍

自主研發(fā)直線型電子槍,，滿足超高真空和束源爐法蘭接口及安裝尺寸的要求,；可用于高溫難融材料的加熱蒸發(fā),。

超高真空直線型電子槍

高能衍射槍及電源

束斑0.6mm，高壓25kV,。

光斑在熒光屏上可衍射圖像經CCD 相機采集后由計算機進行圖像處理,。

生產型分子 束外延（MBE）

分子束外延系統（MBE）

工藝實現

使用鵬城半導體自主研發(fā)的分子束外延設備生長的Bi2-xSbxTe3。

關于我們

鵬城半導體技術（深圳）有限公司,，由哈爾濱工業(yè)大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建,。公司立足于技術沿與市場沿的交叉點，尋求創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展,，解決產業(yè)的痛點和國產化難題,，爭取產業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務是微納技術與精密制造,，具體應用域包括半導體材料,、半導體工藝和半導體裝備的研發(fā)設計和生產制造。

公司人才團隊知識結構完整,，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊,；還有來自工業(yè)界的高裝備設計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究,、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計,、生產制造的經驗。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學（深圳）,，具備先/進的半導體研發(fā)設備平臺和檢測設備平臺,，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市,，具備半導體裝備的研發(fā),、生產、調試以及半導體材料與器件的中試,、生產,、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導體設備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束,、熱蒸發(fā)鍍膜機,，離子束濺射鍍膜機、磁控與離子束復合鍍膜機

|化學氣相沉積（CVD）系列

MOCVD,、PECVD,、LPCVD、熱絲CVD,、ICPECVD,、等離子刻蝕機、等離子清洗機

|超高真空系列

分子束外延系統（MBE）,、激光分子束外延系統（LMBE）

|成套設備

團簇式太陽能薄膜電池中試線,、OLED中試設備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設備,、合金退火爐、硬質涂層設備,、磁性薄膜設備,、電制備設備

|真空鍍膜機用電源/真空鍍膜機控制系統及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源,、高精度熱蒸發(fā)電源,、高能直流脈沖電源（中頻可調脈寬）

控制系統及軟件

團隊部分業(yè)績分布
自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室,、工藝控制系統與軟件,、高溫束源爐、高溫樣品臺,、Rheed原位實時在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）,、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數）,、射頻源等關鍵部件,。真空度達到8.0×10^-9Pa。

設備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用,，至仍在正常使用,。

設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術聯合系統，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線,。使用單位中科院電工所,。

設計制造了金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產設備?，F使用單位中科院金屬研究所,。

設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片,。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F使用單位國家光電實驗室。

設計制造了OLED有機半導體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備?，F使用單位香港城市大學先/進/材料實驗室,。

設計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長,，實現LED無機半導體發(fā)光材料與器件的研究和中試?，F使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心。

設計制造了磁控濺射研究型設備?，F使用單位浙江大學半導體所,。

設計制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設備。現使用單位武漢理工大學,。

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